未掺杂半绝缘LECGaAs主要特性参数及其与集成电路性能的关系

利用霍尔效应、红外吸收和熔融 KOH 腐蚀的方法系统测量了φ2吋未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs 晶体中电阻率、迁移率、深施主 EL2、浅受主碳(C)和位错分布,比较了这些参数与集成电路性能的关系,对有关问题进行了讨论.     

ZnSe及ZnSe:N的光致发光

本文报导了我们用常压MOCVD法生长的ZnSe单晶膜的光致发光特性。在77K的光致发光光谱中,ZnSe的激子发射峰位于4450,其半高宽为12.6mev。在探索ZnSe反型的过程中,我们在生长过程中掺入氮杂质,获得了氮替代硒的浅受主,其离化能为91mev。     

压痕诱发GaAs单晶的塑性变形

利用透射电子显微镜对压痕诱发GaAs中的塑性变形结构进行了研究。结果表明,压痕周围产生了由长臂位错和短臂位错组成的非均匀分布的玫瑰型位错组态和二次对称分布的孪晶结构。利用电子衍射技术对位错类型进行了分析。结果表明位错形态与Fran-Read位错的形核、运动和相互作用有关,而孪生过程与形变过程中扩展位错的产生与运动密切相关。     

蓝宝石/氮化铝衬底上SiC外延薄膜的X射线衍射分析

介绍了在蓝宝石／氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术。通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善。用多种Ｘ光衍射方法对生长在蓝宝石／氮化铝复合衬底上的碳化硅薄膜的结构进行了分析,结果表明,可在这种衬底上成功地生长 出６Ｈ－ＳｉＣ单晶薄膜。     

对甲氧基对硝基二苯基乙炔的晶体结构与多型性

用对甲氧基苯乙炔铜与对碘硝基苯反应，定量地合成了对甲氧基对硝基二苯基乙炔，用溶剂法生长了它们的单晶．用Ｘ射线衍射结构分析和测定ＳＨＧ效应方法研究了这些晶体，发现从不同的溶剂中生长的单晶体具有不同的晶体结构，并且具有不同的光学性质．讨论了晶体生长、晶体结构与其光学性质的相互关系．     

Mn注入GaAs半导体的电特性研究

用离子注入的方法把Mn注入到非掺杂半绝缘(100)GaAs中，用霍尔以及电化学C-V方法研究了热处理温度对样品电特性的影响．发现在650～850℃温度范围内，随着退火温度的升高，样品的方块载流子浓度呈下降趋势，而载流子迁移率呈明显上升的趋势．这是由于在退火过程中，随着退火温度的升高，有更多的Mn参与MnAs或MnGa相的形成，使得以受主形式存在的Mn减少，并且晶格缺陷得到恢复所致，同时进行了Mn、C双注入实验，分析了C对样品电特性的影响。     

储能电容与光导开关的工作模式

介绍了以光导开关为核心的高压纳秒电脉冲系统组成.半绝缘GaAs光导开关在初始偏置电场26.7 kV/cm条件下受到1 ns、光能20 μJ、波长1 064 nm激光照射.根据SRH模型和有限元法计算载流子浓度和光导开关时域电阻,考虑Blumlein 传输线等效电容电压的时域变化,进行了输出脉冲的模拟计算.模拟和实验表明...     

退火条件对注Mn GaAs结构的影响

通过离子注入在半绝缘GaAs衬底中掺引入Mn杂质,进行不同温度的退火后,在样品中形成了磁性MnAs粒子.利用原子力显微镜和磁力显微镜对样品的表面进行分析,发现退火条件会影响样品磁性粒子的分布.运用二次离子质谱仪测量了样品中Mn的深度分布,发现退火温度对样品中Mn的分布有很大影响.     

高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器

利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W /A     

碲化铅单晶及薄膜物理特性的研究

PbTe(碲化铅)是一种新兴的化合物半导体材料，它以优良的特性而被用于许多高科技领域。作者用布里奇曼法以高纯的Te(99．9％)和经过5次提纯的Pb合成了5种组分的PbTe单晶，并对它们的物理特性进行了研究。此外，以所制备的晶体为原料用真空蒸镀法制备了5种组分的PbTe多晶薄膜，薄膜呈铜黄色，并对它们的显微结构、导电类型、电阻、电阻率和电导率特性进行了研究。测试结果发现，热处理对薄膜结构和性能影响很大，热处理后晶粒为有明显取向的片状，且晶粒尺寸变大；随Te摩尔分数的增大，薄膜的导电类型由n型转换成p型；热处理后薄膜电阻比退火前小，其电阻率比晶体材料大，电导率随Te摩尔分数的增大先减小后增大。     

KTNP晶体生长、结构与粉末倍频效应的研究

采用高温溶液籽晶降温法生长了一系列ＫＴＮＰ晶体,研究了ＫＴＮＰ溶液的性质、ＫＴＮＰ晶体生长基元及其生长形态,测定了ＫＴＮＰ晶体的晶胞多数、红外光谱、吸收光谱和粉末倍频效应．最后,简要地讨论了所获得的一些研究结果．     

GaAs近红外吸收特性和主要深电子陷阱浓度的测量

本文研究液封直拉(LEC)未掺杂半绝缘GaAs室温和低温近红外吸收特性,对主要深电子陷阱(EL2)引起红外吸收的机理进行了探讨。利用低温高分辩率技术,发现样品中EL2内部跃迁特征谱及由零声子线和五个声子耦合峰组成的精细结构。零声子线与近红外吸收带具有相同的光淬灭效应,其强度与EL2浓度具有良好的线性关系,由此阐述了一种测定EL2浓度的新方法。     

光学级钽酸锂单晶微观组织与性能关系研究

对钽酸锂单晶的微观组织及结构与性能关系进行了研究分析．研究发现：在各项性能优良的钽酸锂晶体中，可见有较为均匀的同心环状生长条纹，这种条纹的产生是由于晶体中含有杂质引起的．整根晶体从头部至尾部其组分分布较为均匀，晶体结构为单晶结构；但在各项性能都较差的钽酸锂晶体中，则可见其生长条纹混乱无序，且晶体结构也表现为多晶态．钽酸锂晶体这种组分的偏离和结构上的缺陷是导致其性能变坏的根本原因．     

用于DLTS测试的MOS结构

本文采用阳极氧化工艺制备AlGaAs/GaAs自身氧化膜,进而制成MOS结构。对氧化膜的组分和稳定性,以及MOS结构的C—V特性进行了实际测量和理论分析。实验结果表明:经氮气退火后的氧化膜的电学性质稳定。本文得出了适合于深能级瞬态谱测试的MOS结构,及采用MOS结构进行DLTS测试的测试条件。     

双侧金属接触半绝缘GaAs的电传输特性

对双侧金属接触半绝缘GaAs(MSM)结构的电特性进行了模拟计算,包括不同外加偏压和不同载流子注入接触时的空间电荷分布以及电子和空穴电导率分布,在此基础上分析研究了接触处空间电荷区随外加电压的变化对这种结构的I－V特性的影响。     

锗硅薄膜的光学特性研究

GeSi薄膜的光学特性可以随内部组分的变化而变化,在光电子集成方面优于GaAs、InP等传统的发光材料,已引起了人们的广泛关注.采用等离子体CVD法在玻璃衬底上沉积GeSi薄膜,研究了不同生长条件下的样品的光学特性,从样品的紫外\|可见光反射谱和透射谱计算出光学带隙,发现随着Ge含量的增加,薄膜的光学带隙减小.并且研究了样品的光学带隙与温度的关系,当GeH4流量为4sccm时,薄膜的光学带隙随温度的升高有一个最小值,当GeH4流量为8sccm时,温度升高而薄膜的光学带隙基本不变.     

常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜

本文叙述了常压MOCVD法制备ZnTe单晶膜的方法.通过x-ray衍射和光政发光的测量,表明已生长出高质量的ZnTe单晶膜.为生长ZnSxTel-x固溶体,获得从绿色到紫色的发光材料准备了条件.     

DKDP晶体快速生长条件的研究

研究了ＤＫＤＰ溶液的性质，测定了四方相与单斜相各自溶解度曲线及溶液中两相平衡相变点温度，测定了四方相与单斜相的稳定区．同时，系统地研究了溶液稳定性、溶液ｐＤ值、温度、焦磷酸根等因素对ＤＫＤＰ晶体生长的影响，快速地生长出ＤＫＤＰ晶体．晶体消光比的测定结果表明，快速生长的ＤＭＰ晶体的光学均匀性并未降低．     

化学计量比和铜离子对Fe:LiNbO3晶体光学性能的影响

以K2O作助溶剂,采用顶部籽晶溶液生长法生长近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体.测试了晶体的红外光谱,吸收光谱和抗光损伤能力.由红外光谱OH-吸收峰位置,确定Cu:Fe:LiN-bO3晶体是近化学计量比.吸收光谱显示出Cu:Fe:LiNbO3晶体的吸收边相对LiNbO3晶体发生红移.其抗光损伤能力比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级.对红外光谱OH-吸收峰移动机理,吸收光谱吸收边移动机理和抗光损伤增强机理进行讨论.通过二波耦合光路测试并计算了近化学计量比Cu:Fe:LiNbO3晶体的衍射效率、响应时间、擦除时间、灵敏度和动态范围.近化学计量比掺杂LiN-bO3晶体的光学性能优于Fe:LiNbO3晶体.     

Yb：NaY(WO4)2激光晶体生长工艺研究

掺镱钨酸钇钠[分子式:Yb:NaY(WO4)2，简称Yb:NYW]是一种性能优良的激光晶体.本文采用提拉法生长出四方晶系白钨矿结构的Yb:NYW晶体,尺寸为 20mm×20mm.对生长的晶体中存在的开裂现象进行了研究,从理论上讨论了晶体中的热应力和热应变与晶体尺寸、温度梯度、提拉速度和转速等生长工艺参数之间的关系.实验研究发现,晶体开裂与生长速度过快、转速过大、晶体冷却速率过快所造成的热应力有关.并给出了制备无开裂优质Yb: NYW晶体的最佳生长工艺参数.