应用静电和离子空气净化新技术消除公共场所室内环境空气PM污染

调查公共建筑的PM污染,提出静电和离子净化技术可有效控制PM污染,微能耗,改动小,应用灵活。     

真空灭弧室的辉光放电净化

辉光放电净化一直用于对大型粒子加速器或核聚变研究设备上的真空室进行除气。为了对真空灭弧室的所有内部零件的表面进行净化。尝试了在ＶＩ的内电极与环在其周围的铜栅网之间产生辉不卵电的新技术。用这种技术进行净化是有效的。在Ａｒ气中进行辉光放电净铧比Ｈ２中进行的辉光放电净化可以获得更高的内电极间击穿电压。净佛效果的这种差别可能是由于不同种类的离子与表面吸附的分子，微突起之间能量变换程度的不同所引起的。     

室内气态污染物净化技术研究综述及量化对比分析

室内气态污染物的净化是我国居民越来越关注的一个热点问题。近年来气态污染物净化技术的相关研究层出不穷。但多数报道仅关注于某项净化技术,很少横向对比各技术的净化效率。综述了通风换气、吸收和氧化分解三类气态污染物净化技术的原理,量化对比了其中8项技术的净化效率和能耗,分析讨论了各技术优缺点。植物吸收技术、光催化氧化技术、臭氧氧化技术、二氧化氯氧化技术、低温等离子体氧化技术的净化效率相对低于活性炭吸附技术和通风换气类净化技术。一般,多种净化技术复合后的效率优于单一的净化技术。对于光催化氧化、臭氧氧化、二氧化氯氧化、低温等离子体氧化等技术,通过技术的优化或复合,大幅度提高其净化效率后才可能具有商业化应用前景。     

室内空气污染危害及其净化技术的探究

概述了室内空气污染物的来源、种类及其对人体健康的危害,介绍了目前室内空气净化技术有吸附净化技术、光催化技术、离子化法净化技术、臭氧法净化技术、组合净化技术,并且分析了各技术的优缺点。提出了组合净化技术已经成为今后该领域研究的一个重要方向。     

高中效过滤、高强度紫外线和动态离子杀菌组合空气卫生工程新技术在手术室的应用

采用高中效空气过滤、高强度风管紫外线辐照和室内空气动态离子杀菌组合空气卫生工程新技术的手术室可以达到优于高效过滤洁净技术的空气无菌效果,洁净度指标也达到一定的净化级别,节能50%以上,并具有洁净技术不具备的手术中房间空气和表面直接瞬时杀菌功能,有利于减少采用传统洁净技术的手术室难以避免的手术组人员产生的手术中的空气局部污染对切口感染的影响和明显降低造价和运行费。     

三电极净化技术的应用研究

主要分析三电极净化技术在产品上应用的可行性。首先通过各种实验测试评估此净化技术的净化性能,然后与其它净化产品进行性能对比分析,通过试验评估得出：三电离净化技术具有净化效果好,风阻低等优势,但电器安全性等方面需要进一步的评估。     

室内空气污染因素对人体的危害及净化技术措施

介绍了室内主要污染因素即化学性、生物性、物理性因素对人体健康的危害及室内空气净化方法：吸附过滤净化技术、低温等离子体技术、臭氧净化技术、光催化技术。主要叙述了纳米光催化技术的原理、光催化剂的制备方法及纳米光催化技术在室内空气净化中的应用。     

“ГОИ”全俄科学中心光学镀膜工作概况

在“С．И．瓦维洛夫国家光学研究所(ГОИ)”光学镀层工作是30年代在И．В．Гребевшиков院士领导下开始的。到目前为止形成一个高度熟练的专家集体。它完成同光学镀膜工艺有关的一整套的工作。在镀制中采用所有现代的光学镀层的真空方法：电阻法和在高真空中的电子束蒸发法，阴极法，离子等离子体法，磁溅射法。镀层工艺中成功地采用离子加工方法，其中包括基板的离子净化，离子辅助(ассистрование)，离子涂抹(платирование)。     

赛斯纯气体公司完成收购电源与能源公司的钯膜氢气净化器产品线

赛斯纯气体公司首席执行官蒂姆.约翰逊先生评论说:"钯膜净化技术将实现跟赛斯纯气体公司的其他净化技术完美组合。我们很自豪地提供钯膜净化技术以及用于氢气(吸附式,加热吸气剂式)和其他大宗气体,比如氮气、氩气、氦气、氨气、洁净干燥空气和氧气的其他超高纯净化技术提供给我们的客     

一种简易负离子净化器设计

空气负离子是一种带负电荷的离子，其能与周边带正电荷的尘埃、烟雾、病毒与细菌等物质相互聚集并沉淀，从而达到净化周边空气和生活用品的作用。以STC89C52单片机为控制核心，设计了一种简易负离子净化器，可以实现风扇送风、负离子净化和紫外线照射的多重净化杀菌效果。详细介绍了简易负离子净化器的硬件设计与软件设计，并完成了性能测试，测试效果良好。该装置主要作用于与人体接触的诸多生活用品，具有较大的实用价值，值得推广。     

Plasma enhanced in situ chamber cleaning evaluated byextracted-plasma-parameter analysis

We have demonstrated that high-efficiency in situ chamber cleaning with short gas residence time is possible for SiO₂ etching chambers by use of NF₃ plasma, and that the endpoint determination of the cleaning is possible by monitoring the optical emission intensities of CO or H. Nitrogen trifluoride (NF₃), which has a low N-F bond energy, can generate a plasma with a high density of ions and radicals featuring low kinetic energy. The cleaning efficiency of several halogenated-gas plasmas has been evaluated based on extracted-plasma-parameter analysis. In this analysis important plasma parameters, such as ion energy and ion flux density, can be extracted through a simple rf waveform measurement at the plasma excitation electrode. The accuracy of this technique has been confirmed with a newly developed rf plasma direct probing method and by ion current measurements     

定向离子清洗对基片表面性质的影响

为提高高功率激光薄膜的抗激光损伤能力，研究了定向离子清洗对玻璃基片表面性质的影响。用End-Hall型离子源在不同清洗参数下对K9玻璃基片进行了清洗，用光学显微镜验证了基片的二次污染和离子的清洗效果，用静滴接触角仪测量了基片在离子清洗前后对水滴的接触角，用原子力显微镜和轮廓仪分别观测了不同参数的离子清洗前后的基片表面形貌和粗糙度，分析了基片清洗后表面性质如清洁、表面能、接触角、表面粗糙度、表面形貌的变化机理。研究表明定向离子清洗可有效去除二次污染、增加基片表面能、控制基片表面粗糙度和表面形貌，是一种有效改善基片表面性质的处理方法。     

多碱光阴极玻璃基底表面处理研究

论文探索了光阴极玻璃基底的热清洁和离子清洁对提高光阴极灵敏度的影响。通过 不同玻璃基底玻璃成分的研究,证明玻璃中的碱金属的含量会影响到光阴极灵敏度的高低。通过表面张力分析,证明对光阴极玻璃基底进行热清洁和离子清洁可以增加玻璃表面的表面能,对提高光阴极的灵敏度有一定的作用。通过XPS分析,证明离子清洁可以提高光阴极的灵敏度,然而离子清洁过度会带来碳污染,从而降低光阴极灵敏度的稳定性。     

新型电子工业清洗工艺研究

本文报告了一种新型电子工业清洗工艺。用该工艺清洗过的硅片上的钠残留量低于常规ｃｍｏｓ／ｓｏｓ栅氧化工艺，去重金属离子的能力及对器件参数的影响与常规ｃｍｏｓ／ｓｏｓ栅氧化工艺相当。新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉等优点，无毒，无腐蚀性，对人体无危害，对环境无污染。     

清洗后硅片表面的电子结构

介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等 ,把它和标准 RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明 ,经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成 ,它们分别以 Si-O键、C-O键和 Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层 ,在硅片表面都存在有机碳污染 ,但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准 RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术清洗明显优于标准 RCA清洗技术     

超声波清洗技术在等离子体显示器件基板上的应用

通过对超声波清洗技术的理论分析以及实际工艺操作结果分析，与以往传统的清洗方式做一比较，说明了在清除微细污染物方面，超声波清洗技术在等离子体显示器件障壁基板清洗方面的优越性。     

Improvement of aluminum-Si contact performance in native-oxide-freeprocessing

The improvement of Al-to-Si contact performance to a low contact resistance of 0.4 μΩ-cm² and a Schottky junction having an n factor of 1.02 without any thermal treatment has been achieved by a native-oxide-free processing technique. The technique consists of N₂-gas-sealed wet cleaning using pure water with low dissolved oxygen (20 p.p.b.), wafer transport and loading in an N ₂ environment, and Al deposition by low-energy ion bombardment     

金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究

采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O4-8),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA清洗进行对比实验,并应用X射线光电子谱和原子力显微镜进行清洗效果的检测,结果表明,本清洗工艺处理后的硅片表面有机碳含量更少,微粗糙度小,明显优于现有的RCA清洗工艺.     

金刚石膜电化学清洗硅片表面有机沾污的研究

采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O4-8),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA清洗进行对比实验,并应用X射线光电子谱和原子力显微镜进行清洗效果的检测,结果表明,本清洗工艺处理后的硅片表面有机碳含量更少,微粗糙度小,明显优于现有的RCA清洗工艺.     

用于真空电子器件的非ODS水剂清洗工艺

由于零件表面的污物组分复杂,真空电子器件,如ＣＰＴ、ＣＤＴ用的销钉、阳极帽等零件原来全部采用ＯＤＳ溶剂清洗,为获得极洁净的表面,本文介绍一种非ＯＤＳ水剂清洗技术。其清洗剂主要组分包括脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺等多种表面活性剂和助剂,符合对人无毒、对环境无毒、对臭氧层无损耗、不含磷酸盐及壬基苯酚乙基盐等综合要求。对清洗过的零件,进行常规检验和Ｘ射线能谱分析的结果表明,非ＯＤＳ水剂清洗工艺的清洗能力