毫米波虚阴极器件的锁相

分析了毫米波虚阴极振荡器锁相同题，从经典理论出发，给出了主从锁相和互耦振荡器等同锁相满足的方程及数值计算结果，并进行了分析与讨论，其数值计算结果与理论分析结果相当吻合．     

等离子体阴极电子枪的实验研究

填充等离子体高功率微波器件具有独特的性能.然而等离子体正离子对电子枪的轰击通常会破坏材料阴极表面并降低其电子发射能力.解决此问题的一种新方案是采用等离子体阴极电子枪.本文设计制作了等离子体阴极电子枪,采用氦气馈气系统和脉冲调制器进行实验研究,得到电子枪放电电流与气体压强、调制器电压等的关系.实验表明,等离子体阴极可取代材料阴极作为大电流、长脉冲电子注源.     

X波段等离子体填充返波管振荡器

描述等离子体填充微波器件的技术背景。从分析关键技术出发,着重给出等离子体阴极电子枪、等离子体辅助电子束传输聚束、以及等离子体辅助注波互作用的概念设计。提出一种Ｘ波段等离子体填充返波管的实施方案。     

双谐振腔长脉冲相对论返波振荡器研究

延长输出微波脉宽是提高输出平均功率水平的一种重要技术途径.受限于“脉冲缩短”这一国际难题,通常高功率微波源输出微波脉宽较窄.相对论返波振荡器是一种高功率、高效率、可重频运行的高功率微波源,获得了广泛研究和应用.在长脉冲相对论返波振荡器研究方面,现有研究方法很难兼顾长脉冲与高效率.针对上述问题,提出了一种双谐振腔长脉冲相对论返波振荡器的设计方法:采用双谐振腔降低射频场;利用非均匀慢波结构增强束波作用;引入大半径收集极减少电子轰击产生的二次电子的数量.实验结果表明,该器件与现有的长脉冲相对论返波振荡器相比,可以在延长输出微波脉宽的同时提高器件束波作用效率.     

新腔提高光参量振荡器的重复率

在没有色散补偿情况下，以冲酸钛氧铷（RTA）为基础的光参量振荡器产生了344MHz脉冲重复率、280fs的信号脉冲。这是泵浦激光脉冲重复率（86MHz）的4倍。该器件利用新型小巧的半单片腔结构使晶体中的光接近最佳聚焦。苏格兰圣安德鲁斯大学的研究人员相信，这是光参量振荡器演示的最高重复频率。典型光参量振荡是两个弯曲反射镜和两上平面反射镜（它们构成共振腔）之间安有非线性晶体的z形结构。研制者D．Reid说，我们的光参量振荡器可认为是这种腔的等价物。这件腔由通过晶体中心的反射镜平台分裂成两半，3mm长砷酸钛氧铷晶体的一个平端…     

用LPE研制的室温连续工作的1．48μm单量子阱激光器

利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长为２００μｍ，ＣＷ，１３℃）。激射波长为１．４８μｍ，最高输出功率达１８．８ｍＷ（Ｌ＝２００μｍ．ＣＷ，１８℃）。脉冲输出峰值功率大于５０ｍＷ（脉冲宽度１μｓ、频率１ｋＨｚ），未见功率饱和。量子阱的阱宽为２０ｎｍ［１］．     

SOI／SDB COMS环形振荡器的研究

本文主要研究了硅片直接键合技术制备ＳＯＩ材料，并在此材料上采用全离子注入硅栅工艺制造了１μｍ沟道ＣＭＯＳ环形振荡器。由于ＳＯＩ。ＳＤＢ中的硅膜保持着本体硅的性质，故所得陪管的特性比较好，（迁移率：ＮＭＯＳ为６８０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，ＰＭＯＳ为３７０ｃｍ２／Ｖ·ｓ，跨导：ＮＭＯＳ为３８ｍＳ，ＰＭＯＳ为２５ｍＳ）。但发现ＭＯＳ管具有“Ｋｉｎｋ”效应，随着硅膜厚度的减小，“Ｋｉｎｋ”效应有所抑制。实验所得ＣＭＯＳ１９级环形振荡器的单级延时为０．７９ｎｓ，由此可见，ＳＯＩ／ＳＤＢ材料在ＶＬＳＩ中将有很大的发展前景     

用于网络单元时钟的压控石英振荡器

介绍了１５５．５２Ｍｂｉｔ／ｓ、６２２．０８Ｍｂｉｔ／ｓ、２４８８．３２Ｍｂｉｔ／ｓ、１０Ｇｂｉｔ／ｓＳＤＨ系统上的时钟频率源的基本原理，针对ＳＤ我同步对网络单元时钟要求的３８．８８ＭＨｚ压控振荡顺频率源进行了设计，当环境温度在０℃到７０℃范围内变化时，压控振荡器的频率漂移优于±１×１０＾－６，瞬时频率稳定定优于１．２５×１０＾－９。     

EW海上电磁环境仿真技术

在分析海上电磁环境特点，建立仿真模型的基础上，提出一个密度100万脉冲／秒，频率覆盖范围2～18GH2海上密集复杂电磁环境仿真系统。该系统在一个通用个人计算机（PC／486）或笔记本的基础上由3个模块组成：与PC主从紧密耦合采用多片高速数字信号处理器TMS320C40构成的并行处理DSP模块；与雷达侦察引导设备信号处理机驳接的视频长线驱动差分输出接口模块；由数字调谐振荡器（DTO）构成的微波功放输出RF模块。     

有源天线阵波束电扫描新技术

研究了利用互注频锁相技术实现的低成本、高集成度、高效率的新型非线性有源天线阵列,给出了耦合振荡器阵列的幅度及相位动力系统满足的微分方程组,然后针对控制非线性有源天线阵列波束扫描这一实际应用,找到了可以实现有源天线阵列波束扫描的相位动力系统的轨道及振荡器自由振荡频率需满足的条件,并对轨道的稳定性进行了分析,提出了一种不用移相器实现非线性有源天线阵列波束电扫描的方法,最后利用计算机仿真验证了该方法的可行性.     

CMOS集成电路中振荡器的设计及性能分析

本文讨论在CMOS集成电路设计中,常用到的三种振荡器,计算它们的振荡周期,并对电路进行了仿真及性能分析。     

六毫米波段注入锁定振荡器

本文描述一种六毫米波段注入锁定振荡器.该振荡器由耿管振荡器、环行器、锁相参考源组成,耿管振荡器采用背腔式稳频和谐振帽电路结构,输出端经环行器与高稳定度锁相源连接.注锁振荡器的输出功率大于60mW,振荡频率为46.1GHz,偏离载频10kHz处,单边带(SSB)相位噪声≤-71.7dBc/Hz,杂波≤-40dB.     

单模光折变振荡器的输出及稳定特性（φ_0≠π／2）

在泵浦光非衰减的近似条件下给出了单模环形光折变振荡器中信号光随时间的演化方程，在此基础上得到了定态输出光强和频率牵引关系，并把非局域相位移动人作为可变参数，系统地分析了它对定态输出的影响。另外线性稳定性分析表明，单模光折变振荡器具有良好的稳定特性。     

寄生不灵敏的开关电容三相振荡器

本文提出并讨论了两种使用开关电容技术设计振荡器的新方法。设计出的振荡器产生三相对称正弦信号,在通信、信号处理等领域有广泛应用。本文使用了两类RC振荡器作为模拟振荡器原型:一类是SD振荡器,另一类是三状态变量振荡器。由此实现的SC振荡器均易于集成,其振荡频率与时钟频率的关系是线性的,并具有电路特性对寄生电容不灵敏,电容比较小的显著特点。文中给出了比较结果和实验结果。实验结果与理论值相符。     

一种具有深度二次谐波抑制的微波振荡器

微波振荡器作为通信系统中的关键器件,已经被广泛地研究和设计。因此,设计具有优秀性能的微波振荡器是至关重要的。提出一种具有深度二次谐波抑制性能的新型微波负阻型振荡器。该设计的新颖性在于利用一个装配于双极结型晶体管射极的并联结构(由一段短微带线和电容并联组成)来实现二次谐波抑制。该结构作为振荡器基波信号的反馈元件,同时作为二次谐波处的带阻结构。因为二次谐波没有反馈回路(接地),所以能被极大地抑制。更重要的是在振荡器的输出端无额外的滤波器来抑制二次谐波,这使得电路尺寸得以减小。给出了一个振荡器设计实例,并给出其测试结果来论证理论的正确性。测试结果表明相较于传统振荡器的二次谐波抑制度有25 dB 的提高。     

Analytical equations for oscillation amplitude of MOS Colpitts oscillator

New analytical equations are presented for amplitude analysis of metal–oxide–semiconductor (MOS) Colpitts oscillator. These equations are obtained from a large signal analysis that includes MOS operation in the saturation, triode and cutoff regions. The analysis is based on a reasonable estimation for the output voltage waveform. The estimated waveform must satisfy the nonlinear differential equations governing the circuit. The validity of the proposed method and the resulting equations has been verified through simulations using TSMC 0.18?µm complementary MOS process. The results are also compared with the other methods. Simulation results show high validity of the proposed equations.     

W波段光控Gunn管谐波振荡器的实验研究

本文提出了Ｗ波段Ｇｕｎｎ管谐波型光控振荡器的设计方案，该方案在振荡器的基波腔内填充本征半导体Ｓｉ片，并通过光纤将半导体激光器产生的光束耦合到Ｓｉ片，以达到光对振荡器工作频率的控制，在实验中采用波长为０．８６３μｍ的激光照射Ｓｉ片，取得了光控频率达７ＭＨｚ的结果。     

计算器振荡器设计的研究

本文较为详细地研究了CS6078计算器中所采用的双频振荡器的电路结构,并对其不易于起振的原因进行了分析。从而提出了采用单频振听设计取代原芯片的双频振荡器设计的实验方案,通过电路模拟,流片实验,业已表明采用单频振荡器设计来取代原芯片双频振荡器的设计,能有效地解决振荡器不易起振的问题。     

LC振荡器教学难点解析

LC振荡器是＂非线性电子线路＂课程的重要内容。在教学中,如何判断振荡器能否起振是一个重点内容,也是难点之一。我们针对教学过程中学生面对变化多端的电路形式,出现的困惑,提出相应的解决方案,在讲法中注重总结和提炼,分层次展开。实践表明,这样讲解符合初学者的认知规律,更利于学生掌握这一知识点。     

一种线性RC压控振荡器的设计

基于LLC串联谐振芯片的应用,提出了一种线性RC压控振荡器.在传统RC振荡器的电容上叠加一个压控电流源,实现了频率受电压线性控制.仿真结果表明,该电路在典型参数下振荡器频率范围为140～280 kHz,在-40℃～125℃温度范围内可保持正常工作,且可通过外部电阻电容进行设置.该振荡器已被应用于脉冲频率调制模式下工作的LLC串联谐振芯片.