离子注入H13钢注入层微观结构的研究

本文利用ＴＥＭ研究了Ｓｉ，Ｔｉ离子注入Ｈ１３钢注入层微观结构。结果表明：Ｓｉ离子注入后，导致表面注入层微晶化及部分非晶化，内注入层多晶化；Ｔｉ离子注入后，表面注入层则完全非晶化，内注入层微晶化。     

激光合金化Si3N4/石墨复合涂层及其摩擦学性能研究

在 4 5钢表面激光合金化Si3 N4/石墨复合涂层 ,对合金化层的微观组织结构、显微硬度、元素含量和分布、摩擦磨损性能等进行了分析和实验研究 ,并据此对预涂层材料组成、配比和激光合金化工艺参数进行了优化。结果表明 :激光合金化Si3 N4/石墨复合材料能够获得组织均匀细密、硬度显著提高的合金化层。并且在干摩擦条件下 ,减小了金属表面的摩擦系数 ,提高了耐磨性和抗粘着的能力 ,整个摩擦过程也很稳定     

离子注入对金属纳米薄膜微观结构的影响

由于软的金属 ,如 :Ｐｂ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｕ等具有低的剪切强度 ,被广泛用于减摩涂层材料[1] 。大量的研究表明 ,要获得好的摩擦学性质的涂层 ,仅考虑金属材料的剪切强度是不够的 ,涂层与底材的粘着强度、涂层的厚度、涂层表面的粗糙度以及实验条件对涂层摩擦学性能都有很大的影响[2 ] 。离子注入技术可在低温下通过非平衡态键合作用实现薄膜与基底界面间的原子级混合 ,甚至可在无相互反应和互不相溶的物质之间也能完成这种过程 ,因此通过离子注入技术改善金属纳米薄膜的机械性能的研究受到人们的重视[3 ,4] 。本文报道了用原子…     

强束流脉冲钼离子注入H13钢的研究

利用国内第一台金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源引出的钼离子对H13钢进行了不同束流密度下的注入。根据以碰撞和扩散理论为基础的YJH1程序计算了钼在H13钢中的分布。背散射(RBS)证明了这种计算的合理性。电镜(TEM)分析表明:随着束流密度的增大,注入层内将有钼化物出现。最后讨论了析出的钼化物对杂质浓度深度分布的影响。     

Ba（Ti,Sn）O3陶瓷的微观结构研究

Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３陶瓷的微观结构研究唐一文王仁卉戴明星（武汉大学物理系，武汉４３００７２）近几年来，人们对居里点在室温附近的弛豫铁电体Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３产生了兴趣。它的大的、几乎无滞后的电致伸缩效应［１］，以及其优异的介电性能［２］具有良好的...     

Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系的As离子注入和退火

本文用RBS,AES,TEM和X射线衍射等实验方法,分析比较了Ni/Si,Pt/Si,Ir/Si系统在室温下As离子混合和热退火的行为.得出在Ni/Si系统中,硅混合量Q_(s1)与剂量Φ的平方根成正比,形成Ni_2Si相.在Pt/Si系中,硅混合量也与剂量的平方根成正比,先后形成Pt_3Si和Pt_2Si相.对Ir/Si系,Q_(s1)与Φ则是线性关系:Q_(s1)=aΦ+b,未测到化学相.实验表明:离子束混合能大大增强金属和硅化物的化学反应.在离子混合和退火形成硅化物的过程中,注入杂质As的分布有显著变化.     

可分散性SiO2纳米微粒的结构及摩擦学性能

目前制约纳米材料广泛应用的关键问题是化学稳定性、分散性和单分散性。制备有良好化学稳定性和良好可分散性的纳米微粒成为纳米材料研究和工业化生产的主要发展趋势。本文利用透射电镜，X射线粉末衍射仪，FT-IR光谱仪，热分析仪对作者所在的实验室合成的型号为DNS-Am的可分散性SiO2纳     

熔锥型光纤器件微观结构对光学性能的影响

针对熔锥型光纤耦合器存在的性能一致性差、损耗高和隔离度低等问题,利用耦合模方程,通过Matlab软件计算发现,光纤折射率0.02的变化可以使耦合器的分光比变化1个周期;基于分子振动理论,得出了光纤玻璃红外光谱特征峰与Si-O-Si键角的本质关联,并推导了键角、分子体积和折射率间的关系表达式;通过显微红外光谱测试发现,光纤耦合器熔锥区的折射率分布不均匀,其锥区的折射率最小,熔区次之,裸光纤最大,并且拉锥速度变化50 μm/s,折射率大约变化0.002,这将严重影响耦合器的光学性能.     

Influences of Low Energy Ion Implantation on Properties of Polyaniline／Si Heterojunction Solar Cells

Ion implantation may favorably modify the properties of polyaniline/Si heterojunction solar cells fabricated by the electrochemical method. Influences of the implantation on the absorption spectrum and the thermal stability were discussed and output properties were measured. The results show that the absorption spectrum of the polyaniline films modified by ion implantation is much wider; its pyrolytic temperature increases by 40 ℃, and the polyaniline/Si cell efficiency increases 18 and 3 times under the illumination of 10.92 and 37.2 W/m^2 , respectively.     

椭偏光谱及在离子注入硅损伤研究中的应用

介绍了椭圆偏振光谱（ＳＥ）的原理,给出了椭偏仪在离子注入半导体的辐照损伤研究中的应用和局限。研究表明,结合其它分析手段并建立精细的椭偏模型。椭圆偏振光７谱能定量测量各层结构的厚度、成分、气孔率和光学常数。     

离子注入装备发展趋势

简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。     

离子注入在铝／硅接触之间的应用

为了改善铝/硅之间非均匀性的溶解和浅结的电性能,在n型衬底上制作浅的P~+-n结,淀积Al后将B~+ 离子注入到Al-Si界面进行混合。420℃的温度中热处理10分钟。实验结果表明,注入样品结的漏电比非注入样品的漏电有明显的改善。     

HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。     

离子注入技术的发展及其应用

简述了离子注入技术的发展趋势及典型应用,并简要分析了该领域的技术发展方向。     

Modification of the Properties of CuxS Thin Films by Low Energy Ion Beam Implantation

Cu x S thin films are implanted by low energy N + ion beam. The influences of the energy and dose of N + ion implantation on Cu x S films are investigated. The results show that the ratio of copper to sulfur is increased to some extent, the constituents of the film are turned to rich copper phase from rich sulfurous phase after ion beam irradiation. X-ray diffraction spectrum and optical transmission spectra of sample have confirmed the results.     

一种提高注入效率和改善注入重复性的方法

在高剂量离子注入过程中,由于设备终端系统真空度的降低而引起注入效率降低,由此而产生注入重复性度差。作者提出,在注入前(采用粘靶工艺)将待注入的靶进行烘烤,可以克服上述情况的发生。     

GaAs VHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英寸圆片上做出的场效应管无栅饱和电流相对偏差２．３％，器件阈值电压标准偏差９８ｍＶ。用该材料做出了６７２门ＧａＡｓ超高速门阵电路，还做出了工作频率为５ＧＨｚ的除二动态分频器。