在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能的研究

本文对在铁氧体材料上镀铜厚膜工艺及其性能进行了研究，通过研究找出了在铁氧体材料上镀铜厚膜的工艺条件与膜的性能的关系，从而确定出在铁氧体材料上镀铜厚膜的最佳工艺条件。在铁氧体材料上镀铜厚膜是一个新工艺，它对提高铁氧体移相器的性能将起到促进作用，对铁氧体移相器的加工技术将产生巨大变革。本论文实验采用了磁控溅射的方法来制作铜厚膜，独立地改变实验参数，得出了随各种实验参数变化的实验曲线。     

Cu厚膜微带制作及其性能研究

本文进一步研究了新型的在大气气氛中烧结的贱金属(Cu)多层导电浆料,并采用干膜反光刻抛光微带工艺,将浆料推广应用到较高频率范围的微波集成电路。文中介绍了制作低通滤波器和混频器的实例。     

厚膜集成正交移相器的探索

本文阐述了用厚膜工艺集成正交移相器的一种研制性探索,并对其工艺过程、产品性能进行了讨论。     

钡铁氧体厚膜的制备工艺研究

采用丝网印刷方法来制备钡铁氧体(BaFe12O19)厚膜,研究了轧制时间和取向磁场强度对BaFe12O19厚膜样品的微观结构和磁性能的影响规律。结果表明,随着轧制时间的增加,所制BaFe12O19厚膜样品表面的气孔数量和大小都逐渐减小,且剩磁比和矫顽力均逐渐增加;随着取向磁场强度的增加,厚膜样品中晶粒的分布具有各向异性,且剩磁比和矫顽力均随取向磁场强度的增加而逐渐增加。     

厚膜导带材料微波性能的研究

本文讨论了国产厚膜导体材料的微波性能。用国产Au浆料和Pd—Ag浆料,通过传统的厚膜工艺,在99％Al_2O_3陶瓷基片上制作了一组特性阻抗为50欧姆的微带线。用薄膜技术制作了几条和厚膜微带线一样的薄膜微带线。使用HP8410S网络分析仪测出了频率在2～12GHz范围内各条微带线的散射参数的幅度和相位。对微带线的损耗测量值和理论值进行了比较。用台阶测试仪测绘出了微带线中心导体的截面膜厚分布图。实验结果表明:在频率8GHz下,国产Au厚膜微带线的损耗和薄膜微带线的损耗几乎相等。另外,用国产Au浆料制作了一个3dB分支线定向耦合器,器件的性能良好。     

厚膜铜导体的工艺研究

丝网印刷铜浆料,用氮气保护烧成,用1mm×400mm蛇形线测方阻,0.3mm×20mm直线作可焊性试验。铜导体方阻为1.53mΩ/□,附着力>50N/4mm~2,可焊性<1s,抗焊料浸蚀性>30次,键合能力分别为0.1N、0.15N、0.063N。     

空气中烧成铜厚膜导体浆料性能研究

在大气气氛中烧成的铜导电浆料,通过降低导电相粒子直径和改进工艺,摸索出了一套适合此材料的厚膜工艺技术,使此材料的性能有所提高。其主要指标是:方阻3～5mΩ,附着强度14N/mm~2,分辨率0.15mm,专用焊接良好。     

厚膜功率电阻的制作工艺及控制方法

本文从分析电阻浆料的性能及常用电阻图形的设计入手,对厚膜功率电阻的制作工艺进行了研究,提出了其工艺控制方法,并在实际工程中得到应用,得到了满意的效果。     

厚膜浆料的新进展

近年来厚膜浆料又有新的发展。本文着重介绍以杜邦公司为代表的世界先进国家新开发的金属有机浆料、铜系浆料、薄层金属导体浆料、介质浆料、光化学刻蚀细线浆料等目前达到的水平。     

厚膜材料和技术的发展及在MCM—C中的应用

为增强和扩展ＭＣＭ－Ｃ技术的能力，近年来已有许多种新型的厚膜材料和厚膜加工工艺被研究开发成功。充分体现这些材料，新工艺特点的各种高密度电路－－ＭＣＭ－Ｃ已经开始从研究阶段走向大批量生产阶段。本文重点介绍了厚膜材料和技术的最新发展动态及其在ＭＣＭ－Ｃ中的应用。讨论了其发展趋势。     

PDLC的膜厚对其性能的影响

用光聚合相分离的方法制备了不同厚度的聚合物分散液晶(PDLC)膜,研究了膜厚对于PDLC膜形态和电光性能各方面的影响,考察了不同厚度PDLC膜的聚合物网络形貌、饱和电压及对比度等方面。研究发现随着膜厚的增加,PDLC膜中聚合物网络的网眼分布均匀;其暗态的透过率降低,对比度明显增大;PDLC膜的饱和电压也随着膜厚的增加而升高。试验结果表明,当膜厚在30μm左右时,PDLC膜综合性能较好。     

PDLC的膜厚对其性能的影响

用光聚合相分离的方法制备了不同厚度的聚合物分散液晶(PDLC)膜,研究了膜厚对于PDLC膜形态和电光性能各方面的影响,考察了不同厚度PDLC膜的聚合物网络形貌、饱和电压及对比度等方面.研究发现随着膜厚的增加,PDLC膜中聚合物网络的网眼分布均匀;其暗态的透过率降低,对比度明显增大;PDLC膜的饱和电压也随着膜厚的增加而升高.试验结果表明,当膜厚在30μm左右时,PDLC膜综合性能较好.     

工艺因素对厚膜电阻器性能的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中电阻器在生产过程中影响其性能的主要工艺因素。其中主要介绍了陶瓷基片对电阻器性能的影响,印制工艺对电阻器性能的影响,烧结工艺对电阻器性能的影响以及激光调阻工艺对电阻器性能的影响。     

铜厚膜环行器的研制

采用新型的在大气气氛中烧结的铜厚膜多层导电浆料,应用厚膜混合技术制作了2。2GHz和2.8GHz的环行器。其性能指标可与同类型采用薄膜贵金属制作的环行器相媲美,且工艺简单,成本低及生产周期短。     

磁控溅射300 nm铜膜的电学性能研究

采用射频磁控溅射方法,在不同的基片温度Ts和偏压Us条件下淀积300 nm厚的Cu膜,用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、四点探针电阻测试仪,研究了薄膜的表面形貌和电阻率。结果表明:Cu膜的表面粗糙度和电阻率随工艺参数的改变而变化。随着Ts的升高,薄膜表面粗糙度Rrms与电阻率ρ均经历了先减小再增加的过程,在Ts<373 K时,表面扩散导致薄膜表面平滑,而当Ts>373 K时,晶粒长大诱导表面粗化;当Ts<673 K时,ρ随着Ts的增加而不断减小,但是,当Ts>673 K时,晶粒发生团聚而造成其几何形态和分布方式改变,进而导致ρ异常增加。随着Us的增加,Rrms呈现出先降低再增加的趋势,而ρ则逐渐递减。     

300 nm厚Cu膜的表面分形特征与电学性能

用磁控溅射工艺在不同的沉积温度下生长300 nm厚Cu膜.用原子力显微镜(AFM)获取薄膜表面形貌,并基于分形理论定量表征;用四点探针电阻测试仪测定薄膜电阻率.结果表明,Cu膜表面分形维数(Df)及电阻率(D)与沉积温度(T,)密切相关.随着 T,升高,Df与ρ均经历了先减小再增加的过程,在Ts<373 K时,表面扩散导致薄膜表面平滑,而当Ts>373 K时,晶粒长大诱导表面形貌复杂化;当Ts<673 K时,ρ随着Ts的增加而不断减小,而当Ts>673 K时,晶粒异常长大导致其几何形态和分布方式改变,ρ反常增加.