溅射功率对TbFeCo磁光薄膜特性的影响

研究直流磁控溅射中溅射功率对ＴｂＦｅＣＯ磁光薄膜成分均匀性、厚度均匀性、克尔旋转角θｋ和矫顽力Ｈｃ的影响。实验结果表明对于全金属互化物相（１００％ＩＭ）ＴｂＦｅＣｏ合金靶，若采用适当的溅射功率，不但能够实现高速率溅射，而且可获得较好的成分和厚度均匀性，同时溅射所得薄膜具有大的克尔旋转角和合适的矫顽力。此工艺参数被用于磁光盘的生产。     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

Co2Ag98颗粒膜中磁光克尔效应的增强

通过Ａｒ离子束溅射仪制备了Ｃｏ２Ａｇ９８磁性颗粒膜样品,并且分别在１００、２５０、４００、５００℃下进行了退火,利用磁光克尔谱仪、椭圆偏振光谱仪对上述系列样品的光学常数、复介电函数、磁光克尔参数在室温下进行了测量。实验结果表明随着退火温度的升高,磁光克尔旋转角θκ和椭偏率εκ增大,并且在Ａｇ的等离子有收边附近出现在大的类共振增强峰,峰的位置随退火温度的升高发生红移。通过实验数据分析,主种类共振磁光     

磁光记录磁畴及其热稳定性研究

磁光存储的原理是热磁记录，信息以磁畴的形式存储于记录介质中。磁畴的形貌及其热稳定性对磁光盘的存储性能有很大影响。报道了ＴｂＦｅＣｏ磁光盘磁畴形貌及其热稳定性的实验研究结果。     

非晶态铁磁柔性薄膜矫顽力与厚度的关系

研究了组成不同的非晶态铁磁柔性薄膜的矫顽力Ｈｃ同厚度的关系，Ｈｃ随着厚度减小而增高，以Ｃｏ９２Ｚｒ７Ｔｂ１薄膜增高的幅度最大。这种现象可由Ｃｏｌ９２Ｚｒ７Ｔｂ１化合物显示出最大的不规则局部各向异性加以解释。     

Al／Si_3N_4／TbFeCo／Si_3N_4磁光盘厚度定量计算方法

研究用ＸＲＦ基本参数法计算磁光盘的厚度和组成，铝层厚度用ＡＩＫα线计算，两层氨化硅厚度都采用ＳｔＫα线计算确定，磁光记录层采用ＦｅＫα，ＣｏＫα和ＴｂＬα线来确定其厚度及组成。列出了膜厚方程，可由计算机很快解出，其结果与标准符合很好。     

薄膜磁阻传感器及其应用

利用薄膜工艺和微细加工技术，将ＮｉＦｅ合金或ＮｉＣｏ合金真空蒸镀或溅射在玻璃或石英基片上，制作的磁阻传感器具有广泛的用途。     

对向靶溅射AIN薄膜的研究

本文介绍了采用对向靶溅射装置,在较低的基片温度下(<70℃)制备AlN薄膜的方法。通过控制溅射气氛和成膜速率,可以得到符合化学式量比的优质AlN薄膜。将该AlN薄膜作为磁光薄膜的光学匹配膜,使磁光克尔旋转角从0.32°增加到0.72°。     

Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究

研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱,发现通过调制样品成分和退火处理,可以大幅度调制极向克尔谱.退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强,克尔角最大值达到0.72°,这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系.     

Z型Ba3Co2Fe24O41软磁铁氧体性能的改善

研究了 Ｚ 型平面六角结构软磁铁氧体（ Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１）的相结构与烧结温度之间的关系，在一般铁氧体工艺条件下， Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１的合成温度高，成相温度范围窄，并对材料的相组成进行了表征。在甚高频段，对 Ｂａ３ Ｃｏ２ Ｆｅ２４ Ｏ４１ 的磁性能、介电性能及改善进行了深入的探讨。     

掺Rb纳米晶DyIG磁光薄膜研究

用热分解法制备的Bi，Al替DyIG磁光薄膜虽然是纳米晶，但由于其晶界分布不均匀、晶粒较大且均匀性差，当用于磁光记录时，晶界将产生较大的噪音。而掺Rb的Bi，Al替DyIG磁光薄膜不仅可以降低晶化温度，而且晶粒明显细化，最大晶粒尺寸从100nm下降到50nm左右，平均晶粒尺寸下降为30nm左右。并且晶粒的均匀性明显改善，掺入的Rb以Rb2O固溶体的形式存在于磁光薄膜表面，填补了薄膜表面的凹凸不平，使薄膜表面反射率增加，信噪比增大。因此掺Rb可使纳米晶Bi，Al替DyIG磁光薄膜的性能大大提高。     

Mn／Sb多层膜的磁性和磁光特性

用超高真空蒸发技术在GaAs(100)和玻璃衬底上生长不同厚度Mn／Sb多层膜，并经短时间热退火(～1，20min)．磁化强度测量显示具有很强的室温铁磁特性．当多层膜厚度从700l增至1600A时，饱和强度增加了近一倍，极向和纵向克尔角也增加了，但不到一倍．这表明磁化强度和克尔角两者均依赖于多层摸的厚度，但不是简单的正比于厚度的关系．增加Mn／Sb多层膜的厚度能增强饱和磁化强度和极向和纵向克尔饱和角．X射线衍射谱图结果表明高质量单晶结构的Mn／Sb多层膜能用超高真空蒸发技术生长，对较厚的多层薄膜，热退火的时间可很短(约1min)．     

磁控溅射方法制备(CoCr/Pt)20纳米多层膜及表征

采用磁控溅射方法制备了性能优良的以Pt为缓冲层的(CoCr/Pt)20纳米多层膜,研究了溅射气压对(CoCr/Pt)20纳米多层膜的微结构和磁性的影响. 结果表明，Ar溅射气压对(CoCr/Pt)20纳米多层膜的微结构、垂直磁各向异性和矫顽力有很大的影响. 所有样品的有效各向异性常数Keff＞0，具有垂直磁各向异性. X射线衍射结果显示，小角衍射峰很锐，样品有良好的周期性层状结构. 随着Ar溅射气压增加，样品垂直膜面的矫顽力增加,但样品有效磁各向异性常数减小. 原子力显微镜照片显示，随着Ar溅射气压增加，其表面平均晶粒尺寸和粗糙度均增加，这是导致多层膜的垂直矫顽力增加和有效磁各向异性常数减小的因素.     

利用MFM研究薄膜厚度对Co60Fe20820薄膜磁畴结构的影响

本文利用磁力显微镜（MFM）主要研究了由磁控溅射法制备的Co60Fe20B20软磁薄膜的厚度变化（2．5nm-400nm）对薄膜磁畴结构的影响。在室温下观察到垂直各向异性随薄膜厚度的增大而增大。从薄膜的表面形貌像观察到在溅射过程中薄膜温度随薄膜厚度增大而升高。当薄膜厚度小于20nm时，磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而增大；当薄膜厚度大于20nm时，磁畴尺寸随薄膜厚度的增大而减小；厚度在20nm附近时，畴壁尺寸达到一个最小值。     

法拉第磁光波导的耦合模分析

利用法拉第磁光效应可以设计光纤磁场传感器。在磁场传感过程中，磁光晶体薄膜波导的TE模和TM模式之间将发生转换，：其转换效率与磁光晶体的法拉第旋转角度和双折射有关。本文建立了磁光波导的耦合模方程，分析了磁光波导中的TE—TM模转换，提出了通过减小线性双折射和增大法拉第旋转角来提高TE—TM模耦合效率的措施，这些措施有利于增大光束TM模的输出功率并提高光纤磁场传感器的灵敏度。     

分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究

提出了一种新型的分布串联横向电阻Ｓｐｉｎｄｔ型ＦＥＡ的制作工艺。通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及ＦＥＡ电阻层。利用磁增强反应离子刻蚀设备，刻蚀出Ｍｏ薄膜电极图图案和直径１μｍ，深度１μｍ的ＳｉＯ２绝缘层圆孔，利用电子束双源蒸发设备，蒸发Ａｌ和Ｍｏ薄膜，得到Ｍｏ的微尖阵列，制成了分布串联横向电阻Ｓｐｉｎｄｔ型ＦＥＡ。最后得到了常规条件下可测量的场发射。     

磁光记录薄膜磁光特性参数测量的外推方法

本文采用自制的一种磁光特性测试仪器和Romberg外推算法,对于SONY公司的一种640M直接重写磁光盘,在245－350K温度范围内,获得它完整的磁光温度特性,包括克尔角与温度的关系曲线和矫元力与温度的关系曲线,其结果与理论模型仿真的结果一致。     

Ni80F20／Cu基磁性多层 自旋阀的微结构

用高分辨电子显微学及平行电子能量损失谱方法研究了Ｎｉ８０ｅ２０／Ｃｕ基磁性多层膜和自旋阀的显微结构。高分辨像显示,磁性我层膜及自旋阀均具有沿薄膜生长方向的柱晶结构。Ｎｉ,Ｆｅ,Ｃｕ和Ｍｎ元素的成分分布图显示,柱晶内仍保持完整的层状结构。沿薄膜生长方向的自旋阀元素分布曲线分析表明,ＮｉＦｅ层中的Ｎｉ元素沿柱晶晶界向相邻Ｃｕ层扩散。讨论了这些低维磁电子学材料的显微结构对磁输运性能的影响。     

电沉积La－Fe－Co合金工艺的研究

对用电沉积方法制备稀土－铁系金属合金功能性薄膜进行了初步探讨。通过对从二甲亚砜溶液中电沉积Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金的研究发现，镀液中Ｌａ３＋的含量应运高于Ｆｅ２＋及Ｃｏ２＋的含量，才能有Ｌａ沉积出来，控制镀液组成可获得含Ｌａ量在３％左右的Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金镀层，镀层外观为灰白色。工艺条件对镀层组成影响不大，电镀过程中，二甲亚砜也被还原使镀层含硫，镀液阴极电流效率仅为２０％～３０％。     

电沉积La—Fe—Co合金工艺的研究

对用电沉积方法制备稀土－铁系金属合金功能性薄膜进行了初步探讨。通过对从二甲亚砜溶液中电沉积Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金的研究发现，镀液中Ｌａ＾３＋的含量应远高于Ｆｅ＾２＋及Ｃｏ＾２＋的含量，才能有Ｌａ沉积出来，控制镀液组成可获得含Ｌａ量在３％左右的Ｌａ－Ｆｅ－Ｃｏ合金镀层，镀层外观为灰白色。工艺条件对镀层组成影响不大，电镀过程中，二甲亚砜也被还原使镀层含硫，镀液阴极电流效率仅为２０％￣３０％。