真空荧光显示管的功耗问题

确保荧光显示管在良好工作下谋求降低功耗。阴极需提供充裕电流,这是栅耗得以降低的基础条件。选用高效荧光粉,谨防受污染变质和减小阳极电阻可降低板耗。栅极靠近板极,栅丝做细,屏蔽系数取小和去掉多余边框和栅丝可降低栅耗。在同等加热功率下增加氧化物阴极丝条数和涂层厚度,熔封工艺中避免涂层受损,在１０－５Ｐａ以上的真空环境中短暂高温还原与长时间电流激活相结合获得良好阴极活性,可降低阴极功耗。     

阴极发射性能对荧光显示管亮度的影响

本文通过对造成荧光显示管亮度低的原因分析和荧光显示管发光特性的探讨,认为阴极发射性能差是影响荧光显示管亮度低的原因之一。通过采用高真空封接炉进行封接的办法,防止了阴极中毒现象,提高了阴极发射性能,从而使荧光显示管的亮度提高了一倍以上。     

FED显示驱动电路结构及其场发射特性分析

从场发射的基本原理出发,分析了影响场发射电流的内外因素。阴极表面强电场是产 生发射电流的必要条件,但像素的不均匀性和场发射特性的非线性导致无法产生精确的发射电流,由此带来了亮度调节的可控性差;阴极驱动电路作为发射电流回路的一部分,其电路结构直接影响发射电流的控制特性,分析表明电流驱动模式能对阳极束电流进行精确控制,是实现FED亮度控制的理想驱动方式。     

荧光显示管亮度均匀性的控制

论述了荧光显示管的显示原理和在显示中存在的亮度不均匀,提出了在制造过程中如何控制其亮度均匀性.     

无源OLED显示屏亮度均匀性研究

利用无源矩阵驱动原理,计算了有机发光二极管(OLED)器件中阴极和阳极电阻上的电压降.结果表明,恒压驱动条件下,电阻上的压降将产生严重的亮度不均匀性.分析表明辅助电极可以改善亮度非均匀性.采用恒流驱动及高效率的OLED可以进一步提高亮度均匀性,降低功耗.计算及分析结果与实验现象一致.     

真空荧光显示发展进入第三个十年

在低压下具有极佳亮度的真空荧光显示自1967年问世以来,其功能和特性已得到显著改善.目前以这种低功耗、长寿命真空荧光管制作的高亮度,高分辨率多色薄型显示器件已经实用化.图1所示的是一种普通真空荧光显示管的结构.其工艺流程如下:在钠钙玻璃基板上依次涂敷导电层、绝缘层和阳极层制成阳极基板.膜层制作方法通常为几次丝网印刷加烘烤处理.然后在阳极基板上用同样方法或者用电泳法制备荧光粉层.再把栅极、直热式阴极及其它金属零件固定在阳极基板上进行面板玻璃封接,最后排气及封离排气管.     

电泳工艺制备阵列场发射阴极及其性能的研究

碳纳米管是理想的场发射冷阴极材料,阴极的图形阵列化是实现碳纳米管场发射显示器动态全彩视频显示的核心.三极管结构能够更好地进行矩阵寻址显示图像,且与常规的驱动电路相兼容,降低整体平板显示器件的制作成本.从实验出发,探索利用简单的电泳工艺制备图形化碳基薄膜阴极,采用与阴极成同一水平面的栅极的三极管结构,并对电泳的实验参数进行优化以提高阴极电压电流特性和发射的均匀性等问题,为场发射器件的制造提供优良的工艺基础.研究机械球磨和稀释悬浊液浓度对碳纳米管沉积均匀性的影响.实验结果表明稀薄的悬浊液的条件下可以在玻璃的银浆导电层上沉积较薄而均匀的碳纳米管膜,与丝网印刷工艺制备的阴极相比,均匀性更好,厚度更容易控制,具有更好的发射均匀性.测试图形化的阵列碳纳米阴极的三极管结构的场发射特性,发现当阳极电压保持在600 V,栅极电压接近500 V时,阳极电流能达到2.6 mA/cm2.荧光粉发光均匀,相比二极管结构具有更低的阈值电压,在亮度、均匀性和稳定性方面都有显著的优势.     

基于电流源控制的CNT-FED驱动电路设计

本文为了实现碳纳米管场致发射显示器（CNT-FED）的产品化,采用CNT-FED阴极电流源驱动方法,研究了CNT-FED亮度的均匀性和非线性调节问题。从分立元件驱动电路设计原理出发,采用了高稳定性阴极电流源像素驱动电路,将电流源驱动电路预先制作在硅基底上,再利用室温下生长碳纳米管（CNT）的方法,将CNT发射体和电流源驱动电路集成在同一硅衬底上,最终实现了集成CNT-FED驱动电路的设计。该驱动电路解决了CNT-FED亮度均匀性和非线性调节问题,对场射显示器驱动电路的应用研究和CNT-FED驱动电路的集成化具有参考意义。本文网络版地址：http：//www.eepw.com.cn/article/276357.htm     

三极场发射显示器件的发光优化制作

结合低熔点玻璃粉密封工艺,应用钙钠平板玻璃分别形成阴极面板、阳极面板和封装面板,研发了三极结构的场致发射显示器件。阳极面板作为相互连通的发射腔和排气腔的公共端,用于产生器件显示图像;具有高平整度的阳极面板处于真空环境中,不会出现形变现象,确保了发光图像的显示均匀性。封装面板上不存在任何电极。整体封装器件制作工艺稳定、可靠且成本低廉,具有较高的显示亮度、良好的栅控特性和图形显示功能。     

含钪扩散阴极电子发射研究

采用水冷阳极平板二极管结构测试了含钪扩散阴极，结果表明，它有比其它扩散阴极更大的发射电流密度。在849℃（亮度温度），利用亚微米粉体制备的含钪阴极的功函数约为1．55eV，电子发射常数为1．126A／cm^2K^2。同时，采用米拉曲线讨论了这类阴极的欠热特性和电子发射性能。     

普通高压电源超二代微光像增强器亮度增益温度特性研究

针对匹配普通高压电源的超二代微光像增强器亮度增益在高温条件下大幅下降的问题,根据理论分析搭建了高低温试验平台,并分别对普通高压电源超二代像增强器、像增强管和普通高压电源的高低温特性进行研究。试验结果表明,匹配普通高压电源的超二代像增强器高温（55℃）亮度增益与低温（-55℃）相比衰减约65%;在阴极电压、MCP电压和阳极电压恒定的条件下,像增强管高温亮度增益仅衰减约20%,且主要是由于阴极灵敏度和荧光屏发光效率随温度升高而降低导致的;普通高压电源高温（55℃）与低温（-55℃）相比阴极电压降低约40 V,MCP电压降低约18 V,阳极电压降低约100 V,三者共同作用加剧了普通高压电源超二代像增强器高温亮度增益的衰减。因此,在高温条件下通过软、硬件的方式对电源阴极电压、MCP电压和阳极电压进行补偿是提高普通高压电源超二代微光像增强器高低温亮度增益一致性的有效手段。     

试论真空荧光显示屏技术发展

真空荧光显示屏(VFD)是由阴极、栅极和表面涂有荧光粉的阳极真空电子管发展而来的,vFD以发光亮度高、多色显示容易、显示图案灵活、视角大、可靠性高和寿命长、自发光、驱动电压低等优点而被广泛地应用在各个领域.     

真空荧光显示原理在象素管中的应用

真空荧光显示器件是一种以型显示器，它具有工作电压低，发光亮度高，寿命长，成本代的优点，其制作工艺和部分原理结构用于制作大屏幕显示用彩色象素管。本文将对此进行讨论。     

Fabrication of field emission display prototype utilizing printed carbon nanotubes/nanofibers emitters

Carbon nanotubes/nanofibers (CNTs) used as emitters, diode-type field emission display (FED) prototypes of dot matrix and character images were fabricated by low-cost techniques and equipments, respectively. The technical development in the design and fabrication of the cathode, the anode, and the panel, is described. CNTs were produced by a simple, low-cost and easily-controllable thermal chemical vapor deposition. The cathode was prepared by the screen-printing method. The field emission characteristics were enhanced by a heat post-treatment in H₂ gas atmosphere. The panel structure was packaged by a vacuum fluorescent display-like process and vacuum-sealed through an exhaust glass tube. The fully-sealed CNTs FED (c-FED) showed good emission properties. The brightness of 600 cd/m² was achieved from the yellow phosphor at a relatively low applied electric field. The developed technology has a potential practical application in c-FED.     

平面型场发射显示器的自聚焦效应

用有限差分法分析了平面型场发射显示器中的电场分布，给出了发射电子的运动轨迹，证明了在薄膜结构的平面阴极器件中存在自聚焦效应。聚焦效果取决于上电极宽度、上电极电压、阳极电压、以及阳极和上电极的间距。由于电子束的自聚焦作用，上电极和阳极的间距可以加大，因此可以使用CRT高压荧光粉，这是平面操作与微尖型器件相比具有的优点之一。     

直丝氧化物阴极零场发射电流的求定

阴极的零场发射电流反映阴极的发射本领，是设计阴极的首要指标。求定荧光显示基本单元直丝氧化物阴极零场发射电流的粗略近似方法是从其伏安特性测试数据和曲线找出饱和过渡区起点和终点电流取平均值，较严格的方法是肖特基直线外延法，使用此法时，需根据显示管的结构特殊性注意处理若干相关的问题。     

艳丽多彩的真空荧光显示屏

真空荧光显示屏是从由阴极、栅极和表面涂有荧光粉的阳极真空电子管发展而来的，VFD以发光亮度高，多色显示容易，显示图案灵敏，视角大，可靠性高和寿命长，自发光，驱动电压低等优点而被广泛地应用在各个领域。     

可驱动碳纳米管冷阴极数码管的研制

采用印刷技术实现了碳纳米管阴极的大面积、低成本制备，并采用等离子体表面改性技术来提高阴极的发射性能。在此工艺基础上，自行设计和封装了七段显示的碳纳米管冷阴极数码管，配以简单的驱动电路，实现了碳纳米管冷阴极数码管的动态显示。     

Gated carbon nanotube emitter with low driving voltage

By approaching the counter electrode to the carbon nanotubes (CNT) emitter, remarkable reduction of the cathode operating voltage has been accomplished in the under-gate CNT cathode structure. The peak emission current density of 2.5 mA/cm/sup 2/, which is sufficient for high brightness CNT field emission display, was obtained at the cathode-to-gate voltage of 57 V when the CNT-to-counter electrode gap was 2.2 /spl mu/m. The gate current was less than 10% of the anode current. The CNT cathode with low driving voltage can help the cost-effective field emission display implemented.