超高速4K单元NMOS随机存储器(MB 8211)

MOS随机存储器(RAM)作为电子计算机主存储器而大量需要的情况下,近几年来在高速化和高集成化方面部取得了很显著的进展。在高速化方面1K单元/芯片的取数时间为50～100毫微秒,在高集成化方面4K单元/芯片的MOS RAM都已进入了商品化阶段, 现在已有10余家半导体公司出售或者发表了有关4K单元RAM,其中大多数的取数时间是在300～600毫微秒的中低速范围内,目前,主要重点是放在大容量和低价格方面。然而,看来象1K单元MOS存储器那样,4K单元存储器显然也逐渐地向高速化方面前进,作为     

巨型存贮器件

在国际固态电路会议上,首次展出了1/4兆位的动态随机存贮器件(RAM)和64K位的静态随机存贮器件。东京的日本电气株式公社—东芝(NEC—Toshiba)信息系统公司和日本电信电话公社—武野藏(NTT—Musashino)电气通讯实验室都提供了256K×1位的动态RAM。NEC片子的存取时间为160毫微秒,周期350毫微秒。而NTT的存贮器用钼加速信号传     

1973年国际电子器件会议摘讯

美国贝尔实验室研制的1024单元P 沟道MOS随机存储器(MOS RAM)(Electronics.Dec.18,1972,p.29)采用电子束工艺重新生产后,使整个存储线路,包括地址、译码、读出放大器在内,可以放在一块47×71密耳~2的芯片上。这个数据较目前的MOS RAM 的面积小四倍。这个单管单元RAM 的对准精度为1微米,也是MOS RAM 的一个新记录。取数时间为45毫微秒(未改进以前,芯片取数时间为150ns,译者注),单元尺寸是栅长为4微米,接触孔为2微米见方。象以前的芯片一样,新的芯片也采     

STD总线技术手册和产品目录——STD总线工业控制机设计文件二

CPU模板(5201)5201板(见图1)提供带缓冲和经扩充的4MHz Z80A处理器,包括用于ROM和RAM的插座和10ms定时器。它是按照最佳性能价格比和可靠性为实际应用而设计的。5201板上的存贮器由用户提供的2K 字节RAM 和4K 字节 EPROM 组成,适用于小型专     

交叉耦合电荷传递读出放大器

由于MOS集成电路有高集成度、低功耗和快速的特点,近年来有越来越多的计算机用MOS RAM作主存储器。目前的生产水平已达到每个芯片有4Kb存储单元和200毫微秒的存取周期。然而这种MOS RAM还不能满足计算机的要求,特别是在集成度上。要提高集成度,除改进工艺外就需要缩小存储单元的面积。所以在存储方案上,MOS RAM有一个向单管单元发展的趋势。制作单管存储单元RAM的困难在于存储信号经过存储点电容与读出线电容间重新分布电荷后,使信号变得非常小。因此,要求有一个非常灵敏的读出放大器才能检测出存储的信号。对于一个给定的读出线长(即每根位读出线     

64K位动态MOSRAM

近年来,半导体存贮器、特别是被称作动态随机存取存贮器(RAM)的技术发展速度是非常惊人的。1K 位的MOS 动态 RAM——1103在1970年问世,以后从4K位到16K 位几乎每2年出现一代,这样一来,不仅达到了高于原来4倍的高集成化,同时亦扩大了功能。从用户方面看     

MCM7001型N-沟道MOS随机存储器——为微型信息处理机存储器设计提供新的可能性

1.MCM7001超高速MOS随机存储器 a.主要特点 MCM7001是1024字×1位(容量1K单元)的随机存储器(RAM),图1给出MCM 存储器所要求的主要功耗仅当芯选信号(CS)为高电平时才需要。在这一点上即使大的存储器系统中,其功耗也不会比被选的几个存储器大,实际上所选的存储器数量总和字长相适应的。因此,在大的存储器系统中就不存7001的逻辑图。其最大取数时间只有55毫微秒,它比同样规摸的其它MOS或双极型存储器(包括ECL双极型存储器)都快。与其它类型存储器相比,MOS器件的低功耗以及高速度成为其突出优点。表1给出三种不同类型1K单元存储器每位的功耗,取数时间及其乘积(速度-功耗积)。     

IBM PC／XT内存扩充新方法

本文通过对IBM PC/XT系统板上TBP24S10芯片编码的分析,提出了用256K×1 RAM芯片替代64K×1 RAM芯片,加之改动少量内存逻辑,即可将内存容量为256KB或512KB的IBM PC/XT扩至640KB的几种方法,并且给出了两种扩充方法所采用的TBP24S10芯片编码。     

电脑拾零

全16位数据总线性能的单板机ZT8816单板机的微处理器为NECV50,时钟为5MHZ,可运行STD—DOSV50操作系统(一种强化了的IBM PC—DOS)和现有IBM—PC软件如LOtus1—2—3等,每板有512K字节的RAM,256K字节的PROM/RAM和64K字节静态RAM、I/O通道有二个串联通道,三     

大规模集成电路的测试——介绍一台40毫微秒的半导体存贮器测试仪

大规模集成的半导体存贮器,近年来已大量应用于电子计算机,正在逐步取代占据存贮器领域二十余年的磁芯存贮器。目前广泛用作计算机主存的NMOS RAM,单片容量为4K,16K的标准16条引腿的NMOS已成为市场广泛应用的产品,而单片容量为64K的NMOS也已问世,估计不久将大量投入应用。作为高速小存用的双极型RAM,其容量一般在     

市场信息

·价格·IBM 个人计算机产品价目表A、PCI 基本配置(64K RAM,1个双面软盘驱动器)产品名称零售价(美元)·PC1系统单元(RAM 64K,1个 2,315DSDD 软盘驱动器)·中分辨率显示器 380·显示器/打印机适配器 369·总计 3,064B、PCI 扩充系统(256K RAM,2个双面软盘驱动器)产品名称零售价(美元)     

适于制造动态RAM的V-MOS工艺

开发出一种七次光刻 V-MOS 工艺,用来制造有自对准V-MOS 晶体受及平面铝栅晶体受的动态 RAM。利用4微米设计规则的光刻制版技术时,单受单元的面积为150um~2。位线上的有效信号大于200mV。读出放大器和守线驱动器的设计制造表明,这些电路决定了字、位线的最小间距。本文最后介绍一种64K RAM,采用4微米设计规则,芯片面积21mm~2。     

TRS-80扩展接口硬件手册

TRS—80扩展接口大大提高了TRS—80Ⅱ级计算机的功能和用途。有了它,就可以联接多种外部设备(“外围”)到计算机上——打印机,大容量存储设备,通信设备,声音分析器,语言识别设备,常规的I/O设备等等。同样重要的是,扩展接口可以让你增加随机存储器。这样,系统就可处理更长的程序和更多的数据。一旦你已在TRS—80中装满了RAM(16K),你可以在扩展接口中再加16K或32K,这样总存储量可达32K或48K(1K=1024存储单元或字节)。没有RAM的扩展单元的目录号为26—1140,16K RAM的为26—1141,32K RAM的为26—1142。接口提供下列接线: ·两台录音机的DIN插座,以便你从一台录音机上读出数据而写到另一台上。·行式打印机接头,以便接到Radio shack行印机或其它合适的并行接口的打印机上。·小型磁盘接头,以便接到至多四台Radio Shack的小型磁盘驱动器。·扩展线路板的接头,用于增加RS—232cC接口(或其它常规设计的PCB)时把它接到内附的接口插座中, ·总线印刷板接头,它可以把TRS—80印刷板插头上的各种信号引出来。除了上述这些联接外,扩展接口还提供一个对计算机每过25毫秒中断一次的节拍信号,这可以用来作实时钟程序的“节拍”。注意:不要把扩展接口联接到Ⅰ级TRS—80上,这两者是不能相容的。     

IBM PC/XT微型机内存容量扩充的新方法

IBM PC/XT机在系统板上安排了四排(BANK)每排九片的内存(RAM)芯片位置,均采用插座形式,每个字节为八位,另加一位奇偶校验位共九位。它采用4164即64K×1位的动态存贮器(DRAM)芯片,内存空间为64K到256K。     

RAM磁盘及其实现

用大容量RAM来模拟磁盘是提高微型机操作速度的一种实用方法。本文以一个运行在具有128K RAM的ACC-8000微型机上的RAMDISK实用程序为例,介绍在CP/M下实现RAM磁盘的方法。     

SYM-1单板机监控程序的扩充

一、SYM-1监控程序特点在一个功能较强的成熟的监控程序上扩充用户命令,以适应应用程序的需要,是提高系统设计的性能价格比的有效方法。美国SYNERTEK公司的SYM-1微型单板计算机,是以6502CPU为核心的一种功能较强的单板微型机。机上配有4KROM的超级监控程序(SUPERMON MONITOR)。它具有如下一些优点: 1.采用系统随机存贮器,存放各种转移矢量和常数,而且可用解除写保护随时改变这些量,使不同方式工作的设备控制程序都能在同一监控中实现。 2.采用多参数命令(共有0～3个参数)方式,增强了命令的功能。 3.能对RAM的2K、3K、4K分别进行写保护,     

64K MOS动态随机存储器

MOS随机存储器(RAM)通常用来做数据处理系统的主存储器。人们不断地改进它,增加存储器的位密度,缩短读出时间以及降低功耗。目前16K MOS RAM已有商品。由于尺寸和功耗方面的限制,制造64K MOS随机存储器(RAM)还存在一些困难。本文提出了一     

内存保护管理设备

H.1 概况 日本小型机公司的8021型内存保护管理设备,是将NOVA系列02型机大型机架内的内存容量扩大到128 K字时用的设备。增设此设备后可充分利用前后台处理功能而不受内存容量限制。增设MMPU不影响访内周期(仍为800毫微秒) (1)地址变换功能 MMPU具有将逻辑地址变换为实际地址的地址变换功能。借此功能,CPU和数据通道可访问实际内存(128K字)中的由32K字构成的区。包括32K字的区分为32页,每页包     

人脸识别的Boosting N-Tuple网络方法

传统的N-tuple型网络是通过对输入样本进行二值化后作N元采样形成K个RAM神经元来构成.本文为了处理实值输入的需要,将稀疏RAM神经元替换RAM神经元从而获得该类网络的一个改进版本.另一方面,基于K和N值由经验确定以致于难以控制网络规模的事实,将Boosting方法应用于改进的N-tuple网络.其结果是:1、所构造的若干基本分类器使用不同的训练集,同一个样本提交给不同基本分类器的特征也不同;2、Boosting方法可以直接应用于高维数据;3、Boosting的提升性能几乎与网络规模无关;4、应用于人脸识别时无需显式地进行人脸特征的提取和选择.     

雪崩晶体管毫微秒脉冲弛张振荡器

<正> 晶体三极管处于雪崩弛张振荡状态获得毫微秒脉冲的电路比一般雪崩晶体管毫微秒脉冲电路结构更为简单性能更为优越。本文所提供的实验电路可用来在50欧负载上获得底宽为3.5毫微秒幅度为30伏或底宽为6毫微秒幅度不小于150伏的尖顶脉冲,且脉冲前沿不大于2毫微秒。一、工作原理