△VBE测试在产线的应用

产品在封装过程中往往存在一定的缺陷需要我们在测试时加以筛选出来,而热阻对晶体管的可靠性有着重要影响,我们利用晶体管△VBE参数与热阻在一定条件下满足一定的关系,通过对晶体管△VBE参数的测试从而间接地测试热阻参数,实现对封装产品的质量控制,具有测量效率高、测试成本低、对器件无损伤等优点.文章主要描述产品在生产过程中存在...     

VBE标准及其在实时动态图像实时显示中的应用

本文介绍了视频电子标准协会(VESA)制定的VBE标准,结合该标准,通过对基于嵌入式平台的遥感图像实时滚动显示系统的三种软件实现方案进行对比,凸显了该标准的在硬件资源占用上的优势,最后,本文给出了一个基于嵌入式计算机平台和VBE标准的遥感图像实时动态显示系统的实施方案。     

基于热测试芯片的2.5D封装热阻测试技术研究

2.5D多芯片高密度封装中,多热源复杂热流边界、相邻热源热耦合增强,高精准的热阻测试与仿真模拟验证是封装热设计的关键。设计开发了基于百微米级发热模拟单元的热测试验证芯片（TTC）,并基于多热点功率驱动电路系统和多通道高速采集温度标测系统,实现了2.5D多芯片实际热生成的等效模拟与芯片温度的多点原位监测。通过将实际热测试结构函数导入热仿真软件,实现了仿真模型参数的拟合校准,采用热阻矩阵法表征多芯片封装热耦合叠加效应,实现了多热源封装热阻等效表征。结果表明,多芯片封装自热阻和耦合热阻均随着芯片功率密度的增加而提高,芯片的热点分布对封装热阻值的影响更为显著,因此模拟实际芯片发热状态、建立等效热仿真模型是实现高精准封装热仿真和散热结构设计的关键。     

△Vbe测试条件的确定方法

△Vbe是晶体管的一个重要参数,它与晶体管的热阻有一个定量的关系,它反映了管子的功耗能力,对晶体管的封装工艺及失效分析有着重要的指导意义.一直以来我公司在测试△Vbe时都是参考其它公司的测试条件,以下章节介绍了如何确定△Vbe的测试条件.以我公司的TO-220封装的某器件为例来进行试验.     

小封装二极管的热阻测试

随着封装体积的减小,半导体分立器件引线的外露部分也越来越小,这给引线温度的测试带来了巨大挑战.以封装外形为SOD-123FL的小电流整流二极管为例,介绍了结到引线的热阻和结到环境的热阻的测试方法.通过测量焊接于引线端部的小尺寸二极管芯片以及被测样品在不同温度下的热敏电压,实现了对小封装器件的引线温度和二极管本身结温的精密测量.     

采用△VBE电路的低电压参考

最近常常在讨论齐纳二极管电压参考的作用与优势。尽管齐纳二极管是一种既稳定又精确的电压参考，但它们也要求高偏置电压（通常最小为8V）。这种高偏压要求将大多数齐纳二极管参考排除在源电压为5V（或更低）的电路以外。尽管能使用低偏压齐纳二极管，但其温飘会使其不能用于精密应用中。所有半导体结构都具有对温度敏感的基本电路，因此任何半导体参考都必须采用某种形式的内置温度补偿。齐纳二极管参考即采用内部串联二极管来进行温度补偿。基一射极偏差电压电路也具有同样的温飘问题和相应的解决方案，但由于其不依靠齐纳结，因此能在较低电压上工作。     

大功率LED稳态热阻测试的关键因素

热阻值是衡量LED芯片和封装导热性能的主要参数,但在热阻的测试过程中时间、温度和电流等因素都会对结果造成直接影响,因此测试时应综合各种因素,透彻理解参数定义,根据相关标准灵活运用测试设备,以达到较高的测试精度和重复性.按照热阻测试步骤,详述影响其测试结果的因素,并提出较为准确的修正方法,设计了简单试验来验证测试结果是否符合理论分析.经试验证明,该测试方法可作为制定LED标准中的参考.     

瞬态热阻测试在贴片二极管在线测试中的应用

表面贴装整流极管的焊接质量直接影响其可靠性.提出了通过测试与瞬态热阻等价的热敏电压增量来评价焊接质量、筛选焊接不良的产品.利用TRR8000测试仪对样品进行合适条件下的在线筛选,能够有效剔出焊接不良产品,提高表面贴装整流二极管的可靠性.     

双极晶体管发射结电流趋热效应及其对结温测量的影响

研究了当双极晶体管芯片有源区出现热班时流经其发现结的电流的趋热行为及其对用ΔＶＢＥ法测量结温的影响,提出了一种快速判定器件有源区温度分布均匀性的办法。     

功率VDMOS稳态热阻测试的关键影响因素

热阻值是衡量功率VDMOS器件热性能优劣的重要参数,但在实际的热阻测试过程中,诸如测试电流、延迟时间、壳温控制等因素都会对测试结果造成直接的影响。因此,测试时应当深入理解和分析各种影响因素,依据严格的测试标准灵活的使用测试设备,以达到较高的测试精度和重复性。按照稳态热阻测试的步骤,详细论述了影响其测试结果的关键因素,并提出较为准确的修正方法,设计了针对性试验对其进行了验证。试验表明,该测试方法实现了较为精确的稳态热阻测量,可为功率VDMOS热阻测试标准的制定提供参考和借鉴。     

结构函数在大功率LED热阻测试中的应用

利用从瞬态热响应曲线中解析出的包含热阻、热容的结构函数,对大功率发光二极管(LED)传热路径上的热结构特性进行了分析.结果表明,用该方法不仅能得到器件结到环境的总热阻,更为重要的是还可从结构函数曲线图上直观地对器件各结构层的热阻进行分析,且测量重复性好,从而为评价器件的封装质量、散热性能提供直接、可靠的依据.     

微系统热阻模型研究及其应用

系统级封装(SIP)实现了高密度、高集成度封装技术,同时散热问题备受关注,热设计中芯片结温预测十分重要.本文采用有限元仿真方法,建立了一种自然对流环境下微系统热阻模型,并通过模型中热阻矩阵预测多芯片总功耗相同条件下的各芯片结温,同时利用热阻测试试验和有限元仿真方法对预测结温进行验证,结果表明热阻矩阵模型预测芯片结温与热阻测试试验和有限元仿真结果误差分别小于2%和5%.但同时发现该热阻矩阵模型的不通用性,对于总功耗变化的多芯片结温,预测结果偏差较大.通过不同总功耗下各热阻矩阵的函数关系建立拟合曲线并修正热阻矩阵模型,修正后的结环境热阻矩阵适用于不同总功率条件、各芯片不同功率条件下的芯片结温预测,预测结果与热阻测试试验中芯片结温和有限元仿真结果误差均小于5%.因此,提出的修正结环境热阻矩阵的方法可以快速且便捷地预测不同功率芯片的结温,并对器件的散热性能进行较为准确的预估.     

焊料突起（solder—bump）形式的封装,显著地降低了功率SOIC的热阻

市场上对于能够处理大电流,并且具有小型封装的高功率MOSFET器件的需求越来越大,从而促使人们去努力开发8引出端封装,使它的热特性能够超过所有其它形式的封装。新开发的封装采用突起的焊料接触点,不需要使用连接线,能够适应现有的和正在开发中的微处理器对于散热的要求。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

集成电路陶瓷封装热阻RT—JC的有限元分析

给出了采用热测试芯片的三类陶瓷封装的结到外壳热阻ＲＴ－ＪＣ的有限元模拟结果，并与测量结果进行了对比。讨论了芯片和上壳的温度分布，导热脂层对壳温分布和测量的影响。还模拟了ＲＴ－ＪＣ与芯片厚度，芯片面积，芯片粘接层热导率的关系。     

三维键合线在封装设计中的应用

1封装设计技术的发展 电子封装问世以来,先后经历了三次重大的技术转变,第一次是上世纪70到80年代,由以DIP为代表转变为以QFP为代表;第二次是在90年代初期,其标志是BGA型封装的出现;第三次发生在本世纪初,多芯片系统封装（SiP）的出现使微电子技术及封装技术进入后SoC和后SMT时代。     

IC封装中的热设计探讨

简要介绍了集成电路各项热阻的含义及热阻的测试方法,并从封装材料的热传特性、电路的封装形式以及电路的内部机械参数等方面,探讨了改善集成电路热阻的方法,供从事封装热设计的工程技术人员参考.     

功率型LED热阻测量的新方法

LED照明成为21世纪最引人注目的新技术领域之一，而功率型LED优异的散热特性和光学特性更能适应普通照明领域的需要。提出了一种电学法测量功率LED热阻的新方法，根据LED正向电压随温度变化的原理，利用电流表、电压表等常用工具，测量了TO封装功率型LED器件的热阻，对功率型LED的器件设计和应用提供有力支持。     

集成电路陶瓷封装热阻的测试方法

封装热阻是集成电路、电子器件总热阻的一部分。测试封装热阻是评估电子器件热性能的重要手段。本文提出用热试验塑封功率管作加热元件,并用热敏参数法来测量功率管的芯片温度。采用扣除法来测定封装热阻。通过对不锈钢试样的实验测试和理论计算,验证了该测试方法的可靠性。在各种工作条件下测试了多种高密度封装的热阻,得到了满意的结果。