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相似文献
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1.
优良的M-S欧姆接触,对于用Ⅲ~Ⅳ族元素化合物制造光电子器件,微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要的,本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的An-Ge合金,利用AuGeNi合金组分实现在n-GaAs衬底上的欧姆接触.并结合资料,对完成的AuGeNi/n-GaAs的低欧姆接触机理进行了分析.  相似文献   

2.
稀土系贮氢三元合金的生成焓计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用Miedema理论和几何模型计算了合金La-M,Ni-M(M=La,Ni,Co,Mn,Al,Cr,Fe,Cu,Ga)和稀土系氢三元合金系统LaNi5-xMnx(M=Co,Mn,Al,Cr,Fe,Cu,Ga)的生成焓,计算结果与已有实验结果符合得较好。结果表明,添加合金组元Mn,Co,Cr,Fe和Cu,三元合金LaNi5-xMx的生成焓有不同程度的增大,而添加Al,Ga生成焓则明显减小,讨论了生  相似文献   

3.
合金元素对Cu—P合金高温性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用Gleeble 1500高温拉伸试验机研究了添加元素Ag,Sb,Sn对Cu-P合金高温性能的影响。研究结果表,Ag能显著提高Cu-P合金在室温下的综合性能,Sb和Sn能显著提高Cu-P合金在150 ̄280℃时的强度,其中的Sn强化效果最好。但当含Sn〉5%时,会使Cu-6.5P合金的室温脆性增大。  相似文献   

4.
本文确立了一种简单、有效的制备肖特基势垒的方法──化学沉积法,并用这种方法制备出Pd—GaAs,An—GaAs和Pd—GaAs0.41P0.59肖特基势垒。实验发现,所制备的样品具有良好的开关特性,开关时间为10-1ns量级。  相似文献   

5.
在一个图G中,对于两个不相邻点u,v,用a(u,v)表示包含u和v的最大独立集的数。本文证明了:如果G是一个包含n个顶点的3-连通图,对于G中每一对满足1≤{N(u)∩N(v)|≤a(u,v)-1的不相邻楔点u,v有masx{d(u),d(v)}≥n+1/2,那么G是Hamiltonian连通的或者G属于特殊图类。  相似文献   

6.
对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了高温反偏(HTRB)、高压反偏(HRB)、高温正向大电流(HFGC)、高温存贮(HTS)4种不同的应力试验。通过HRB,φb从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大,HTS试验中φb从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明,其主要的失效模式为烧毁,同时,SEM观察中也有电徙动及断栅现象发生。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面出现模糊,有明显的互扩散和反应发生。  相似文献   

7.
对Ti/Mo/Ti/Au作为栅金属的GaAsMESFET进行了高温反偏(HTRB)、高压反偏(HRB)、高温正向大电流(HFGC)、高温存贮(HTS)4种不同的应力试验。通过HRB,φb从0.64eV减少到0.62eV,理想因子n略有增大,HTS试验中φb从0.67eV增加到0.69eV。分析表明,这归因于界面氧化层的消失,以及Ti与GaAs的反应;HFGC试验结果表明,其主要的失效模式为烧毁,同时,SEM观察中也有电徙动及断栅现象发生。AES分析表明,应力试验后的样品,其肖特基势垒接触界面出现模糊,有明显的互扩散和反应发生。  相似文献   

8.
根据混合自由能有最小值,过剩自由能有最大值(或最小值),激冷条件下产生化合物状亚稳相及共晶,分层等现象,针对Cd-Bi,Ge-Al,Bi-Sn,Cd-Sn,Ag-Cu,Al-Ga;Si-Ag,Pb-Sn和Al-Sn金属熔体推导了作用浓度的计算模型,计算结果与实测值符合较好,从而证明所提出的计算模型符合本类熔体的结构特点。  相似文献   

9.
该矿床闪锌矿分3个世代产出,从早到晚其含量铁量降低,颜色变浅,晶胞梭长α0增大,显微硬度降低。闪锌矿微量元素具有低Mn,Cd,高Ga,Zn的火山-次火山热液矿床的成因特征。从早到晚,闪锌矿的Cu,Mn,In,Ga,Auepilbtwq,Ag,Hg,Cd逐渐升高,闪锌矿的Ag,Cu含量高时可作为档Ag,cU矿化的标志。  相似文献   

10.
DesignandAnalysisoftheMechanismofFault-tolerantBackplaneBusinMultiprocessorSystemWANGShenkeLIBinCUIGangYANGXiaozong王申科,李斌,崔刚,...  相似文献   

11.
提出了在GaAs液相外延过程中,采用生长高纯度缓冲层、高温烘烤生长系统以及回熔衬底片等工艺,获得具有电参数n=1016~1017cm-3,μ=4~5×103cm2/v·s(300K)的GaAs液相外延片.总结出生长高迁移率GaAs外延片的制备方法.  相似文献   

12.
本文利用Yosuke Nagaoka的Hamiltonian和Green函数,定量地讨论了Cu-Mn合金(C=0.075at%)的s-d交换效应与准电子的反常性质。  相似文献   

13.
江西银山铜铅锌多金属矿床闪锌矿的标型特征   总被引:3,自引:0,他引:3  
该矿床闪锌矿分3个世代产出,从早到晚其含量铁量降低,颜色变浅,晶胞梭长a0增大,显微硬度降低.闪锌矿微量元素具有低Mn,Cd,高Ga,Zn的火山一次火山热液矿床的成因特征.从早到晚,闪锌矿的Cu,Mn,In,Ga,Au逐渐降低,Ag,Hg,Cd逐渐升高,闪锌矿的Ag、Cu含量高时可作为矿床Ag、Cu矿化的标志.闪锌矿的稀土元素特征与火山一次火山岩相一致,,无明显铕异常.硫同位素δ(34)S‰均值为2.31,离差小,闪锌矿包裹体成分阳离子为Na+-K-Ca(2+)+Mg(2+)型,指示矿床成矿的物质来源与火山作用有关  相似文献   

14.
CCOC:AnOptimizingCompilingSystemforConcurrentCSupportingInter-processCodeAnalysisandOptimizationMENGDan;GUOFushun;孟丹,郭福顺(Dept...  相似文献   

15.
研究了高温和大电流应力对 TiAl/ GaAs和 TiPtAu/ GaAs Schottky二极管 Ⅰ~ Ⅴ特性及对 Richardson图 的影响.研究发现,随着应力时间的增加,在 Richardson图上,对TiAl/ GaAs Schottky二极管势垒高度快速降低, Richardson常数和二极管的面积之积 SA~*也快速减少,而 TiPtAu/ GaAs Schottky二极管势垒高度和 SA~*先快速增 加,后趋于稳定常数.在Ⅰ~Ⅴ曲线上,TiAl/GaAs Schottky二极管反向饱和电流增加,TiptAu/GaAs Schottky 二极管反向饱和电流先快速减少,后趋于常数.这是由于在金属/ GaAs界面形成了金属间化合物的结果.  相似文献   

16.
目的研究短周期(GaAs)n(AlAs)n超晶格能带,通过能带了解超晶格红外光吸收性质.方法用赝势法计算超晶格能带,比较不同(GaAs)n(AlAs)n超晶格能隙随n变化的关系.结果计算表明n≤5时(GaAs)m(AlAs)n为间接能隙半导体以及能带间存在大量微带和带间交叉.结论超晶格可以用来作红外波吸收材料;相同的赝势形状因子在不同能带计算方法下给出的结果有较大差异.  相似文献   

17.
目的 研究短周期(GaAs)n(AlAs)n超晶格能带,通过能带了解超晶格红外光吸收性能。方法 用赝势法计算超晶格能带,比较不同(GaAs)n(AlAs)n超晶格能隙随n变化的关系。结果 计算表明n≤5时(GaAs)m(AlAs)n为间接能隙半导体以及能带间存在大量微带和带间交叉。结论 超晶格可以用来作红外波吸收材料;相同的赝势形状因子在不同能带计算方法下给出的结果有较大差异。  相似文献   

18.
ResearchandDesignofParallelKnowledgeBaseMachine-PKBM95¥GUOFushun;LIAOMinghong;SONGZhen;WUZhigang(郭福顺,廖明宏,宋震,吴志刚)(Dept.ofCompu...  相似文献   

19.
详细研究了ICP-AES同时测定铅钙合金中Sn,Ca,Al,Sb,As,Zn,Fe,Mn,Mg,Cr,Cd,Cu,Ag,Co和Ni等15种元素的非光说干扰和光谱干扰,建立了数学正干扰方程。采用此法分析,无须分离基体或基体匹配,就能消除基体中的干扰,并满足合金生产过程控制分析快速,准确的要求。  相似文献   

20.
On-lineTemperatureRiseMeasurementofSubmersibleMotors¥(王凤昌)(刘宝廷)(宋黎明)(姜思杰)WANGFengchang;LIUBaoting;SONGLiming;JIANGSijie(Dept....  相似文献   

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