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Tc≥400℃高温PTC陶瓷的研制 总被引:6,自引:3,他引:3
利用国产原料,采用传统的陶瓷材料制备工艺,研制了居里温度Tc≥400℃的高温PTC陶瓷,制成了居里温度Tc=412℃,电阻R≤10^3Ω,lg(Rmax/Rmin)=4的高性能PTC热敏陶瓷材料。 相似文献
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液相添加剂AST对PTCR BaTiO_3陶瓷电气物理特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究添加液相添加剂AST(质量分数w为0.4%~1.0%或摩尔分数x为1.6%~4.0%)的PTCR(Ba0.91Sr0.06Ca0.03)Ti1.01O3陶瓷材料。测量了烧结条件为1320~1380℃/0.5h陶瓷材料试样的室温电阻、R-T曲线、I-V曲线、电阻温度系数α及开关温度Tb。在实验结果基础上,讨论了AST添加量对PTCR陶瓷主要电特性的影响。得出:AST添加量增加,PTC效应变弱 相似文献
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(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了原材料、液相添加剂BN对Y3+掺杂的(Sr0.4Pb0.6)TiO3V形PTCR陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂BN能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ25和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度TC≈210℃、ρ25≤5.0×103Ω·cm、电阻温度系数α40≈13%℃-1、电阻率ρ突变比ρmax/ρmin>5.0×103的V形PTCR陶瓷材料。 相似文献
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程控电话交换机过电流保护元件用高性能PTC陶瓷的研制 总被引:3,自引:0,他引:3
阐述了高性能PTC陶瓷材料制备的基本要点,并以基方固溶体化学组成、原材料选择、复合添加物改性以及特定烧结工艺等方面开展工作,制得了居里温度为90℃左右、室温体积电阻率为30Ω·cm,电阻率突变ρνmax/ρνmin>105、电阻率温度系数α≈15%/℃、耐电压强度≥150V/mm的高性能PTC陶瓷材料。此材料制得的元件能满足程控电话交换机过电流保护的要求。 相似文献
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MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用 总被引:1,自引:1,他引:1
研究了MgO加入到含铅PTCR陶瓷中的作用。用碱土金属Mg2+对(Ba,Pb)TiO3掺杂,在1240~1300℃空气中烧结,获得工艺性能良好,烧结温度较低,电性能优良的PTCR陶瓷材料。试验结果表明:MgO的加入降低了含铅PTCR陶瓷的烧结温度,抑制了PbO的挥发。 相似文献
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Sol-Gel法制备全组分高温PTC陶瓷材料 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Sol-Gel法制备全组分高温PTC陶瓷材料,与常规固相反应法相比,对于相同配方和烧结工艺,可明显降低高温PTC陶瓷材料的电阻率,同时具有良好的PTC效应 相似文献
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采用Sb(3+)、Nb(5+)双施主掺杂并添加ASTL玻璃料,研制出限流保安器用的BaTiO3基低电阻率PTC陶瓷材料。探讨了施主杂质、受主杂质等微量元素及玻璃料对PTC陶瓷性能的影响。应用上述PTC陶瓷制作出开关温度Tb=120℃的限流保安器。 相似文献
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长波光导HgCdTe探测器的输运特性 总被引:2,自引:0,他引:2
测量了长波光导HgCdTe线列探测器在1.2~300K的电阻率-温度(R-T)特性,结果表明:高性能和低性能探测元的R-T特性明显不同,前者有与正常HgCdTe材料R-T关系相似的变化规律,后者则与简并HgCdTe材料相似.探测器的性能与最大电阻温度有对应关系 相似文献
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高温PTC陶瓷研究进展 总被引:5,自引:1,他引:4
概述了高温PTC陶瓷近几年来的研究进展,着重介绍了(Ba、Pb)TiO3高温PTC陶瓷体系中Pb对居里点移动的影响,以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展,简要论述了PTCR的唯象分析理论,展望了高温PTC陶瓷的研究前景。 相似文献
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采用液相掺杂及低温固相反应法制备了Bi掺杂BaTiO3纳米晶体,然后经烧结制得了Bi掺杂BaTiO3基PTC陶瓷。分析了所制Bi掺杂BaTiO3晶体的物相、晶粒大小及微结构,研究了烧结条件对所制PTC陶瓷电性能的影响。结果表明:Bi掺杂BaTiO3晶体在常温下为立方晶系,颗粒基本呈球形且大小均匀,粒径约为60 nm;在烧结温度为1 330℃、保温时间为20 min条件下所制PTC陶瓷性能最佳:室温电阻为26.29,升阻比为3.585×104。 相似文献
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采用固相反应法制备了0.65CaTiO3-0.35LaAlO3(CTLA)陶瓷,研究了CTLA陶瓷的物相组成、烧结特性及微波介电特性。结果表明,CTLA陶瓷只含有Ca0.65La0.35Al0.35Ti0.65O3主晶相,不存在第二相。烧结温度在1 380~1 450℃间,陶瓷的微波介电性能最佳,介电常数εr=44.5,频率温度系数τf≈0,品质因数与频率之积Q×f≈43 948GHz。当w(Nb2O5)=10%时能使陶瓷致密化烧结温度降到1 300℃,但微波性能变差,εr=38.3,τf=-2.8×10-6/℃,Q×f=13 260GHz。 相似文献
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采用传统固相反应法制备了(K0.5Na0.5)(Nb0.7Ta0.3)O3(KNNT)无铅压电陶瓷。通过XRD、SEM分析方法分别研究了预烧后粉体和烧结后样品的晶体结构和微观形貌,以及预烧、烧结条件对样品性能的影响。结果表明,预烧后的粉体和烧结后的样品的晶体结构分别为四方相和斜方相;在860~920℃预烧,选择合适的烧结温度均可获得性能优异的陶瓷样品。较佳工艺条件为900℃预烧、1180℃烧结,样品d33可达到205pC/N,kp、k33分别为45.9%、60.5%。 相似文献
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