大功率CO_2激光器非平衡态合成WO_3/Al_2O_3新型陶瓷催化剂

用大功率 CO2 激光在高温、快速、非平衡态下合成 WO3/ Al2 O3烯烃歧化反应催化剂。利用 XRD、XPS、DTA TG等技术对催化剂的性质进行了研究。表明激光合成催化剂中存在非平衡态的 Alx WO3。低于六价的钨是烯烃歧化反应的活性中心 .同时还考查了催化剂组成、激光功率及熔炼时间与丙烯歧化反应活性之间的关系。     

Al_2O_3-WO_3材料的激光合成研究

采用大功率ＣＯ２激光器合成出了Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料。测量其阻－温特性表明合成样品具有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性，微观分析结果证明激光合成样品由Ａｌ２Ｏ３、ＷＯ３、Ａｌ２（ＷＯ４）３、ＡｌｘＷＯ３四相组成，而起导电作用的是ＡｌｘＷＯ３这一非平衡反应产物。常规烧结工艺合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料所得试样没有线性的ＮＴＣ热敏电阻特性。     

激光合成Al_2O_3-WO_3系陶瓷中钨掺杂α-Al_2O_3相的研究──Ⅰ.钨对α-Al_2O_3晶格的掺杂方式

通过X射线衍射及激光拉曼光谱分析,对激光合成Al2O3-WO3系陶瓷中钨掺杂α-Al2O3相进行了深入研究,得出钨对α-Al2O3的掺杂是以替位铝形式进行的结论。     

等离子喷涂Al_2O_3陶瓷涂层的激光重熔处理

用Ｘ 射线衍射、扫描电镜和显微硬度研究了等离子喷涂Ａｌ２Ｏ３ 陶瓷涂层激光重熔处理后陶瓷熔化层的组织结构及硬度变化特征。激光重熔区亚稳相γ－ Ａｌ２Ｏ３ 转变成为稳定相α－ Ａｌ２Ｏ３;陶瓷熔化层致密、无孔隙,但存在裂纹;熔化层硬度有较大提高,且随激光能量密度的增大而增大,而与涂层设计几乎无关。此外,激光重熔能较大地提高Ａｌ２Ｏ３ 陶瓷涂层的耐磨性。     

Ti~(3+):Al_2O_3激光特性的研究

本文详细报道了Ti~(3+):Al_2O_3激光器的实验结果.用一台Q开关脉冲Nd~(3+):YAG激光器的倍频光作泵浦源,获得了677～987nm调谐范围内O.5MW的峰值输出功率和13.9%的能量转换效率的TEM_(00)模输出.对实验结果进行了分析.l     

激光合成Al_2O_3-WO_3线性热敏材料

应用大功率CO_2激光器非平衡态高温、快速合成陶瓷新工艺,合成了Al_2O_3-WO_3系线性NTC热敏材料。并从激光合成工艺、材料组成、热老化、材料的抗氧化性及耐酸碱性等方面对合成陶瓷材料进行了试验。     

大功率CO_2激光合成WO_3／Fe_2O_3新型陶瓷催化剂──Ⅰ．WO_3／Fe_2O_3烯烃歧化反应催化剂的合成及性质

用大功率ＣＯ_２激光合成出ＷＯ_３／Ｆｅ_２Ｏ_３新型烯烃歧化反应陶瓷催化剂分析。表明，该陶瓷催化剂的组成相为Ｆｅ３Ｏ４，ＦｅＷＯ４及ＷＯ３。它是一种多孔的，晶粒大小为μｍ级的陶瓷品，Ｆｅ３Ｏ４相中含有杂质钨，其氧化态低于＋６价，为该类催化剂具有烯烃歧化反应催化作用的主要活性中心。     

CO_2激光合成陶瓷的研究

本文介绍了用CO_2激光合成Al_2O_3、Al_2O_3-5％mol Cr_2O_3固熔体,Al_2O_3-20％wtZrO_2(+3％molY_2O_3)混合体和Al_2(WO_4)_3陶瓷材料的方法。激光合成的Al_2(WO_4)_3为Al_2O_3-WO_3二元平衡相图中不存在的新化合物。对激光合成的陶瓷材料进行了组织形貌分析,并测量了其显微硬度,发现用激光合成的陶瓷较用昔通工艺制备的同种陶瓷有更高的硬度。     

日本α－Al_2O_3粉体进展

综述了日本近１０多年来α－Ａｌ２Ｏ３粉体的发展状况。特别介绍了日本对α－Ａｌ２Ｏ３粉体的标准化工作。这对提高电子陶瓷等产品的质量是非常重要的。     

Ti:Al_2O_3晶体色散量的计算

给出了在布氏角切割的情况下，光以布氏角入射时，Ti：Al_2O_3晶体群速度色散量计算的新方法     

厚膜集成精密线性热敏电阻器及其应用

介绍厚膜集成ＮＴＣ热敏电阻器的设计原理、主要特性和特点。在０～１００℃的温区内，线性偏差≤０．２５％，灵敏度为４０～５０Ω／℃，互换精度达±０．５℃。为家电产品和生产设备的数字化和微机化推出了新型ＮＴＣ元件。     

射频激光对氧化铝陶瓷基片划片的研究

分析了RFCO2激光陶瓷基板划片的机理及工艺参数选择的原则。通过数值模拟和实验,分析了脉冲频率、脉冲宽度、划片速度、辅助气压大小、离焦量等工艺参数对激光划片质量的影响。     

准连续Ti~(3+):Al_2O_3可调谐激光的研究

本文给出了Ti~(3+):Al_2O_3的准连续可调谐激光的实验结果。采用Nd:YAG内腔倍频532nm的准连续输出作为泵浦源,得到Ti~(3+):Al_2O_3的连续可调谐输出。波长覆盖范围为685nm到821nm。最大输出功率为293mW,斜率效率为20％,在805nm处的窄谱输出功率达240mW,总体转换效举为26％。     

氧化铝陶瓷基片CO2激光钻孔最佳条件之探讨

利用ＣＯ２激光连续脉冲频率的快慢,平均功率的大小,加上辅助空气吹气压力的变化及其之间的交互作用,来探讨氧化铝陶瓷基片钻孔的最佳模式     

99Al2O3陶瓷的烧成工艺

以两种结构的99Al2O3陶瓷的烧成为例,研究了烧成工艺对烧成结果的影响,分析了99Al2O3陶瓷烧成时开裂的原因,并提出了有效的解决方案.     

Bi2O3对Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3低熔玻璃结构和性能的影响

采用传统的熔淬技术制得了低熔Al2O3-ZnO-Bi2O3-B2O3玻璃,研究了玻璃结构、玻璃特征温度、线膨胀系数(α1)以及密度随Bi2O3含量的变化关系.结果表明:随着Bi2O3含量的增加,玻璃网络中[BO4]取代了部分[BO3],玻璃网络中出现Bi-O结构,玻璃中非桥氧的数量也逐渐增多;软化温度(ts)、玻璃化温度(tg)都是先上升后下降,而线膨胀系数先减小后逐渐增大,玻璃密度先是线性增加,然后增加趋势变大.     

K2O-B2O3-SiO2/Al2O3LTCC复合基板材料性能研究

采用K2O-B2O3-SiO2玻璃与Al2O3复合烧结,制备了K2O-B2O3-SiO2/Al2O3低温共烧陶瓷(LTCC)复合基板材料,研究了不同组分含量对体系微观结构和性能的影响。结果表明,复合基板材料的相对介电常数εr和介质损耗均随着Al2O3含量的增加而增加,当Al2O3质量分数为45%时,复合基板材料的介质损耗为0.0085,εr为4.55(1MHz)。抗弯强度可达到160MPa。     

钙铝硼硅玻璃/氧化铝复合材料性能研究

通过高温熔融法制备的CaO-Al2O3-B2O3-SiO2玻璃粉末与α-Al2O3粉末按照质量分数50:50混合,烧结制备了钙铝硼硅玻璃/氧化铝系低温共烧陶瓷材料,研究了烧结温度对复合材料的物相组成、微观结构、力学性能及介电性能的影响.结果表明,875℃烧结制备的复合材料性能最佳,抗弯强度为164 MPa,介电常数为7.8,介电损耗为0.001 3,热膨胀系数为5.7×10-6/℃,具有良好的综合性能,可用作低温共烧陶瓷基板材料.     

Al2O3陶瓷激光铣削试验研究

采用Nd∶YAG脉冲激光器对Al2 O3陶瓷进行铣削加工试验。系统研究了工艺参数对铣削量和铣削面质量的影响规律 ,并利用优化的铣削工艺对Al2 O3陶瓷进行多种形状的铣削加工。     

玻璃粉料粒度对B-Al-Si/Al2O3性能的影响

通过改变球磨时间,得到不同粒度的B2O3-Al2O3-SiO2(简称B-Al-Si或BAS)玻璃粉料。在玻璃粉料中混入质量分数为40%的Al2O3陶瓷粉末,用流延法制备了低温共烧BAS/Al2O3玻璃/陶瓷复相材料。研究了烧结温度和玻璃的粒度对复相材料的烧结性能、介电性能和热稳定性的影响。结果表明:在800～900℃,材料致密化后析出钙长石晶体;球磨1h的玻璃粉料与w(Al2O3)40%混合烧结的复相材料的性能最优,850℃保温30min后,于10MHz测试,其εr=7.77,tanδ=1×10-4;扫描电镜显示其微观结构致密,有少量闭气孔。