NTB54xxN：功率MOSFET

安森美半导体推出8款新的MOSFET器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET适用于直流马达驱动、LED驱动器、电源、转换器、脉宽调制（PWM）控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域（SOA）,新的MOSFET器件提供额外的安全裕量,避免应用受未预料的电压瞬态影响。     

峰值箝位保护器件及其应用

峰值箝位器件由Transil^TM和高压二极管组成，该器件的作用是防止回扫变换器中MOSFET漏极电压超过给定限制。中介绍峰值箝位器件的特性和应用。     

Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族

日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,其E系列器件新增650 V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装,将10 V下的导通电阻扩展到30～600 mΩ,将最高电流等级扩大为6～105 A。650 V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术,针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用,Vishay     

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优     

国产中高压抗辐照功率MOSFET单粒子效应

功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)空间使用时易遭受重离子轰击产生单粒子效应(单粒子烧毁和单粒子栅穿)。本文对国产新型中、高压(额定电压250 V,500 V)抗辐照功率MOSFET的单粒子辐射效应进行了研究,并采取了有针对性的加固措施,使器件的抗单粒子能力显著提升。结果表明：对250 V KW2型功率MOSFET器件进行Bi粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到250 V;对500 V KW5型功率MOSFET器件进行Xe粒子辐照,在栅压等于0 V时,安全工作的漏极电压达到400 V,并且当栅压为-15 V时,安全工作的漏极电压也达到400 V,说明国产中、高压功率MOSFET器件有较好的抗单粒子能力。     

TPCA80xx-H系列MOSFET

TPCA8045／46／47／48／49／50和51-H系列MOSFET提供了电压为40V、60V和80V的一系列器件,它们适用于移动通信应用中的隔离式DC／DC总线转换器所用到的初级侧开关。这些N沟道器件也可以用于非隔离DC／DC转换器。     

中等电压MOSFET器件

飞兆半导体公司扩展PowerTrench MOSFET系列,这些产品属于中等电压MOSFET产品系列成员,是结合低栅极电荷、低反向恢复电荷和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品,可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款,     

NTD48xxN：功率MOSFET

ONSemiconductor推出12款新的功率MOSFET器件,优化直流／直流（DC／DC）转换,并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关,如中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）和系统输入端的DC／DC转换。     

一个适用于模拟电路的深亚微米SOIMOSFET器件模型

从数值解源端和饱和点的表面电势出发 ,考虑模拟电路对 SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变 ,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型 .同时包含了深亚微米 SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应 (DIBL )、速度饱和效应、自热效应等 .这个模型的参数相对较少并且精确连续 ,能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求     

基于0.13μm工艺的1.5V低功耗MOSFET器件设计

针对0.13μm工艺常规MOSFET器件的制备流程进行了分析,提出了低功耗工艺改善方法,并针对优化工艺条件下的器件进行TCAD仿真,设计并进行了完整的DOE实验及样品性能测试。测试结果表明,通过调整轻掺杂漏区(LDD)的离子注入条件,冠状离子注入区的角度、浓度以及沟道阀值电压离子注入区浓度等一系列方法,实现了0.13μm工艺1.5 V MOSFET器件关断条件下漏电流低于1 pA/μm。     

工作电压1.8V的功率MOSFET——系列器件为便携式设计中的低电压应用扫清了障碍

十二种新型的Little Foot MOSFET系列产品据称是业界首批工作电压低到1.8V的功率MOSFET。由于解决了在低电压下负载切换的问题,这种P通道晶体管显然扫除了移动通信和计算应用中低系统电压的开发过程中所遇到的障碍。 根据生产厂家的介绍,这些器件还提供了在1.8、2.5和4.5V栅极电压下业界极低的接通电阻。例如Si4465DY,4.5V时R_(DS(on))=9mΩ,2.5V时为11 mΩ,1.8V时为16mΩ。这些值比现有的器件提高了35％。 MOSFET有单管和双管两种,其漏源电压的额定值为8V或12V。器件有8引     

一种新型的常通型GaN HEMT器件

对新型常通型GaN HEMT器件的特性和参数进行了研究。阐述了其静态特性、动态特性及电流崩塌问题。针对其动态特性,与相近规格的Si MOSFET器件（TK2Q60D）在开通、关断时间与栅源电压的关系方面进行了对比,探讨了常通型GaN HEMT器件在不同输入电压和不同开关频率下的电流崩塌现象,并采用Boost电路,对常通型GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的最高工作频率能力进行了对比。实验结果表明,常通型GaN HEMT器件具有更高的工作频率,且工作频率的升高不影响电流崩塌现象。     

超结MOSFET功率器件的终端技术分析

为了改善超结MOSFET功率器件的终端击穿特性,提出了一种平面结终端技术,应用柱坐标下的泊松方程证明了这种技术的可行性。提出了超结功率器件终端技术的工艺实现方法并分析了终端结构的电压特性,使用这种超结终端技术仿真得到了一个600V的Coolmos。利用2维仿真软件Medici讨论了终端p柱的数量和宽度因素对击穿电压和表面电场的影响。结果发现,采用变间距的超结结构本身就可以很好地实现超结MOSFET功率器件的终端。     

125V、2A、半桥MOSFET驱动器

Maxim Integrated Products推出高压、高速、半桥MOSFET驱动器：MAX5062／MAX5063，能够驱动高边和低边n沟道MOSFET。MAX5062A和MAX5063A分别与工业标准器件HIP2100和HIP2101引脚兼容。与其它同类竞争产品最大105V的工作电压相比，这两款器件的高边引脚(HS引脚)可工作在高达125V电压下。利用它们来做电源设计，输入电压的最大值为125V，从而为要求必须能承受100V或更高输入瞬态电压的电信设备电源提供了充分的安全裕量。     

快捷拓展业界领先的BGA封装产品

快捷半导体公司扩展了其新型BGA(球形栅阵列)、封装MOSFET产品系列,共推出了十一种新型MOSFET,它们的性能-占位面积比在业界领先。这些产品包括单器件和共漏极双器件,均有N沟道和P沟道两种类型。 这些新器件的击穿电压在20V至30V之间,最大RDS(on) 在75毫欧至2.9毫欧之间,门驱动电压仅有2.5V。P沟道单器件可用于各种负载管理产品,而N沟道单MOSFET最适合DC/DC转换器及负载管理产品使用。     

1200V大容量SiC MOSFET器件研制

采用平面栅MOSFET器件结构,结合优化终端场限环设计、栅极bus-bar设计、JFET注入设计以及栅氧工艺技术,基于自主碳化硅工艺加工平台,研制了1200V大容量SiC MOSFET器件.测试结果表明,器件栅极击穿电压大于55V,并且实现了较低的栅氧界面态密度.室温下,器件阈值电压为2.7V,单芯片电流输出能力达到50A,器件最大击穿电压达到1600V.在175℃下,器件阈值电压漂移量小于0.8V;栅极偏置20V下,泄漏电流小于45nA.研制器件显示出优良的电学特性,具备高温大电流SiC芯片领域的应用潜力.     

在500V电压等级的AC／DC应用中最优化平面型MOSFET与超大结MOSFET的竞争

仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。     

低Rds(on)P沟道技术

功率MOSFET常用于便携和无线产品中，其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用，功率MOSFET最重要的特性便是其漏极－源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命，提高功率转化效率。同时，便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小，因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来，为同时减小Rds(on)和封装尺寸，生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进，功率MOSFET是典型的立式器件，漏极位于芯片的底部，源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成，先进行一次体…     

IR完成DC/DC转换器用MOSFET发展计划的第二阶段

IR针对DC/DC转换器发展功率半导体器件和集成电路,已推出了五十多种新的功率MOSFET器件,这些器件可以提高多种电路的低电压隔离式DC/DC转换器及降压DC/DC转换器的效率。用于功率转换的新型专用MOSFET和集成电路可以用于输出电压为1.6V、输出电流高达40A以上的多相降压转换器。新的IRF7901D1包含两个MOSFET,用于输出1V的高效率降压转换器,利用它可以把1V的     

采用高压条带技术的MOSFET

ViShaY推出下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件,这些新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36A电流,采用多种封装。