BST薄膜铁电移相器研究进展

钛酸锶钡(BST)薄膜因其具有高的介电调谐量,相对低的损耗tgδ和快的开关速度,在微波移相器的应用中显示出巨大优势。介绍了改善BST薄膜的介电性能的有效方法,衬底材料的选择,以及BST薄膜铁电移相器的结构类型和研究进展。     

基于铁电薄膜材料的反射式移相器设计

本文提出了一种基于正交耦合器和BST可调电容器的反射式移相器的设计.BST材料的介电常数随偏置电压所提供的不同的静电场而发生变化.因此,通过控制外部电压,可以连续地获得有效的变化介电常数和移相器的反射相位.利用PLD技术实现了0.3μm厚的BST薄膜,并采用微加工和氧化铝衬底组成的可调谐电容来测试其微波性能.通过将耦合...     

一种新型BST薄膜移相器的电路设计

采用铁电材料钛酸锶钡(BST)的薄膜移相器以其成本低廉、响应速度快、频带宽、体积小、重量轻、控制简单等诸多优点而引起关注.本文对BST薄膜移相器的设计模型进行研究分析,提出了一种新型的电路结构,在BST材料移相器的大移相量和尽可能低的损耗一对矛盾中找到一个平衡点.并通过ADS仿真验证了这一新型电路.     

Ka波段五位分布式MEMS传输线移相器设计

通过在共面波导上周期性地加载分布电容,外加驱动电压改变电容值,实现分布式MEMS移相器。首先给出了5位分布式MEMS移相器的总体结构图,分析了理论参数的设计方法。再采用HFSS建立单个微桥的三维电磁仿真模型,利用仿真得到的S参数拟合微桥的up态和down态电容值并与理论设计电容值对比,确定MEMS桥精确的结构参数。最后采用ADS建立分布式MEMS移相器整体的微波等效电路,仿真得出移相器的性能指标参数。仿真结果表明移相器在35GHz时移相精度小于0.6°,移相器的插入损耗小于0.3dB,回波损耗大于25dB。     

X波段360°模拟移相器的设计

介绍了变容管反射式360°模拟移相器的设计,对相位与调制电压的线性关系作了分析。制成的模拟移相器采用计算机辅助设计,使用了超突变结变容管管芯和微波集成电路工艺。在9.3～9.7GHz范围内可获得360°连续可变相移,调相电压20V,线性偏离优于±5％,中心频率上的偏离优于±3％,插入损牦随相位的变化3dB。     

X波段移相器铁氧体材料研制

本文叙述了Ｘ波段移相器材料的研制，给出了材料配方，工艺过程，铁氧体材料参数和器件性能，为三公分小型移相器提供了优良的铁氧体材料。     

MOCVD制备PbTiO3铁电薄膜的研究

由于在动态随机存储器、传感器和探测器等器件中的应用，使铁电薄膜的备成为研究热点。本文报道了利用低压ＭＯＣＶＤ工艺分别在（００１）取向ＳｒＴｉＯ３和重掺杂硅单上制备ＰｂＴｉＯ３电薄膜的工作。通过Ｘ射线衍射、ＡＦＭ和Ｒａｍａｎ光谱对薄膜的微结构进行分析，在ＳｒＢｉＯ３衬底上获得了单畴多畴等几各 态，从实际上证实了铁电薄膜中的形成莫厚度有关；得到了铁电薄膜令痊面台阶生长的实验证据，对薄膜的晶格畸变，晶格     

基于ADS仿真设计X波段五位数字移相器

介绍了利用ADS进行X波段五位数字移相器的设计。描述了PIN管的开关特性、X波段五位数字移相器的电气特性、原理、电路设计及仿真情况。移相器采用PIN管管芯作为开关元件,5个移相位将呈线形级联布置。均方根相位误差小于3°,插入损耗在1.7~2.9 dB之间,回波损耗小于15 dB。仿真结果,满足要求。     

C波段高功率铁氧化移相器的研制

介绍了一种高功率、低电流的铁氧体移相器。在１０％带宽内，其承爱的平均功率能达到１００Ｗ。磁化峰值电流只需７Ａ。该器件已应用于舰载雷达平面陈阵列线中。本文叙述了突破高功率、低电流两项关键技术的方法和途径。     

一种新型铁电体移相器

介绍了一种用于相控阵雷达的新型铁电体移相器,利用有限元方法对铁电体材料加载波导移相器进行了分析,给出了计算结果。最后讨论了铁电体移相器设计中几个值得关注的重要问题。     

铁电薄膜的厚度对其相变性质的影响

当铁电薄膜的厚度改变时,利用平均场近似方法,研究了基于横场伊辛模型的铁电薄膜的相变性质。在文中利用数值计算方法计算了不同厚度的铁电薄膜的相图和居里温度。研究结果表明,厚度对铁电薄膜的相图会产生明显的影响,但对居里温度则几乎没有影响。     

Ferroelastic Strain Induced Antiferroelectric‐Ferroelectric Phase Transformation in Multilayer Thin Film Structures

Coupling effects among mechanical, electrical and magnetic parameters in thin film structures including ferroic thin films provide exciting opportunity for creating device functionalities. For thin films deposited on a substrate, their mechanical stress and microstructure are usually determined by the composition and processing of the films and the lattice and thermal mismatch with the substrate. Here it is found that the stress and structure of an antiferroelectric (Pb_0.97,La_0.02)(Zr_0.90,Sn_0.05,Ti_0.05)O₃ (PLZST) thin film are changed completely by a ferroelastic strain in a magnetic shape memory (MSM) alloy Ni‐Mn‐Ga (NMG) thin film on the top of the PLZST, despite the existence of the substrate constraint. The ferroelastic strain in the NMG film results in antiferroelectric (AFE) to ferroelectric (FE) phase transformation in the PLZST layer underneath. This finding indicates a different strategy to modulate the structure and function for multilayer thin films and to create unprecedented devices with ferroic thin films.     

铁电薄膜材料I-V特性的测量

介绍了测量铁电材料Ｉ－Ｖ特性的原理和电路,并对ＰＹＺＴ铁电薄膜试样进行了电滞回线和Ｉ－Ｖ特性的测量,指出铁电材料具有其特有的Ｉ－Ｖ特性曲线。因此,有无铁电体Ｉ－Ｖ特性曲线不仅可以判断该材料是否为铁电体,还可判断铁电材料性能的好坏,如极化强度和矫元场大小,对称性等。     

射频微机械移相器

MEMS技术显示了其在微波领域的巨大应用潜力.利用RF MEMS开关制造的RF MEMS移相器具有插损小、功耗低、宽带宽、体积小等优点,因此成为研究的热点.本文对国际上RF MEMS的研究和发展进行了比较全面的综述,并介绍了DMTL移相器,该移相器在DC～30GHz范围内具有较好的线性度,在20GHz时相移为0°/11.6°/32.6°/48.5°,反射损失好于-11dB,插损小于-1.8dB.最后分析了各种移相器的特点和设计、制造的难点,对MEMS移相器的发展进行了展望.     

X波段4位数控移相器MMIC研究

采用0.25μm GaAs FET芯片工艺成功制作了X波段4位数控移相器MMIC,对该数控移相器MMIC集成电路的设计、工艺制作过程做了阐述,并给出了实际测试参数.电路设计采用了高低通滤波器式移相器拓扑,串联FET与并联FET组合的电路方式.结果表明,在7.5～8.7 GHz频段内插入损耗≤7 dB,电压驻波比≤1.8∶1,开关时间≤30 ns,移相精度22.5°±2°,45°±3°,90°±3°,180°±3°,所有状态均方根移相误差≤5,控制电压-5 V或0 V.     

溶胶一凝胶工艺对PZT铁电薄膜结构的影响

本文阐述了用溶胶一凝胶法制备锆钛酸铅（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺参数对薄膜结构的影响。实验表明，采用合适的工艺参数能制备出具有钙钛矿型结构的ＰＺＴ铁电薄膜。     

一种铁氧体移相器控制系统的设计

首先,阐述了一种铁氧体移相器控制系统,包含波控与移相器驱动电路两部分;然后,由项目设计角度出发,详细介绍了基于FPGA的波控电路设计方法,以及移相器位数与单位脉宽的关系;最后,阐明了移相器工作原理和移相器驱动电路的构成.     

PZT铁电薄膜的反应离子刻蚀研究

介绍了一种刻蚀效果良好的PZT铁电薄膜反应离子刻蚀方法.利用深反应离子刻蚀设备研究了反应离子刻蚀中刻蚀气氛、刻蚀功率及刻蚀气体流量等因素对PZT薄膜刻蚀效果的影响.实验结果表明,刻蚀气体采用SF6、刻蚀功率为250 W、SF6/Ar总流量为25 cm3/min(其中SF6:Ar为20:5)时刻蚀效果最优.利用优化后的工艺条件制作出可用于铁电存储器的铁电电容并测试其电学特性,得到了较理想的电滞回线和漏电流.