内皮抑制素与角膜新生血管

随着对角膜新生血管（comealneovascularization,CNV）研究的深入,许多有希望的抗血管生成药物出现。越来越多的研究发现内皮抑制（endostatin,ES）对新生血管内皮细胞增殖有特异的抑制作用,长期使用无毒副作用,是目前理想的抗新生血管形成的生物制剂。本文阐述了ES的结构、生物特性、作用机制及在CNV方面的研究进展。     

酪氨酸蛋白激酶抑制兔角膜新生血管的实验研究

目的：探讨酪氨酸蛋白激酶抑制剂sunitinib对碱烧伤诱导的兔角膜新生血管的抑制作用。方法：采用碱烧伤法诱导兔角膜新生血管模型。将30只新西南大白兔随机分为3组,A组：给予0.5mg/ml sunitinib滴眼,B组：给予1mg/ml sunitinib滴眼,C组：给予生理盐水滴眼作为实验对照组。于碱烧伤后4d、7d、14d显微镜观测新生血管长度及面积。在4d、14d时各组处死4只兔,角膜作病理分析和免疫组织化学法测定血管内皮生长因子（vascular endothelial growth factor,VEGF）的表达。结果A、B组的角膜新生血管长度及面积均显著少于C组（p〈0.01）;A、B组VEGF蛋白表达较C组弱,具有统计学差异（p〈0.01）;结论：酪氨酸蛋白酶抑制剂sunitinib能降低兔角膜碱烧伤后角膜VEGF的表达,有效抑制角膜新生血管的形成。     

黄蜂刺伤角膜新生血管与肥大细胞关系的电镜观察

观察黄蜂刺伤角膜后产生的肥大细胞与角膜新生血管（corneal neovascularization，CNV）的关系，为探索黄蜂刺伤角膜致盲的发生提供形态学依据。取黄蜂刺伤角膜组织，常规透射电镜样品制备及透射电镜观察。发现角膜固有层内出现肥大细胞及产生新生血管，肥大细胞可迁移至新生血管附近，肥大细胞多呈显著脱颗粒。黄蜂刺伤角膜经蜂毒作用后产生的肥大细胞促进了角膜新生血管的形成，是致盲的主要因素。     

CO_2激光矫正角膜屈光的实验研究

本文介绍用聚焦ＣＯ２激光对角膜屈光度手术矫正的实验研究系统。通过动物实验得出了最佳矫正的激光参数，证明用此法可对近视眼屈光度进行手术矫正，还探讨了屈光度手术矫正的机理。     

ZnPcS4-BSA光动力疗法治疗大鼠脉络膜新生血管的研究

目的:探讨新型光敏剂ZnPcS4-BSA(四磺酸酞菁锌与牛血清白蛋白的配合物)介导的光动力疗法对脉络膜新生血管的疗效及应用前景.方法:每只BN大鼠一眼作为实验眼,另一眼作为对照眼,在间接检眼镜下用氩激光光凝视网膜,于光凝后14、21、28天时行眼底光学相干断层扫描(OCT)和荧光血管造影(FFA)等检查.光凝21天后,进行光动力治疗(PDT),照射能量密度为50J/cm2,PDT1和PDT2两组分别以ZnPcS4-BSA和ZnPcS4为光敏剂,于治疗后24小时和7天进行眼底镜,OCT和FFA等检查,检查后作组织病理学光镜和电镜的观察.结果:光凝后14天时,OCT检查见光凝斑视网膜变薄,脉络膜反射被遮蔽,FFA见少量荧光素渗漏,光镜检查见视网膜神经层变薄.光凝21天后,OCT检查见光凝斑视网膜色素上皮(RPE)层和脉络膜毛细血管层反射光带增厚,光凝后21和28天时,FFA检查分别有55%和35%的光斑有点状荧光素渗漏,光镜检查有脉络膜新生血管形成.PDT1和PDT2组治疗后24h FFA检查CNV各有30%和25%被封闭,7天后各有60%和45%,两组间总的有效封闭率有显著性差异.光镜和电镜检查,PDT2组比PDT1组视网膜色素上皮细胞损伤更为严重.结论:ZnPcS4-BSA介导的光动力治疗一周后能有效地封闭脉络膜新生血管,比用ZnPcS4介导的光动力治疗效果更好.     

低功率CO2激光血管焊接机的微机控制系统研究

本文介绍了采用微机控制的低功率CO2激光血管焊接机的研究，该设备可实现激光工作参数的预置、自动检测与控制、数字显示和打印激光焊接记录。     

BPD-MA光动力作用对膀胱癌细胞凋亡及bcl-2蛋白表达的影响

目的:研究激光活化BPD-MA光动力诱导肿瘤细胞凋亡及其可能机制。方法:应用流式细胞仪分析BPD-MA光动力作用后细胞凋亡及免疫组化染色检测凋亡相关蛋白bcl-2蛋白表达水平。结果:激光活化BPD-MA光动力实验组人膀胱癌细胞株BIU-87凋亡发生率达26.11±2.59%,与对照组相比,差异非常显著性(P<0.01);光动力作用后膀胱癌细胞线粒体相关调控蛋白bcl-2表达显著低于对照组(P<0.05)。结论:激光活化BPD-MA光动力作用具有诱导人膀胱癌细胞株BIU-87凋亡的生物效应,而线粒体相关调控蛋白bcl-2表达水平的降低可能是激光活化BPD-MA光动力诱导人膀胱癌细胞株BIU-87凋亡的重要机制之一。     

I2C串行总线原理及其在单片机接口中的实现

本文介绍了I~2C总线的结构规程及原理,并以串行EEPROM存储芯片AT24C02为例,给出了在INTEL8031上利用I/O口实现I~2C总线的方法。     

Sm3+掺杂量对Co2Z六方铁氧体磁性能的影响

用普通陶瓷工艺制备了3BaO·2CoO·xSm2O3·(10.8–x)Fe2O3六方铁氧体,研究了Sm2O3掺杂量对Co2Z六方铁氧体在特高频段(0.3~3.0GHz)下的复磁导率频谱特性的影响。结果表明:Sm3+掺杂量x达到0.025时,材料在特高频段的磁性能得到改善,μi为16,截止频率为1.67GHz。     

A Facet‐Dependent Schottky‐Junction Electron Shuttle in a BiVO4{010}–Au–Cu2O Z‐Scheme Photocatalyst for Efficient Charge Separation

Interfacial charge separation and transfer are the main challenges of efficient semiconductor‐based Z‐scheme photocatalytic systems. Here, it is discovered that a Schottky junction at the interface between the BiVO₄ {010} facet and Au is an efficient electron‐transfer route useful for constructing a high‐performance BiVO₄{010}–Au–Cu₂O Z‐scheme photocatalyst. Spectroscopic and computational studies reveal that hot electrons in BiVO₄ {010} more easily cross the Schottky barrier to expedite the migration from BiVO₄ {010} to Au and are subsequently captured by the excited holes in Cu₂O. This crystal‐facet‐dependent electron shuttle allows the long‐lived holes and electrons to stay in the valence band of BiVO₄ and conduction band of Cu₂O, respectively, contributing to improved light‐driven CO₂ reduction. This unique semiconductor crystal‐facet sandwich structure will provide an innovative strategy for rational design of advanced Z‐scheme photocatalysts.