汽车导航用压电振动陀螺

村田制作所采用压电陶瓷双晶片式振子 ,开发了结构简单的、用于汽车导航的压电振动陀螺。其性能指标如下 :工作电压 (dc) :5 V± 0 .5 V温度漂移 (max) :9(°) /s耗　　电 (max) :1 5 m A *响　　应 (max) :7Hz检测范围 :± 6 0 (°) /s输出噪声 (p- pmax) :1 0 m V静止时输出 (dc) :2 .5 V± 0 .4V使用温度下限 :- 3 0灵敏度 :2 5 .0 m V/(°)· s-1*使用温度上限 :80分辨率 :0 .1 (°) /s保存温度下限 :- 40灵敏度温度变化 :± 1 0 %保存温度上限 :85　 (- 3 0～ 80 ) *质　　量 (max) :2 0 g线　性 (FS) :± 0 .5 %尺　　寸 :2 3 .2…     

RF-MBE生长AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料

用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF- MBE)在 C面蓝宝石衬底上外延了高质量的 Ga N膜以及 Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料 .所外延的 Ga N膜室温背景电子浓度为 2× 10 1 7cm- 3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /(V· s) ;Ga N (0 0 0 2 ) X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6′;Al Ga N/Ga N极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730 cm2 /(V· s) ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 1 2 cm- 2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0 m S/mm (栅长 1μm) ,截止频率达 13GHz(栅长 0 .5 μm)     

硫化氢对压力负荷性心力衰竭大鼠心脏功能的保护

目的观察腹主动脉缩窄大鼠心衰形成过程中硫氢化钠（NaHS）／硫化氢（H2S）对心脏功能的影响。方法成年雄性SD大鼠63只,随机平分为3组：对照组、心衰组、NaHS组。术后3周NaHS组腹腔注射NaHS 56μmol／kg／日,对照组与心衰组每日同法给予等量生理盐水。各组均在第4、8、12周时取7只行血流动力学及心脏功能检测,后处死取血及心脏行H2S含量、硫化氢合酶活性检测。结果NaHS组各期尾动脉压、平均动脉压、左室收缩压、左室舒张末压均有降低,±LVdp／dtmax在12周时升高。结论外源性给予H2S供体NaHS能改善系统和心脏血流动力学异常及心脏收缩和舒张功能。     

MBE生长的跨导为186mS/mm的AlGaN/GaN HEMT

用分子束外延 ( MBE)技术研制出了 Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管 ( HEMT)材料 ,其室温迁移率为 10 35cm2 /V· s、二维电子气浓度为 1.0× 10 13 cm - 2 ;77K迁移率为 2 6 53cm2 /V· s、二维电子气浓度为 9.6× 10 12 cm- 2 。用此材料研制了栅长为 1μm、栅宽为 80μm、源 -漏间距为 4μm的 Al Ga N/Ga N HEMT,其室温最大非本征跨导为 186 m S/mm、最大漏极饱和电流密度为 92 5m A/mm、特征频率为 18.8GH z。另外 ,还研制了具有 2 0个栅指 (总栅宽为 2 0× 80μm =1.6 mm )的大尺寸器件 ,该器件的最大漏极饱和电流为 1.33A。     

ICP刻蚀在微加速度传感器制作中的应用

针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为40μm时深刻蚀的最佳工艺参数,即采用BOSCH工艺,压力设定为6Pa,在刻蚀过程中通入流量为100cm3/min的SF6气体,持续11s,射频功率20W,源功率450W,保护过程中通入流量为75cm3/min的C4F8气体,持续10s,射频功率0W,源功率220W,得到了最佳刻蚀结果,并利用此工艺制作出了量程为±12g,灵敏度为79mV/g,精度高于±2%微机械加速度传感器。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

波长1.55μm损耗0.22dB/km单模光纤

美国康宁玻璃公司开始出售1.55μm零色散波长单模光纤,在这个波长的传输损耗有0.22dB/km和0.27dB/km二种,在1.525～1.575μm波长色散值为±2.5ps·km~(-1)·nm~(-1)。光纤长度有6.4,5.3,4.4km的,此外,也可根据用户要求而定。在0.35GN(千兆牛顿)/m~2和1.4GN/m~2条件下对这种光纤进行了拉伸试验,拉长分     

全域f函数及其直观表达式

用Van der Pauw法测量半导体电阻率时,ρ值用下式计算:ρ=πW/ln2·(R_1+R_2)/2·f(R_1/R_2)(1)式中R_1(?)R_(AB·CD)= V_(DC)/I_(AB),R_2(?)R_(BC·DA)=V_(AD)/I_(BC),W是被测样品厚度,而f(R_1/R_2)函数具有下列形式:     

新型Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器

用分子束外延技术结合硅平面工艺研制成了Ge_xSi_(1-x)/Si异质结远红外探测器。测试结果表明,界面势垒高度低于0.09eV,预计对应的工作波长可从2μm到12μm以上。50K时的探测率(黑体_(873k)~*)优于2×10~8cm·Hz~(1/2)/W,30K为6×10~8cmHz~(1/2)/W,对500K黑体,30K工作温度下D_(500k)~*为1.6×10~8cm·Hz~(1/2)/W。由于探测器为宽带型,虽然峰值D~*并不很高,但在30℃的环境辐射背景下,对人体温度的辐射也有较强烈的响应。     

分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料

用自组装的氨源分子束外延 (NH3-MBE)系统和射频等离子体辅助分子束外延 (PA-MBE)系统在 C面蓝宝石衬底上外延了优质 Ga N以及 Al Ga N/Ga N二维电子气材料。Ga N膜 (1 .2 μm厚 )室温电子迁移率达3 0 0 cm2 /V· s,背景电子浓度低至 2× 1 0 1 7cm- 3。双晶 X射线衍射 (0 0 0 2 )摇摆曲线半高宽为 6arcmin。 Al Ga N/Ga N二维电子气材料最高的室温和 77K二维电子气电子迁移率分别为 73 0 cm2 /V·s和 1 2 0 0 cm2 /V· s,相应的电子面密度分别是 7.6× 1 0 1 2 cm- 2和 7.1× 1 0 1 2 cm- 2 ;用所外延的 Al Ga N/Ga N二维电子气材料制备出了性能良好的 Al Ga N/Ga N HFET(异质结场效应晶体管 ) ,室温跨导为 5 0 m S/mm(栅长 1 μm) ,截止频率达 1 3 GHz(栅长 0 .5μm)。该器件在 3 0 0°C出现明显的并联电导 ,这可能是材料中的深中心在高温被激活所致