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本工作利用BET,SEM,TEM等分析测试手段研究了不同起始原料对BMT微波介质陶瓷烧结性能及微波介电性能的影响,发现用自制的Ta2O5·xH2O为起始原料合成的BMT粉料比用一般Ta2O5为起始原料合成的BMT烧结温度低100℃左右,而且在同一条件下烧成的样品的体密度和微介电性能也有很大的提高,特别是高得多的Q值。 相似文献
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研究了CuO助剂对Ba3Ti5Nb6O28陶瓷的烧结特性、微结构以及介电性能的影响。研究表明,适量CuO助剂能使Ba3Ti5Nb6O28陶瓷的烧结温度从1 300℃降到950℃以下。部分CuO会固溶于Ba3Ti5Nb6O28并改变其晶粒形状,出现少量长条状晶粒。随着CuO含量增加,介电常数(rε)无明显变化,品质因数与频率之乘(Q×f)值因固溶物的产生而下降,频率温度系数(τf)向负频率温度系数方向移动。w(CuO)为1%的Ba3Ti5Nb6O28样品,在920℃、2 h下,获得了介电性能较好的低温共烧陶瓷,其介电常数rε为41,Q×f=6 500 GHz,τf=4×10-6/℃。 相似文献
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中温烧结BaTiO3铁电—玻璃陶瓷介电性能 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了掺杂Nb^5 、Co^2 及玻璃的BaTiO3陶瓷的介电性能。Nb^5 、Co^2 和玻璃中的Bi^3 进入BaTiO3晶格形成晶芯-晶壳结构,其中晶芯由铁电相BaTiO3组成,晶壳由含Nb^5 、Co^2 、Bi^3 的非铁电相BaTiO3组成。这些添加物的作用是使ε-T曲线变得平坦,tanδ减小,居里点移向高温。 相似文献
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为了研究了B2O3与Li2O添加剂对(Zn0.8Mg0.2)2SiO4-ZrO2-TiO2(ZMSZT)基微波介质陶瓷的性能影响,分别采用排水法、XRD、SEM以及网络分析仪表征单独添加及复合添加B2O3与Li2O的ZMSZT微波介质陶瓷的致密性、微观结构及介电性能。结果显示在ZMSZT陶瓷中同时添加1wt%B2O3和4wt%Li2O可有效提高其烧结性能,在930℃/3 h烧结条件下可以获得较高的致密性及微波介电性:ρ=3.83 g/cm3,εr=9.36,Qf≈30 120 GHz(f=10.3 GHz),τf=-5.71×10-6/℃。这种B2O3与Li2O复合添加的ZMSZT陶瓷可以应用到LTCC(低温共烧陶瓷)领域。 相似文献
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使用电子陶瓷工艺制备得到了掺杂Mn和Sn的BaO-TiO2-ZnO-Nb2O5(BTZN)系陶瓷,XRD表明,其主晶相为Ba2Ti9O20、BaTi4O9,另外还有少量附加晶相:Ba4Ti13O30、Ba3Ti12Zn7O34、BaTi5O11等。少量Mn和Sn掺杂有利于系统Q值的提高,降低了烧结温度并提高了介电性能。文中主要对Mn和Sn掺杂的影响机理分析作了分析。Mn和Sn综合掺杂的结果,使得在中温1160℃得到了微波介电性能优良的BTZN陶瓷。同时,把此种瓷料制成多层陶瓷电容器开拓了一种新的应用领域。 相似文献
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研究了Bi2O3-V2O5、CuO-Bi2O3-V2O5、Li2CO3-V2O5掺杂对Mg4Nb2O9陶瓷烧结特性和微波介电性能的影响。通过XRD分析材料物相组成,结果表明,CuO-Bi2O3-V2O5、Bi2O3-V2O5的添加能有效地将Mg4Nb2O9陶瓷烧结温度从1 350℃降至950℃,但同时陶瓷的品质因数(Q.f)有很大恶化。掺杂w(Li2CO3-V2O5)=3%,试样致密化温度降至950℃,保温5 h,其具有良好的微波介电性能:介电常数(rε)为14.0,Q.f为83 276 GHz。 相似文献
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研究了PbTiO3和Bi2Ti2O7复合掺杂对新型的具有中介电常数的Y2O3-2TiO2系微波介质陶瓷物相组成、介电性能和烧结温度的影响。结果表明,掺杂后的陶瓷材料主晶相仍为A2B2O7型烧绿石结构,未发现第二相,Bi3+和Pb2+共同占据Y3+所在的A位。Pb/Bi复合掺杂有效降低了陶瓷的烧结温度,当w(PbTiO3)=2%和w(Bi2Ti2O7)=8%时,烧结温度降低为1 260℃,且陶瓷具有较好的介电性能,即介电常数rε≈64,介质损耗tanδ≈3.6×10-3,品质因数与频率的乘积Q×f≈2 438 GHz。 相似文献
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近年来,越来越多的具有高介电常数和低介质损耗的陶瓷介质用于微波领域。(Pb,Nd)(Ti.Mn,In)O_3陶瓷是一种新型的微波介质材料。在本文中,作者致力于(Pb.Nd)(Ti,Mn,In)O_3陶瓷的微波介电性质的研究,并且讨论了Mn含量对微波介电性质的影响。 相似文献
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BaO·Nd2O3·TiO2-(Zr0.8Sn0.2)TiO4复合系统微波介质材料的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了BaO.Nd2O3.Ti O2-(Zr0.8Sn0.2)Ti O4复合体系的烧结性能、微观结构、相组成和微波介电性能。结果表明,BaO.Nd2O3.Ti O2-(Zr0.8Sn0.2)Ti O4复合体系可在1 200~1 260℃范围内烧结出致密的微波介质陶瓷材料,其相组成由BaO.Nd2O3.4Ti O2、BaO.Nd2O3.5Ti O2、Nd2Ti2O7、(Zr0.8Sn0.2)Ti O4及未知新相组成,而(Zr0.8Sn0.2)Ti O4由单一晶相组成;复合体系的介电常数、介电损耗、频率温度系数同复合系统各相的配比有关,其中介电常数、频率温度系数基本符合理论计算值而介电损耗则高于理论值;复合系统中出现未知相具有高介电常数、高介电损耗的特征。 相似文献
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采用复合添加BaCuO_2-CuO(以下简称BCC)、ZnO-B_2O_3-SiO_2(以下简称ZBS)等烧结助剂的方法,研究了Ba_4(Nd_(0.85)Bi_(0.15))_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷(以下简称BNT)低温烧结的烧结特性和微波介电性能。结果表明:复合添加(均为质量分数)2.5%BaCuO_2-CuO和5%ZnO-B_2O_3-SiO_2后可以在1050℃烧结成致密瓷,气孔率为5.73%,在5.6 GHz,相对个电常数ε_r为64.25,Q·f值为2026 GHz,频率温度系数τ_f为+26.4×10~(-6)℃~(-1),可望实现与Cu电极浆料低温共烧。 相似文献
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研究了不同BaCu(B2O5)(BCB)掺杂量对2.5ZnO-2.5Nb2O5-5TiO2(ZNT)陶瓷烧结行为、介电性能及与Ag相容性的影响规律。添加BCB可有效地将ZNT陶瓷的烧结温度从1 100℃降低至900℃。BCB添加量为3.0wt%,900℃烧结3h所制得的ZNT陶瓷的微波性能良好:εr=48,Qf=15 258GHz,τf=41×10-6/℃。且在BCB掺杂ZNT陶瓷与Ag共烧样品中未检测到新生相和Ag的扩散,表明3.0wt%BCB掺杂的ZNT陶瓷与Ag的相容性良好,是一种很有潜力的LTCC材料。 相似文献
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采用普通固相合成法制备了Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷,研究了N2烧结气氛下,Gd部分取代BiN-bO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响。结果表明,不同Gd掺杂量的样品,相结构差别不大,均以低温斜方相为主晶相。随着Gd含量的增加,陶瓷样品的烧结温度升高,表观密度和相对介电常数均略有减小,品质因数与频率之积(Q×f)值也会发生变化。当x(Gd)=0.008时,900℃烧结的Bi0.992Gd0.008NbO4陶瓷样品具有较好的介电性能:介电常数rε=43.6(4.3 GHz),Q×f=14 288 GHz(4.3 GHz),谐振频率温度系数τf≈0。 相似文献