节能灯电容器老练工艺的研究

研究了老练工艺对节能灯电容器漏电流的影响，通过不同条件（温度、电压、时间）下进行老练的试验，表明温度是影响漏电流及其稳定性的最主要因素。指出了保证节能灯长寿命、高可靠工作的三个因素：电容器在高温（１０５℃）下漏电流小；常规测试漏电流稳定；损耗小，阻抗频率特性好。     

电解电容器快速老练工艺的研究

分析传统老练工艺的缺点, 指出老练的目的是恢复电解电容器固有的电性能。研究老练温度、老练时间对产品电性能的影响。提出了快速老练新工艺, 老练时间只有３ ｈ。采用优质的电解液是快速老练的前提     

铝电解电容器高温老练与产品性能

通过试验论述了铝电解电容器高温老练对产品漏电流及贮存特性的影响,为工艺改进提供可靠依据。     

铝电解电容器老练工艺的改进

本文介绍了从日本引进的铝电解电容器用CS205K型全自动老练分选机的基本原理,以及对原有老练工艺的改进。由以前的恒压老练改为脉冲稳压老练后,提高工效四倍,老练后漏电流一次合格率提高14%。并且老练设备耗电大大下降,由原来的1000W降为150W。     

用正交试验法探索铝电解电容器脉冲电压老练工艺

改进老练工艺是降低铝电解电容器漏电流的重要措施。采用脉冲电压老练能提高铝电解电容器阳极氧化膜的修补效率。用正交试验法快速找到脉冲电压老练中的充、放电时间等工艺参数 ,使产品漏电流常数 K降到 0 .3× 10 - 2 ～ 0 .3× 10 - 4 μA/ (V·μF)。     

铝电解电容器的脉冲电压老练

本文介绍了利用脉冲电压对铝电解电容器进行老练的方法和试验结果。结果表明:一定的脉冲电压老练方法和程序可使老练时间缩短为1h,漏电流常数小于0.001s~(-1)。     

铝电解电容器脉冲电压老练机理研究

对铝电解电容器用脉冲电压老练比用直流电压老练,不但时间短而且效果好,本文从铝电解电容器的内部结构分析了在采用脉冲电压老练时能够加快受损氧化膜修补的各种因素。     

电解电容器脉冲老练法及电源的研制

在氧化膜修补机制的基础上,分析了老练工序费时的根本原因,并据此研究了脉冲老练法,开发出脉冲老练电源。对比实验表明,可将高压老练时间从11.0h缩短到2.5h,能保证电容器具有同等的电性能与寿命,且对高温贮存寿命试验的漏电流回升有明显改善,可节约高压电容器的制造成本5%～10%。     

老练条件的变化对铝电解电容器质量的影响

铝电解电容器的老练直接影响产品的质量。老练条件的变化对铝电解电容器的电容量、漏电流有一定的影响。在额定老练电压、＋ ９０℃５ｈ 条件下老练， 能更好地改善产品质量， 提高产品合格率。采用脉冲老练可以缩短老练时间， 但漏电流回升速度快     

CA型固体钽电容器的老化筛选方法

ＣＡ型固体钽电容器是重要的电子元件，为淘汰早期失效产品，确保高的可靠性水平，采用合适的筛选方法十分必要。介绍了：１．敲击漏电流闪变筛选；２．电参数性能测量筛选；３．温度循环筛选；４．高温电负荷老化筛选；５．高温浪涌电压老化筛选；６．高温漏电流老化筛选；７．密封检验筛选。筛选效果最明显的是４、６两项     

Sol－Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件老化特性的研究

假设老化是从亚稳态到稳态的变化，利用反应动力学理论对Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备的ＣｏＭｎＮｉＭｇＯ热敏元件的老化特性进行了研究，推导出老化公式△Ｒ／Ｒｏ＝Σｒｉ［１－ｅｘｐ（－ｔ／τｉ）］其中：τｉ＝τｏｉｅｘｐ（Ｅｉ／ｋＴ））。结果表明理论与实验能很好地一致，对于本文所研究的热敏元件，符合公式ＡＲ／Ｒｏ＝ｒ１［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ１）］＋ｒ２［１－ｅｘｐ（－ｔ／τ２）］，该式中：，ｒ１＝１１．７６７×１０－３；ｒ２＝２０．６７３５×１０－３；τ１＝６．４５７８×１０－３ｅｘｐ（６１９０．８９／Ｔ）；τ２＝１．０４６１×１０－６ｅｘｐ（８ｌｌ６．２４／Ｔ）。     

铝电解电容器的低漏电研究与控制

介绍了铝电解电容器漏电流产生的根源,分析了影响漏电流的因素,通过研制工作电解液、选用高品质材料、改进制造工艺来控制铝电解电容器的低漏电。     

开关电源用铝电解电容器的失效机理探讨

研究彩色电视机早返机开关电源用铝电解电容器失效现象及其失效机理，并针对开关电源如何选用铝电解电容器，提出了增加电容器ＣＶ积、增强耐纹波能力等建议措施，以减少铝电解电容器在产品中的早期失效。     

云母电容器粉末包封工艺研究

介绍云母电容器粉末包封的关键工艺技术,指出包封外观气孔或气泡产生的本质原因是待包封元件内部存在气体间隙。在大量实践的基础上给出解决问题的途径——采用内封工艺。该工艺对各类电子元件的外层包封实现大批量生产有极其重要的现实意义。     

低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究

介绍了一种低漏电、高击穿电容的HDPCVD(ICPCVD)工艺,并对制备的电容进行了电性能分析和失效分析。通过优化确定了工艺的最佳反应条件,研制出的电容其击穿场强达到8.7MV/cm,在电压加到200V时其电容漏电小于0.5μA。通过与传统的PECVD工艺进行对比,充分体现了HDPCVD(ICPCVD)工艺生长介质的低温生长、低漏电、较高击穿场强、无H工艺等优点。随后的失效分析表明,电容上下电极金属对电容成品率有着很大影响。     

影响电解电容器漏电流的因素

以铝和钽电解电容器为例,特别强调了原材料对漏电流值的影响;分析了工作温度的影响作用,除了一般的离子电导随着温度上升而成指数式增加的规律外,还指出了由于各类电容器有各自的特点,因此所受的影响也各不相同,具有一定的参考价值.