第六代1200V槽栅FS-IGBT模块

本文介绍了第六代IGBT模块技术。新模块设计的关键词是低噪声辐射、高性能和紧凑性。低热阻的封装技术与最近发展起来的第六代V-IGBT的结合使技术上的突破得以实现。尺寸为122mm×62mm EP3封装的PIM(功率集成模块)功率额定值已被提高到1200V-150A,对于17mm厚的新型二合一模块,功率额定值则达到1200V-600A。     

工业牵引应用的采用软穿通IGBT技术的大功率模块

随着采用1700V-SPT（软穿通）IGBT LoPak密集型封装结构模块类型，和为了进一步开发利用新的1700V—SPT IGBT和二极管芯片的特性，出现了新的封装类型的模块：即电压1700V，电流额定值为2400A，封装形式为“E1”和“E2”工业标准模块。我们在长期高可靠性应用的经验基础上，设计了新的封装类型，其特性适用于牵引市场。在本文中，讨论了1700V—SPT IGBT（E1／E2）模块范围的特性，尤其论述了改进的静态和动态特性。     

应用于工业牵引的软穿通IGBT技术的大功率模块

随着1700V-SPT（软穿通）GBT LoPak密集型封装结构模块类型的引入，为了进一步开发利用新的1700V-SPT IGBT和二极管芯片的特性，出现了新的封装类型的模块：即电压1700V，电流额定值为2400A，封装形式的E1和E2工业标准模块。我们在长期高可靠性应用的经验基础上，设计了新的封闭类型，其特性适用于牵引市场。在本文中，讨论了1700V-SPT国IGBT（E1/E2）模块范围的特性，尤其论述了改进的表态和动态特性。     

富±电机联手赛米控 两大全球巨头合力为工业驱动器市场提供电力电子器件

占据全球IGBT模块第三大市场份额的全球领先功率半导体器件制造商日本富士电机电子技术有限公司（资料来源：2008年全球功率半导体分立器件和模块市场研究,IMS—Research）与享有37％的二极管和可控硅模块市场份额且在功率半导体模块封装技术领域领先的德国赛米控国际有限公司（“2008年全球功率半导体分立器件和模块市场研究”,     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

两款新型1200V IGBT模块

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出两种新型1200V IGBT模块FMG2G50US120和FMG2G75USl20，电流额定值分别为50A和75A，具有优化的导通损耗(VCE(sat))与关断损耗(Eoff），提供非常低的总体功率损耗，适用范围涵盖焊接设备、不间断电源(UPS)，以及工作频率在10kHz-30kHz的普通逆变器。飞兆半导体的新型1200VIGBT功率模块还具有极低的VCE(sat）温度变化偏差。额定值为75A的     

Littelfuse发布新款IGBT和整流器二极管模块

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值,能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。此类产品设计用于多种功率控制应用,包括交     

一种新型智能功率模块（IPM）

介绍一种新型智能功率模块的功能、工艺及应用。该功率模块将多块IGBT芯片与其栅极驱动电路、短路保护、过流（OC）保护、过温（0T）保护、欠压（UV）锁定电路等集成封装于一体,具有供电简单、开关速度高、死区时间小、驱动效率高的特点。在技术方面,对IGBT芯片、续流二极管芯片（FWD）、控制驱动电路及封装结构等方面采取了多种优化处理措施,从而使其具有很高的性能价格比。     

1200V和1700V新型IGBT模块沟槽及电场截止型IGBT低注入续流二极管

介绍了最近开发的1200V和1700VIGBT模块的特性。该模块由沟槽栅极和电场截止结构的新型IGBT器件组装而成。由于采用了先进的封装技术，这种新型IGBT模块导致了更高的功率集成。进而，总功率损耗比常规IGBT模块的约减少了25％。     

一种通过1200伏高压集成电路（1200V HVIC）驱动的1200伏传递模塑的整流-逆变-闸流模块（CIB）

传递模塑制造技术被成功应用到600伏范同的集成功率模块（IPM）已经有五年之久。对内部模块结构的进一步改进，例如引线架和散热片的优化以及由于IGBT芯片制造技术的重大改善使载流子存储栅双极晶体管（CSTBT）实用化，这些改进为低成本，高可靠性和热稳定性好的功率模块生产提供可能。最近600伏DIP IPMs的功率已经能达到3．7KW。本文将传递模塑技术进一步扩展，将其用于额定电流从10A到25A的1200V CIB模块，该模块通过1200伏HVIC来驱动和保护。这篇文章将洋细介绍DIP CIB模块的特征和专用1200伏HVIC的功能。对于一个功率为3．7KW的完整逆变器包括三输入整流器，闸流断路器和三输入逆变器以及对基板温度敏感的NTC，所有这些部件通过传递模迥技术被精密封装，可达到UL和IEC所要求的最小怛电和电气间隙。