长波长光通信用锗雪崩光电二极管

研制了一种平面结构的P~ -n型锗雪崩光电二极管(Ge—APD).在四次群(139.264Mb/S)长波长数字光缆通信系统中作光探测器,获得了-38.13dBm的接收灵敏度.器件制作中采用了全离子注入和低温(650℃)退火工艺.重复性好,成品率高.在0.9倍击穿电压下,暗电流抵达0.5μA.在1.28μm波长下,67%的器件量子效率大于80%,最高为88% 在M=10和λ=1.28μm下,过剩噪声因子一般在7.5～9,最低达7.0dB,频率响应为1GHz(V_(Po)=0.9V_B).     

1.3μm波长范围的锗雪崩光电二极管

作为光纤通信系统用的探测器,日本富士通实验室研制了一种1.3μm波长下具有最佳P~ -n结构的Ge雪崩光电二极管。采用全离子注入和低温退火工艺制造了这种光电二极管。 在0.9V_B的偏压下暗电流低至0.15μA。倍增因子为10的条件下,得到8～9很低的噪声因子。在1.3μm波长下平坦频率响应的范围可达500MHz。当有Si_3N_4防反射涂层时量子效率高达84％。     

大面积1.54μm波长测距用InGaAs雪崩光电二极管

设计并研制成功适合人的眼睛安全测距应用的ＩｎＧａＡｓ雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。器件直径为２００μｍ，工作在２１℃，１５４０ｎｍ波长时响应为０．６４Ａ／Ｗ，典型暗电流和噪声因子分别为３０ｎＡ和６．５。介绍了该器件的工作原理，设计和制作工艺。     

锗雪崩光电二极管(Ge-APD)

本文叙述了用全离子注入技术制作的p~+n Ge-APD。其光谱响应范围0.75—1.7μm。在1.28μm波长下,量子效率高达88%。M=10时过剩噪声因子一般为8～9,最小达到7.0dB。响应时间为:上升时间t_r=120PS、半宽τ=220PS,下降时间t_f=200PS。     

1.22μm HgCdTe/CdTe雪崩光电二极管

用液相外延法(LPE)制成具有峰值响应1.22μm和截止波长1.25μm的平面型HgCdTe/CdTe雪崩光电二极管。通过1.06μm掺钕钇铝石榴石(Nd:Y AG)激光照射获得大于15的雪崩增益。测得反向击穿电压为80V,并测得在40V时的漏电流密度为1×10~(-4)/cm~2。无抗反射涂层时,在1.22μm管子的峰值量子效率是72%。     

敏感1.5μm波长的光电探测器

基于硅的光电探测器因其潜在的简单积分机制而会对高速光学通信技术带来好处,但是,研制一种对1.3至4.55μm波长有感光反应的低成本高效探测器却是一     

1.22μm碲镉汞/碲化镉雪崩光电二极管

用液相外延法制备峰值响应在1.22μm、截止波长为1.25μm的平面HgCdTe/CdTe雪崩光电二极管。用1.06μmNd:YAG激光器照射取得高于15的雪崩增益。所测反向击穿电压为80V,在40V时的漏电流密度为1×10~(-4)A/cm~2。在不加任何增透层的情况下于1.22μm时的峰值量子效率为72％。     

长波长(1.2-1.5μm)半导体激光器

长波长半导体激光器是大容量、长中继距离的光纤通信系统的重要光源。本文报导了1.2μm、1.3μm,1.5μm的激光器与相应的功率反馈,温度反馈装置,介绍了如何把激光功率耦合进单模光纤。     

长波长光纤系统的改进型雪崩光电二极管

本文评述了长波长光纤系统的改进型Ge雪崩光电二极管(Ge-APD)和InGaAs/InP雪崩光电二极管(InGaAs/InP-APD)。P~ -n型和n~ -n-p~ 型锗雪崩光电二极管在1.0～1.5μm波长区比通常的n~ -p型Ge-APD的倍增噪声低。吸收区和倍增区分开的InGaAs/InP—APD在1.0～1.6μm波长区比Ge—APD有较低的暗电流和较低的倍增噪声。这种雪崩光电二极管与Ge雪崩光电二极管相比能改进3～4dB的最小可探测功率。     

低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管

根据器件结构的优化设计,严格控制生长参数以及理想的器件制备工艺获得了低漏电高增益InGaAs/InP SAGM雪崩光电二极管。测量了百余支器件,0.9V_b下漏电流I_d<20nA;响应度～(0.7—0.8)mA/mW,最大倍增30—85(入射光波长1.3μm,功率1.6μW),参与倍增的暗电流l_(dm)最小可达0.25nA。     

1.3μm高速PIN光电二极管

综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度,优化设计了GaInAs／InPPIN光电二极管的结构参数,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术,如高纯、超薄GaInAs／InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等,并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs／InPPIN高速长波长光电探测器的3dB带宽达到20GHz,响应度为0．7A／W,暗电流小于5nA。     

光通信接收机:雪崩光电二极管和PIN—FET组件的比较

使用以前的一种典型说法分析了光电二极管体漏电流和放大器噪声对接收灵敏度影响。用PIN光电二极管的接收机的灵敏度可以因在输入级使用性能优良的微波场效应管(FET)而得到很大的改进,在800—900nm波长与硅雪崩光电二极管(APD)比较,     

高倍增低暗电流AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管

用分子束外延系统(MBE)生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管(APD).为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门顺序为AlSb,AlAs,AlSb,Sb,In,InAs,In,Sb.其高分辨率X射线衍射(HRXRD)曲线显示出尖锐的卫星峰,并显示出...     

NEC市售的1.5μm波段光通信用LD和探测器

NEC研制的1.5μm InGaAsPLD和InGaAsAPD已于1986年2～6月开始出售。其性能: InGaAsP LD InGaAs APD型号:NDL 5050A 型号:NDL5500,NDL5000     

拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)

本文报导了具有高效、快速、低噪声性能的拉通型硅雪崩光电二极管(RAPD)。在p-si单晶片上用硼离子注入和热扩散推进技术制作了高场区。在芯片背面蚀腔减薄后作硼扩散,其杂质梯度感生内建场。这样,在不增加工作电压的情况下,实现高的量子效率和快速响应特性。器件所达到的性能如下:在λ=0.86um下,量子效率可高达80％;在锁模Nd:YAG激光脉冲,其输出脉冲的前沿后沿为420PS,峰值半宽度τ为420PS;击穿电压为70～180V;过剩噪声因子x低达0.3,电容为1pf。     

InGaAs／InGaAsP／InP长波长雪崩光电二极管研究

研制了高速、高效、低噪声的InGaAs/InGaAsP/InP长波长(1.0～1.7μm)台面型雪崩光电二极管(φ=75μm),器件采用分离的吸收区、雪崩区和能隙过渡区的SAGM结构。研究了器件最佳结构参数设置、在InP上匹配生长InGaAs、InGa AsP及其厚度和载流子浓度的控制问题。器件最大倍增因子大于50,灵敏度大于0.70μA/μW,暗电流I_D的典型值约为20nA(V_r=0.9V_B)。     

长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管

采用液相外延法和台面工艺制作了具有中间带隙“梯度层”的倍增区与吸收区分离的长波长InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管(简称SAGM-APD)已经获得初步成功。量子效率67％;0.9V_B时的暗电流<100nA;过剩噪声因子F=5;最大倍增因子M=25;上升和下降时间各为300ps。结果表明,这种新型材料制作的雪崩光电二极管在性能上优于Ge-APD。     

适用于长波长光纤通信的0.95～1.65μm In_(0.53)Ga_(0.47)As光电二极管

本文报导了一种用于0.95～1.65μm长波长光通信的ln_(0.53)Ga_(0.47)As光电二机管,在-5V时,灵敏度R≥0.5μA/μW;暗电流I_D<10nA;二极管电容C_D<2pF,文中概述了器件结构和制造方法。     

高倍增低暗电流的AlInAsSb四元数字合金雪崩光电二极管

用分子束外延系统（MBE）生长高质量GaSb基AlInAsSb四元数字合金制作雪崩光电二极管（APD）。为了克服随机体材料生长方式发生的偏析现象,采用迁移增强的数字合金生长方式,其快门顺序为AlSb,AlAs,AlSb,Sb,In,InAs,In,Sb。其高分辨率X射线衍射（HRXRD）曲线显示出尖锐的卫星峰,并显示出几乎完美的晶格匹配,其原子力显微镜（AFM）图像上也可以观察到光滑的表面形貌。使用优化的数字合金生长方式,制备了分离吸收、渐变、电荷和倍增（SAGCM）型的AlInAsSb数字合金APD。在室温下,器件在95%击穿时,暗电流密度为0.95 mA/cm²,击穿前最大稳定增益高达~100,其器件的高性能显示出光电领域进一步发展的潜力。