Cu2+离子掺杂纳米SiO2材料中346 nm光致发光带

采用溶胶一凝胶技术制备了Cu^2＋掺杂纳米SiO2材料,测量了材料的光致发光性能。X射线衍射及透射电子显微镜测试结果表明：Cu^2＋掺杂纳米SiO2材料具有微晶结构,颗粒尺寸为20-30nm。对其光致发光谱的测定显示：微量Cu^2＋掺杂的样品在220nm激发时存在着唯一的很强主峰,位于346nm左右的紫外发光峰。通过对比不同掺杂浓度、不同煅烧温度及氢化处理对该紫外峰的影响,对346nm紫外发光峰可能的起源进行了初步探讨。     

In3+离子在多孔SiO2干凝胶中的发光

采用常规的Sol-gel工艺合成了In^3 掺杂的多孔SiO2干凝胶，In^3 离子作为间隙离子存在于SiO2网络中，展示了一种新颖的发光现象，改变了多孔SiO2干凝胶的发射光谱。这种掺杂的多孔SiO2干凝胶的激发和发射光谱均由2个带组成，短波长的发光峰在440nm(λex=380nm），其相对荧光强度约是未掺杂的多孔SiO2干凝胶的4倍；长波长的发光峰（In^3 离子在多孔SiO2干凝胶的特征发射）在600nm(λex=476nm），其相对荧光强度约是In^3 掺杂ZnS纳米晶的10倍。由此可以看出：掺杂的多孔SiO2干凝胶是一种高效的发光材料。     

SrMoO_4：0.05Eu~（3＋）,0.05Gd~（3＋）的制备及发光性能研究

分别采用化学沉淀法、微波法、水热法制备了SrMoO4：0.05Eu3＋,0.05Gd3＋荧光粉,并通过X-射线粉末衍射（XRD）、荧光光谱和扫描电子显微镜（SEM）对其晶体结构、荧光光谱和形貌进行了表征。结果表明：SrMoO4：0.05Eu3＋,0.05Gd3＋的结构属体心四方晶系;其宽激发带由Eu3＋-O2-、Gd3＋-O2-电荷迁移带和Mo6＋-O2-基质吸收峰组成,荧光发光以在616nm处Eu3＋的5 D0→7 F2跃迁引起的红光发光最强;254nm紫外光激发时,化学沉淀法制备SrMoO4：0.05Eu3＋,0.05Gd3＋的发光峰比SrMoO4：0.05Eu3＋的相应发光峰强度增大,这是由于Gd3＋向Eu3＋的能量传递敏化增强了Eu3＋的发光。     

溶胶-凝胶法制备纳米级硅酸镥粉体的发光性能

采用溶胶-凝胶法制备了Lu2SiO5:Ce粉体。基于X射线衍射、透射电镜、紫外-可见激发发射、X射线激发发射和荧光衰减时间的测试,研究了溶胶-凝胶法制备的纳米Lu2SiO5:Ce粉体的物相结构和发光性能。结果表明:在1000℃煅烧2h得到粒径约为40nm的纯Lu2SiO5:Ce粉体;其激发谱中的最强激发峰在360nm处,发射谱中在398～407nm范围有以407nm为中心的宽发射峰,归因为Ce3+的4f-5d间的电子跃迁。在X射线激发下Lu2SiO5:Ce粉体的发光表现出二级发光衰减行为,衰减时间分别为τ1=10.98ns和τ2=39.32ns,相应的发光强度比例分别为73.38%和21.29%。     

Ti3+在Sol-gel多孔磷光SiO2干凝胶中的发光

采用常规的Sol-gel工艺合成了Ti3+掺杂的多孔磷光SiO2干凝胶,Ti3+离子作为间隙离子存在于SiO2网络中,展示了一种新颖的发光现象,改变了Sol-gel SiO2干凝胶的发射光谱.这种掺杂SiO2干凝胶的激发和发射光谱均由2个带组成,短波长的发光峰在440nm(λex＝380nm),其相对荧光强度约是纯SiO2干凝胶的5倍;长波长的发光峰在600nm(λex＝550nm),其相对荧光强度约是Ti3+掺杂ZnS纳米晶的20倍.由此可以得出:过渡金属离子掺杂的多孔磷光SiO2干凝胶形成了一类新型的发光材料.     

稀土掺杂Sr3Al2O6红色发光材料的制备与表征

采用高温固相法制备了稀土掺杂的铝酸盐(Sr3Al2O6)红色发光材料.研究了样品的发光性能,讨论了灼烧温度、保温时间和稀土含量对样品发光性能的影响,结果表明,1350 ℃下灼烧2 h获得的样品为纯的Sr3Al2O6立方晶系,Pa-3空间群结构,样品的荧光发射峰位于在591 nm、611 nm、657 nm,激发光谱包含393 nm和468 nm处两激发峰.Eu离子的掺杂浓度为2.0at%,灼烧温度为1300 ℃,灼烧时间为2 h,样品的发光强度最高.     

熔盐法制备Zn_2SiO_4∶Mn绿色荧光粉及其光学性能的研究

利用Na2SO4作为熔盐,ZnCl2、MnCO3和Na2SiO3.9H2O作为原材料,在900～1050℃间成功地合成了绿光发射的Zn2SiO4∶Mn荧光粉。当监测波长为524nm时,样品激发谱出现峰值位于254nm和270nm的两个较强的宽带激发峰,同时存在几个较弱的宽带激发峰,分别位于358nm、425nm和434nm处。发射光谱表现为峰位位于524nm处的一个宽带发射。样品的最佳烧结温度为1000℃,最佳保温时间为5h,当Mn2+掺杂摩尔浓度为3%时,样品绿光发射性能最好。     

Pr3+、Ce3+共掺LiYSiO4闪烁体的发光性能EI北大核心CSCD

采用固相合成法制备了LiY0.99-xCe0.01PrxSiO4（x=0～5％）系列化合物,采用X射线粉末衍射、紫外-可见漫反射光谱、光致发光光谱、X射线激发发射光谱以及光致发光衰减曲线对其系列化合物的物相、发光性能进行了表征。结果表明：在煅烧温度为1100℃所制备的样品均为纯LiYSiO4相;Ce^3＋的吸收峰位于325和364nm。Pr^3＋、Ce^3＋共掺时,由于Pr^3＋-Ce^3＋之间的能量传递作用,在250nm波长的紫外光激发下,在400nm处产生了Ce^3＋的特征发射峰。随着Pr^3＋掺杂量的增加,Ce^3＋在X射线激发下的发光强度逐渐下降,但Ce^3＋在320nm的波长激发下的衰减逐渐变快。     

合成制度对白光LED用硅酸盐Sr_2SiO_4:Eu荧光粉发光性能的影响

采用高温固相法合成用于白光发光二极管(light-emitting diode,LED)发光的Sr2SiO4:Eu荧光粉,测量Eu2+掺杂0.0035mol时样品的激发与发射光谱,研究荧光粉在不同合成温度、不同保温时间的荧光光谱及在不同激发波长激发的发光性能。用X射线衍射和扫描电镜比较分析荧光粉在不同合成温度的物相和形貌,确定还原气氛中Sr2SiO4:0.0035Eu荧光粉的最佳合成温度为1250℃和保温时间为3h时,可得到发光性能较好的斜方晶系、α′相Sr2SiO4:Eu。     

铌酸钙锶铋的制备及其发光性能的研究

采用高温固相法制备荧光材料CaSrNb2O6：Bi3＋,其中Bi3＋的最佳掺杂浓度是0.2%,Sr2＋的最佳掺杂浓度为0.8%,样品的最宜煅烧温度为1300℃,最佳保温时间为1.5 h,用XRD,SEM以及荧光光谱等手段对所合成的荧光粉进行了表征。结果表明,样品在近紫外光315 nm激发下,产生位于350～600 nm的宽带发射峰。     

不同形状的铌酸钙基质发光材料的制备与表征

采用传统的高温固相法合成了不同形状的铌酸钙基质发光材料,利用XRD、SEM以及荧光光谱（PL）对样品的结构、形貌与光学性能进行了表征测试。用200~350 nm紫外光激发样品时,可见光区的发射峰位于350~650 nm,呈白光发射,该发射带是由铌酸钙基质的发射峰和Bi3＋离子以及Pr3＋离子的电子轨道跃迁所产生的发射峰组成;同时本文也探讨了不同掺杂条件对发光性能的影响,对所制备材料的发光机理也进行了初步的分析。     

纳米粉体Y_2O_3:Ti~(3+),Pr~(3+)的光谱性能

采用共沉淀法在氮氢气氛中制备出Y2O3:Ti3+,Pr3+纳米粉体,通过XRD、TEM方法确认了它的晶相与晶粒尺寸,测量了它的激发与发射谱,并与Y2O3:Ti3+纳米粉体的光谱进行了比较。结果显示:共掺Pr3+仅在281nm处产生了激发峰,而在蓝绿光区没有产生激发峰,以致365～480nm的光激发不出Pr3+的特征红荧光。表明:共掺Pr3+的Y2O3:Ti3+用作白光LED荧光粉,难以改善发光性能。     

掺杂的Ni-Zn铁氧体磁性材料的制备与性能

以分析纯Fe2O3,NiO,ZnO,Al2O3,Pr6O11和WO3为原料,以Ni0.5Zn0.5MxFe2–xO4(M=Al,Pr,W;x=0～0.04)为基本配方,采用一步合成法制备了Ni–Zn铁氧体陶瓷,研究了掺杂对Ni–Zn铁氧体相组成、显微形貌和电磁性能的影响。结果表明:掺杂Al3+,Pr3+和W6+的Ni–Zn铁氧体均能形成结晶完好的尖晶石相结构。材料致密,无晶粒异常长大。适当的金属阳离子替代可有效降低材料的磁损耗和介电损耗,提高截止频率,同时使铁氧体保持较高初始磁导率,高饱和磁化强度,高Curie温度等优良性能,从而制得高性能大功率高频Ni–Zn系铁氧体磁芯。     

回收锌制备氧化锌粉体的新工艺

回收含锌催化剂废料中的锌来制备氧化锌粉体。先用氯化铵浸取含锌催化剂,经过滤得到氯化锌溶液;滤液中加入碳酸氢铵反应得到白色沉淀,经过滤煅烧滤饼得到氧化锌粉体。单因素实验确定了制备氧化锌粉体的适宜工艺条件:浸出反应温度60℃,反应时间2 h,原料配比n(Zn2+)∶n(NH4+)=1∶2.2。滤液中加入的碳酸氢铵配料比n(Zn2+)∶n(NH4HCO3)=1∶2.3,反应时间1 h,抽滤得中间产物。中间产物煅烧温度为300℃,煅烧时间1 h。样品进行XRD表征,杂质峰比较少,与标准卡片参数基本一致,晶体结构较好。     

Eu~(3+)掺杂浓度对NaYF_4:Eu~(3+)晶体荧光强度的影响

在乙醇和乙二醇的混合溶剂中,用溶剂热法,150℃,反应12 h,成功合成了NaYF4:Eu3+晶体。室温下,用X射线衍射对材料的组成进行了表征,JCPDS号为16-0334。荧光光谱分析表明,在395 nm(7F0→5L4)紫外光激发下,其发射峰在476 nm、540~578 nm、718 nm分别对应着Eu3+的5DJ(J=0,1,2,3)→7FJ(J=1,2,3,4)能级跃迁。并讨论了离子Y3+:Eu3+不同浓度掺杂比对荧光性质的影响。结果表明,Eu3+的最佳掺杂浓度比为5%,当掺杂浓度为10%时,出现荧光猝灭。     

溶胶凝胶法制备的Y3Al5O12：Tb^3＋,Ce^3＋的光学性能及能量传递研究

用溶胶凝胶法制备了一系列不同掺杂浓度的Y3Al5O12（YAG）：Tb3＋,Ce3＋荧光粉,对其物相、光学性能和能量传递进行了研究。多晶粉末X-射线衍射结果表明,所有样品均为YAG晶相,没有其它杂相。当样品在Tb3＋的特征激发峰273 nm激发时,除了Tb3＋的特征发射外,还观察到位于467 nm的YAG基质的电荷迁移带、位于520 nm的Ce3＋的2D3/2,5/2→2F5/2,7/2跃迁,这说明可能存在Tb3＋到Ce3＋的单向非辐射能量传递。通过监测共掺样品520 nm的发光,得到273 nm的激发峰,使得Tb3＋（5D3）到Ce3＋（2Di,i=5/2,3/2）的单向非辐射能量传递得到验证;并且随着掺杂Tb3＋浓度的增大,273 nm激发峰增强。同时,Ce3＋掺杂YAG：Tb3＋并没有使Tb3＋发光增强,相反YAG：Tb3＋,Ce3＋中Tb3＋发光与YAG：Tb3＋相比有1个数量级的减弱,造成这种情况的可能原因,一是Tb3＋到Ce3＋的单向非辐射能量传递,使得Tb3＋发光减弱;二是Ce3＋掺杂YAG：Tb3＋后基质所多吸收的能量传给了Ce3＋而非Tb3＋。     

Ca12Al14O33∶Eu2＋,Nd3＋长余辉发光粉的合成及其发光性能

采用燃烧法合成出Ca12Al14O33∶Eu2＋,Nd3＋靛蓝色长余辉发光粉.利用XRD和FE-SEM对产物的物相结构和形貌进行了表征,用激发光谱、发射光谱和余辉衰减曲线对样品的发光性能进行了分析.通过正交试验设计,以余辉时间为指标,研究了Eu2＋的掺杂量、Nd3＋的掺杂量、H3B03的用量以及尿素的用量对制备条件的影响.研究结果表明：最优化方案制备的Ca12Al14O33∶Eu2＋,Nd3＋长余辉发光粉的发射光谱呈宽发射谱带,波长范围为390～530 nm,发光峰值位于443 nm,余辉时间长达3240 s.     

镓掺杂钒酸钇的制备及其发光性能

采用高温固相法合成钒基荧光材料YVO4:Ga3+,其最佳掺杂浓度是2%,最宜煅烧温度为1100℃。用XRD,SEM以及荧光光谱等手段对所合成的荧光粉进行了表征,结果表明,样品在近紫外光254nm激发下,产生位于350～700nm的宽带发射峰。其中,镓离子浓度逐渐增加到2%时,样品的荧光发射主峰由440nm平移到470nm。     

Preparation and Luminescent Properties of Mn（1–x）S：Ax/ZnS Nano-Crystallines

采用化学沉淀法合成了Mn（1–x）S：Ax/ZnS（A：Eu,Pr）纳米晶,其结构为闪锌矿结构,平均粒度约4 nm。荧光光谱表明：Mn（1–x）S：Ax/ZnS（A：Eu,Pr）纳米晶除了ZnS本身的缺陷发光和Mn离子的发光外,还出现了新的掺杂离子的发光峰。对应在575 nm和617 nm处发光峰来自于Eu3＋的5D0→7F1和5D0→7F2的跃迁。另外,与纯的Mn（1–x）S：Ax相比,ZnS包覆Mn（1–x）S：Ax后,纳米晶在580nm处的发光性能明显增强。