DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型

提出了一种DMOS辐照正空间电荷闽值电压模型。基于沟道杂质的非均匀分布，借助镜像法，导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势；求解泊松方程，由此给出DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型表示式。该模型的解析解与MEDICI仿真的数值解吻合。     

场发射枪电子光学特性的数值模拟

本文利用改进的电荷密度法（ＣＤＭ）和更接于实际阴极工作模型来模拟场发射枪的电子光这性质，文中提出了一种专门的六点求积公式用它可以精确地计算场发射体表面附近的电位；同时采用了阴极工作在部份空间电荷限制下的球面二极管模型，计算结果证明，这种方法对场发射枪电子光学性质的研究有实际的应用价值。     

等效表面电荷对台面半导体器件钝化的影响

进一步研究了半导体斜角造型p-n结的表面空间电荷层模型与表面耗尽区模型.计算了耗尽情况下p-n结的表面空间电荷密度,分析了等效表面电荷密度对正斜角造型p-n结表面耗尽区的影响.利用聚酰亚胺和聚酯改性漆钝化的晶闸管电学特性证实了等效表面电荷密度对台面半导体钝化的影响.同时,通过分别采用聚酰亚胺和掺氧多晶硅钝化的高压整流管研究表明,基于掺氧多晶硅的钝化结构具有屏蔽电荷和均匀电场的作用.     

状态方程的精细计算

本文在电路状态方程的求解之中引入了一种新的方法──精细计算法。该方法以解析法为基础，采用等时间步长对状态方程进行递推数值计算。它是一种半解析法，兼有解析法与数值法的优点，精度高，概念简单，便于编程，无条件稳定，且可采用较大的时间步长，所以计算效率高。     

强流电子枪电流密度和空间电荷密度计算的曲光轴传递理论与数值分析

强流电子束系统里，一般不能直接进行解析或数值分析计算其电磁场、电子轨迹和电子束的性能，而采用迭代法计算其自治的空间电荷场，在考虑电子发射的热初速时，有关的数值计算方法也非常复杂。本文利用旋转对称电子光学系统里的子午面投射轨迹理论，导出了围绕环形电子束元曲光轴的傍轴的傍轴轨迹方程，利用这一理论研究了在空间电荷和电子热初速效应同时作用下环形电子束元电子电流密度分布的演化发展，并由此建立了一套简便的计算圆形强流电子枪电流密度和空间电荷密度的数值方法。作为例子，分析计算了理想的Pierce枪的电流密度的传输规律，并证实了本方法是一种实用而有效的方法。     

理想导电柱体电磁散射的有限差分法

本文提出一种新的求解二维电磁散射的数值方法。应用辐射边界条件将无限大空间的电磁散射问题限制在有限区域内,采用有限差分技术数值求解波动方程、辐射边界条件及散射体表面边界条件,从而获得理想导电二维散射体的表面感应电流及近场分布。本文给出的圆形、椭圆形及方形截面柱体的数值计算实例表明,这种方法可获得与本征函数级数解或矩量法解相当吻合的结果,大大优于表面辐射条件法的结果,表明这种方法可能成为代替现有解析或数值方法的有效方法。     

VLSI互连寄生电容准三维多极加速提取

随着VLSI向深亚微米发展,需要快速而精确地计算互连寄生电容以保证高性能电路设计的正确性.本文介绍一个单介质准三维电容提取软件.在位势理论建立的间接边界积分方程中,它在导体表面采用线电荷近似面电荷的思想简化3-D结构,并采用多极加速法进一步降低计算复杂度.由于既保留了三维形体的空间架构,又使大量电荷积分降为一维,取得了精度与速度的良好平衡.数值计算结果表明,其计算复杂性为O(n),n为边界元数.     

用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

能够直观地"看到"半导体材料中制作的p-n结,对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义,知道p-n结的厚度及其在样品中的位置,有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等,也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用EBIC(电子束诱生电流)法观察了InSb半导体器件中的p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结,其中肖特基结显示出明显的温度特性:温度降低,肖特基结响应区域扩大,温度降至80K,Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至47mm。用离子注入法在InSb材料中制成的p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布,靠n区一侧的空间电荷区较薄,电荷密度较大,靠p区一侧的空间电荷区较厚,电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具,EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。     

考虑空间电荷场的Orotron的大信号理论研究

本文讨论了Orotron的大讯号计算中空间电荷的影响。首先推导出直角坐标系统中,当一个边界为无限大时的空间电荷场的近似表达式,然后利用这一空间电荷场模型,计算了Orotron的自洽的大信号相互作用,讨论了空间电荷参量对器件性能的影响。     

任意截面同轴电缆问题的差分解法——过张弛法程序和概率位势理论法程序

本文介绍求解任意截面同轴电缆问题的一种数值方法——拉普拉斯方程有限差分解法。首先推导出总能量电容计算和总电荷电容计算所需公式,然后介绍过张弛法和概率位势理论法,并编制求解具体问题的两个计算程序,最后讨论了上述方法的优缺点。     

爬行波电流传播常数及幅度的计算

本文提出了一种计算金属圆柱表面爬行波电流传播常数和幅度的新方法。该方法在获得金属柱表面爬行波电流的精确数值解后，应用Ｐｒｏｎｙ方法得了金属表面爬行波电流各个模的传播常数和幅度，避开了传统方法解时冗长、繁锁的数学推导过程。经比较，本文方法的计算结果比几何绕射理论的计算结果更为精确。     

带状电子注空间电荷场的格林函数法求解

带状电子注具有非轴对称性和大宽高比的特性,为了研究其空间电荷效应,本文建立了相应的二维宏粒子物理模型,并通过格林函数法求解带状电子注内的空间电荷力。在该模型中,带状电子注用一系列窄带代替,每个窄带受到的空间电荷力通过叠加其它窄带作用于该窄带的电场力得到。本文对该窄带模型进行了详细的分析,计算了电子注内的空间电荷力,编写了基于该模型的数值模拟程序,模拟了带状电子注在不同静电磁约束下的运动及传输情况,计算结果与三维PIC 软件有很好的一致性,验证了基于该二维宏粒子模型的格林函数法求解带状电子注空间电荷场的合理性和准确性。     

有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的解及应用

本文给出了有相异表面复合速度时半导体薄片少子连续方程的一种新解法。数值计算结果表明,薄片的少子光电导衰退曲线可以用这种解的一次模和二次模之和来表示。可以使用这些结果讨论一些薄片的少子寿命和表面复合速度。     

基于Hybrid迭代法的多连通域数值保角变换计算法

针对模拟电荷法无界多连通区域的数值保角变换问题,文中提出了一种高精度的数值方法,即基于Hybrid迭代法的无界多连通区域的数值保角变换计算法.该方法通过模拟电荷法构造约束方程,对约束方程应用预处理构造对称正定的方程,获得新的模拟电荷和辐角,并构造近似保角变换函数.文中以多连通圆变换为径向狭缝域为例进行数值实验.使用解析...     

MATLAB在反射面天线三维方向图中的应用

提出了一种反射面天线三维方向图的绘制方法。介绍了分析反射面天线辐射场的方法,并将表面电流法和口径场法进行了比较。给出了计算抛物面上的电流分布公式,论述了表面电流法的基本原理。运用MATLAB软件对反射面天线的辐射场进行了数值计算,阐述了程序主要语句格式和功能以及计算的流程图,得到了天线的二维和三维方向图,直观清楚地表现出辐射方向图的特点,为绘制反射面天线的方向图提供了一种方法。     

三维物体计算全息的方法研究

为了探索提高三维物体计算全息图的生成速度的方法,比较了两种不同的方法。根据全息理论,对三维物体计算全息图的生成方法和原理进行了简单介绍。采用离轴全息进行的点源法和同轴全息进行的层析法分别对简单三维物体的全息图进行计算,同时对两种方法的特点和局限性进行了简单的比较,点源法方法简单,但运算速度较慢;层析法则需要在保证纵向分辨率的同时尽可能少的减少分层数量。最后,讨论了提高三维物体计算全息图生成效率的有效途径。     

速调管双间隙输出段的效率计算

本文在计算速调管双间隙输出段的效率时,不沿用传统的花费时间的电子圆盘时间积分法和过于简单化的空间电荷波法,而提出了一种新的综合性的计算方法。使用这种方法其所需计算时间比电子圆盘法要少得多;计算结果与热测结果基本吻合。     

数值吸收边界条件在OSRC方法中的应用

本文引入一种数值吸收边界条件,将其应用于解决开放空间电磁散射问题的表面辐射条件法(OSRC)之中。本文使用这种边界条件对理想导电及均匀电磁可穿透材料圆柱散射体的表面场进行了数值计算,并与使用二阶微分算子B_2型的吸收边界条件的结果作了比较。所有结果说明,这种数值吸收边界条件特大大改善OSRC方法的精度。     

激光微波管

激光微波管(lasertron)是80年代发展的超大功率微波源,目前尚处在研究的初期阶段。本文介绍了激光微波管的基本原理,并进行了一维分析。计算模型比较简单,但已经可以看出与常规微波管不同的许多特点。数值计算结果显示出了空间电荷影响的严重性。文中最后指出研究激光微波管遇到的一些关键技术问题。     

传输线矩阵(TLM)方法在分析天线阵辐射特性中的应用

本文运用传输线矩阵(Transmission-line Matrix.TLM)方法分析由理想点源构成的直线天线阵的中间区和远区的场特性,并对天线阵的辐射方向图进行了数值计算:本文计算结果与解析分析结果吻合得很好,表明TLM方法是分析天线阵的近区、中间区和远区场的分布特性以及辐射特性的一种较好的方法.