单片式PtSi肖特基势垒IR—ITCCD焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。     

128×128元焦平面阵列摄出清晰红外图像

重庆光电技术研究所在成功地研制32×64元和64×64元铂硅肖特基势垒红外焦平面阵列的基础上,又成功地研制成128×128元铂硅肖特基势垒红外焦平面阵列,并于1990年4月27日用该焦平面阵列摄出了极为清晰的.     

大线阵、大面阵红外CCD均匀性研究

本文主要研究用作3～5μm红外波段的PtSi/p—Si肖特基势垒大线阵512元和大面阵128×64元IRCCD器件的均匀性。从解决均匀性问题出发,在研制64元PtSi肖特基势垒IRCCD的过程中,开展了器件均匀性的研究,并做了大量实验。研究工作取得了一定的成绩。我们又将本论文的研究成果反馈到上述器件的研制中去,器件的非均匀性在30%以下,较好的器件可达0.9%。由于均匀性得以初步解决,该器件已摄出清晰的热图像(于1987年元月通过部级设计定型鉴定)。     

简讯

长波焦平面红外器件和CCD 美国无线电公司在美国高级研究规划局赞助下成功地制成用肖特基势垒探测器制造的红外焦平面传感器,它用CCD移位寄存器作多路传输,已用300℃的背景辐射测量。已做成的实验器件是25×50(1250)元阵列和62位线列,探测器均匀性<1％,温度分     

凝视式肖脱基红外电荷耦合焦平面的鉴定

概述肖脱基势垒红外探测器为制造高度均匀的单片式红外电荷耦合器件(IRCCD)焦平面阵列提供了可能。在p型硅上,PtSi的势垒高度约为0.27电子伏,红外响应延伸到～4.6微米。资料[1～6]论证了PtSi的IRCCD的热成象,本文介绍热成象的测量结果,所测红外相机的单片硅焦平面采用肖脱基内光电发射二极管和CCD读出电路。制成了256元PtSi肖脱基势垒IRCCD线列和25×50元面阵;图1为线列的光学     

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的红外响应

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管是短波红外CCD和焦平面的光敏元,利用成熟的硅大规模集成电路工艺可以把它和信息处理电路做在同一芯片上,因此,易于做成高密度多象元的器件。近几年来,这种器件发展很快,性能有很大的提高。目前,人们正在发展长波硅肖特基势垒红外CCD,因此,对硅肖特基势垒二极管的光谱响应十分关注。本文对硅化     

休斯首次研制出256×256元PtSi混合式肖特基势垒IRCCD

据《Photonics Spectra》1986年11月报导:休斯飞机公司已研制出256×256元的PtSi肖特基势垒混合式IRCCD阵列,阵列焦面集成的探测器元数多达65536个。值得注意的是,肖特基势垒IRCCD通常都采用标准的硅大规模集成工艺直接集成单片式器件,如RCA和日本的三菱电机公司就是采用的这种方案;而休斯却与众不同,     

硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列技术

本文讨论了硅化铱肖特基势垒红外探测器(IrSi-SBIRD)的典型结构和其制作技术;评述了硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列(IrSi-SBIRFPA)的现状。     

1024元高分辨率线阵IRCCD图像传感器

元中心间距为14μm 的1024元高分辨率红外电荷耦合器(IRCCD)图像传感器已研制成功。该器件主要用于遥感。IRCCD 传感器探测部分采用 PtSi/Si 肖特基势垒代替了常规的 Pd_2Si/Si 肖特基势垒。可用于中波和短波红外成像,其功率为7 mW,因而适宜于卫星应用。     

PtSi单片式红外CCD

本文讨论单片式 PtSi—Si(p)SB IRCCD 的工作机理、芯片结构、制备工艺及其性能改善,该器件适用于3～5μm 红外光谱区的热成像。本文还讨论了带新型光学共振腔结构的 PtSi 肖特基势垒光探测器阵列的制作与特性,最后介绍了该两维红外焦平面阵列(FPA)的应用及发展动向。     

PtSi肖脱基势垒IRCCD取得新进展

RCA是世界上研制肖脱基势垒单片式IRCCD器件时间最长、研究器件最多的公司。据IEEE Trans.ED,Vol.ED-32 №8.(1985)报导,RCA于1985年上半年又研制出了160×244元的PiSi肖脱基势垒单片式IRCCD焦而阵列,这比该公司1982年研制的64×128元的器件大大地前进了一步,其集成度提高了1倍,从而实现了红外摄象的标准TV隔行扫描工作(f/2.3光学)。这是世界上第一个工作于3-5μm波段的最大IRCCD焦面阵列。器件的主要特点和性能参数如下:     

硅化铱肖特基势垒列阵—实现长波红外成像的新途径

硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8～14μm)成像的焦平面技术。本文叙述了硅化铱肖特基势垒列阵的工作原理、结构及关键工艺,并介绍了该器件的发展状况。     

重庆光电技术研究所科技捷报

机电部重庆光电技术研究所科技人员,继128×128元 PtSi 肖特基势垒红外焦平面阵列研制成功之后,经过艰辛努力,于1992年3月初又研制成功256×256元 PtSi 肖特基势     

512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器

研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40％。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。     

128×128元红外凝视成象系统

本文简述在成功研制出国內首台应用焦平面技术的红外凝视式热象仪——IR-64N热象仪的基础上,采用机电部44所研制的128×128元硅化铂红外电荷耦合器件(PtSi IRCCD)、研制成功具有实用性的128×128元凝视成象系统,简述系统结构,给出系统性能指标和指出其应用前景。     

IR—64N红外焦平面凝视热象仪

一种3～5μm的红外焦平面凝视热象仪已研制成功。它采用32×64元PtSi肖特基势垒红外CCD焦平面探测器,数字化视频处理器进行固定图形噪声消除和响应率非均匀校正,输出与电视兼容的实时红外热图。本文详细描述了样机的设计原理,分析了系统的主要性能指标。结果表明这种凝视热成象系统具有较好的性能,结构简单,可靠性高和成本低。     

MSSBIRCCID焦平面阵列的进展(第一部分)

本文简要介绍由带光腔结构的肖特基势垒红外探测器(SBIRD)和埋沟型曲沟 CCD(BMCCD)、带电荷扫描器件(CSD)红外信号处理器组成的金属硅化物肖特基势垒红外电荷耦合成象器件(MSSBIRCCID)焦平面阵列的结构、制备方法及其进展。     

256×256元IRCCD的设计及灵敏度改善

叙述了256×256元PtSi肖特基势垒红外焦平面的工作原理和设计考虑。器件采用四相ITCCD结构。像元尺寸和填充系数分别为60×50(μm~2)和35％。采用薄金属膜和光腔结构改善了器件的灵敏度。势垒高度为0.22ev,相应的截止波长为5.6μm。在室温目标下,用该器件摄得了较好的红外图像。     

高性能肖特基势垒IR-CCD摄像传感器(特邀)

研制了32×63和64×128像素高性能PtSi和Pd_2Si肖特基势垒IR-CCD摄像传感器。80K下工作的PtSi肖特基势垒探测器(SBD_S)在3～5μm光谱区内具有百分之几的量子效率,截止波长6.0μm。工作在120～140K之间的Pd_2Si SBD_s在1.0～2.5μm光谱区的量子效率为1.0～8.0%,截止波长3.6μm。用64×128像素PtSi肖特基势垒IR-CCD摄像器件在60帧/秒的与IR兼容的TV摄像机中已经摄出了高质量的热像。用Pd_2Si肖特基势垒IR-CCD摄像传感器还得到了质量良好的SWIR反射红外摄像。     

凝视红外焦平面CCD非均匀性校正

对CCD器件的非均匀性校正的理论方法进行了讨论、分析和比较,并对32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面器件进行了响应率非均匀性的校正,针对该器件响应率非线性度大、传输率低、疵点数目多和噪声大等问题,选取先进的多点定标分段校正算法,实现了实时校正及显示。校正后,不均匀度为2%,图像质量明显得到改善。