12—18GHz宽带功率低噪声固态放大器

研制开发了１２－１８ＧＨｚ宽带功率固态放大器，主要技术指标：工作频率为１２－１８ＧＨｚ，增益Ｇｐ≥２５ｄＢ，输出功率ＰＯ≥４００ｍＷ输入输出驻波比ＶＳＷＲ≤２．５：１，噪声系数Ｆａ≤６ｄＢ。     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性、大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器。在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性，大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器，在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。     

12～18GHz宽带功率低噪声固态放大器

研制开发了１２～１８ＧＨｚ宽带功率固态放大器。主要技术指标：工作频率为１２～１８ＧＨｚ，增益ＧＰ≥２５ｄＢ，输出功率ＰＯ≥４００ｍＷ，输入输出驻波比ＶＳＷＲ≤２．５∶１，噪声系数Ｆｎ≤６ｄＢ。     

8毫米功率HBT研究

简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００ｍＷ，功率附加效率为３１．３％，增益为９．４ｄＢ；ｆｏ＝１２ＧＨｚ，输出功率为２３．６ｍＷ，增益６．１ｄＢ，功率附加效率为２３．４％。     

8—12GHz低噪声PHEMT单片集成电路

描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８￣１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８￣１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４￣１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４￣２．２０ｄＢ；ｆ＝８￣１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４￣１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４￣１．５ｄＢ。     

8毫米功率HBT研究

简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状，对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析，设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆＴ＝４０ＧＨｚ，ｆｍａｘ＝３２ＧＨｚ在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００ｍＷ，功率附加效率为３１．３％，增益为９．４ｄＢ，ｆ０＝１２ＧＨｚ，输出功率为２３．６ｍＷ，增益６．１ｄＢ，功率附加效率为２３．４％。     

8～12GHz低噪声PHEMT单片集成电路

描述了以ＰＨＥＭＴ为有源器件的８～１２ＧＨｚ宽带低噪声单片电路的设计及制造，获得了满意的结果。其性能为ｆ＝８～１２ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．５ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．２０ｄＢ；ｆ＝８～１４ＧＨｚ，Ｇａ＝１７．４～１９．９ｄＢ，Ｆｎ＝１．８４～２．５ｄＢ     

在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET

本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。     

8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

高温超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜测辐射热型红外探测器研究

用高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜设计并研制了单元及２×２阵列型红外探测器。其中２×２阵列型器件的四个单元探测器的Ｔｃ值及Ｒ－Ｔ特性相差≤３％。使用５００Ｋ黑体及Ｈｅ－Ｎｅ激光作为辐照源。单元及阵列器件最好的结果为噪声等效功率ＮＥＰ（５００，１０，１）分别为３．６×１０－１２和４．１×１０－１２Ｗ／Ｈｚ１／２，归一化探测率分别为１．６×１０１０和１．２×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ；响应率分别为８．２×１０４和７．２×１０４Ｖ／Ｗ。     

8￣18GHz双刀双掷开关研究

采用混合集成电路的方法,用ＰＩＮ管芯制作了８￣１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ,隔离度〉５９ｄＢ,开态驻波比≤１．６５,承受功率为连续波５Ｗ。吸收式ＤＰＤＴ开关插损≤２．９ｄＢ,隔离度〉５８ｄＢ,开态与全关断态驻波比≤２．１,承受功率连续波２Ｗ。电路由ＴＴＬ信号控制。     

X波段宽带功率放大器

介绍了８～１２ＧＨｚ宽带功率放大器的设计、制作。放大器的主要技术指标：工作频率８～１２ＧＨｚ，增益≥２３ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率≥２７ｄＢｍ，输入输出驻波比≤２∶１。     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。     

超低相位噪声超高速声表面波雷达频率综合器

介绍了一种新型的高性能雷达频率综合器的制作方法，即采用声表面波技术制作高性能的雷达频综器。采用这种方法成功地制造了Ｌ波段、Ｓ波段、Ｃ波段超低相位噪声超高速频率综合器。该类频综输出信号具有极低相位噪声（１．６ＧＨｚ处：单边带相位噪声Ｌｍ（１ｋＨｚ）＝－１２７ｄＢｃ／Ｈｚ；３．４ＧＨｚ处：Ｌｍ（１ｋＨｚ＝－１２２ｄＢｃ／Ｈｚ；６．８ＧＨｚ处：Ｌｍ（１ｋＨｚ）＝－１１６ｄＢｃ（Ｈｚ）、极短的频率切换时间（约１６０ｎｓ）、低杂波电平（Ｌ波段为－７０ｄＢ；Ｓ波段为－６５ｄＢ；Ｃ波段为－６０ｄＢ）、较多频点（５１点）等多项优异性能。同时，该频综通过了各项环境试验的考核，且长期工作性能稳定。     

X波段宽带功率放大器

介绍了８￣１２ＧＨｚ宽带功率放大器的设计、制作。放大器主要技术指标：工作频率８￣１２ＧＨｚ，增益≥２３ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率≥２７ｄＢｍ，输入输出驻波比≤２：１。     

8～18GHz双刀双掷开关研究

采用混合集成电路的方法,用ＰＩＮ管芯制作了８～１８ＧＨｚ双刀双掷开关。开关采用管芯全并联结构。反射式ＤＰＤＴ开关插损≤２．０ｄＢ,隔离度＞５９ｄＢ,开态驻波比≤１．６５,承受功率为连续波５Ｗ。吸收式ＤＰＤＴ开关插损≤２．９ｄＢ,隔离度＞５８ｄＢ,开态与全关断态驻波比≤２．１,承受功率连续波２Ｗ。电路由ＴＴＬ信号控制。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡—倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为－１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。     

InP基HEMT制作的全集成D波段单片振荡－倍频链

本文报道了Ｄ波段单片振荡－倍频链的设计、ＭＭＩＣ制作及测试。该电路用亚微米（０．１μｍ）ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ制造，且芯片上有稳定偏压电路，一个集成的Ｅ场探针书信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为１３０．５ＧＨｚ至１３２．８ＧＨｚ，输入功率为—１２ｄＢｍ，设计的ＨＥＭＴ小栅宽为４５μｍ。这是首次报道的用ＩｎＰ基ＨＥＭＴ制作的Ｄ波段单片振荡－倍频链。