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采用水热法制备了ZnS∶Mn,Cu电致发光材料,利用透射电镜对发光材料的结构和形貌进行表征,并且探讨了Cu2+、Mn2+掺杂量和反应温度对ZnS∶Mn,Cu发光材料亮度的影响。结果显示,随着Cu2+、Mn2+掺杂量的增加,发光材料的亮度也随之增加,但对于Cu2+、Mn2+掺杂都存在最佳值,当Cu2+掺杂量0.2%,Mn2+掺杂量4%,温度150℃时,得到的电致发光材料亮度较高,粒径约10nm左右。 相似文献
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采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法,在广义梯度近似(GGA)框架下,研究了纯净闪锌矿ZnS-B3和Na掺杂ZnS后的晶体结构、电子结构和光学性质。详细分析了不同Na掺杂浓度对ZnS的晶格常数、电子态密度和能带结构的影响,讨论了费米能级附近的电子组态对ZnS光学性质的影响。结果表明,掺杂Na对ZnS光学性能有极大的影响,当Na离子掺杂浓度为6.25%(原子分数)时,表现出较好的综合光学性质;当掺杂浓度为12.5%(原子分数)时,体系有效负电荷离子浓度增加,S3p态穿过费米能面,引起S3p态电子产生跃迁,在低能量红外区域产生新介电峰,引起光吸收,降低了ZnS材料的透红外性能。理论预测结果与文献报道的实验结果相吻合。 相似文献
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采用第一性原理方法计算比较了Ag、O和N单掺杂、Ag-O和Ag-N二元掺杂以及Ag-O-N三元共掺杂闪锌矿ZnS的晶型结构、电荷分布、能带和态密度以及光学特性.N、O对晶格结构的影响大于Ag,结构优化和电荷分布结果显示晶格畸变随着掺杂组分的增多不断增大.形成能计算表明,N最易掺杂,组分越多,掺杂越难实现.Ag、O和N各组分掺杂ZnS后能带间隙均有所减小,Ag、N掺杂ZnS更有利于价带顶上移,部分能带越过费米能级,形成电子跃迁的过渡能级,有利于光催化反应.Ag-O-N三元掺杂ZnS后在可见光区的吸收峰最大,有利于提高ZnS对可见光的利用率. 相似文献
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掺杂和表面改性是稳定锂离子二次电池正极材料结构、改善其电性能的有效方法.综述了国内外近年来正极材料掺杂与表面改性的研究进展,介绍了镍系和锰系正极材料掺杂与表面改性对其结构和电性能的影响,并从促进Li 、电子传递和稳定结构2个方面进行了归纳,认为今后研究掺杂的重点应放在掺杂元素的选择、掺杂离子在晶体中的分布、掺杂离子价态的变化、掺杂离子相互间协同作用机理等方面.而表面改性将向着研究更为稳定的、Li 透过率更高的薄膜方向发展. 相似文献
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碳纳米管用氨水、乙二胺四乙酸(EDTA)进行表面改性, 然后通过硫代乙酰胺、醋酸锌、水和表面改性的碳纳米管在水浴超声条件下发生溶液化学反应, 在碳纳米管表面包裹了一层分布均匀、致密的ZnS纳米晶粒. 用XRD、TEM、SAED、SEM、FTIR、PL等表征手段对材料进行了结构及性能表征. 研究结果表明: 对碳纳米管进行乙二胺四乙酸处理是实现ZnS纳米晶粒在碳纳米管表面均匀、致密包裹的重要因素, 碳纳米管/ZnS复合材料的光致发光性较之相同方法合成的ZnS, 俘获态发射峰蓝移6nm, 而能带边缘发射峰蓝移16nm. 通过对FTIR及不同表面改性碳纳米管的对比试验研究, 给出了碳纳米管/ZnS复合材料的形成机理. 相似文献
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以普通硅酸盐水泥P.O 42.5为基体材料,石墨烯为增强材料,制备出了不同石墨烯掺杂量(0,0.04%,0.08%和0.12%(质量分数))的改性混凝土。研究了石墨烯掺杂量对改性混凝土晶体结构、微观形貌、力学性能和抗冻性能的影响。结果表明,石墨烯的掺杂并未生成新的水化产物,但加速了水化反应的速率,生成的水化产物凝胶填充到混凝土的缝隙中,提高了混凝土的致密性;当石墨烯的掺杂量为0.08%(质量分数)时,改性混凝土的孔隙数量最少、密实度最大,其形貌最佳;石墨烯改性混凝土在各养护龄期下的抗压强度均随着石墨烯掺杂量的增加而先增大后减小,在28 d的养护龄期下,当石墨烯的掺杂量为0.08%(质量分数)时,改性混凝土的抗压强度达到了最大值48.62 MPa;在60次冻融循环后,当石墨烯的掺杂量为0.08%(质量分数)时,改性混凝土的质量损失率最小为0.414%,相对动弹性模量最大为94.02%,石墨烯改性混凝土的抗冻性能显著改善。综合分析可知,改性混凝土中石墨烯的最佳掺杂量为0.08%(质量分数)。 相似文献
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Eu2+离子在Sr2Al6O11基磷光体中发光行为的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了不同Eu掺杂浓度对Sr2Al6O11基磷光体发光性能的影响。结果发现,当Eu掺杂浓度低于0.01mol时,在其发射光谱中存在403和493nm的主发射峰,对应着Sr2Al6O11基质中Sr的两种不同位置Sr1和Sr2位。随着Eu掺杂浓度增加,由于能量传递作用,导致403nm的发射峰消失,493nm的发射峰增强。余辉衰减曲线表明,未掺杂Dy的磷光体没有余辉性能,当Eu掺杂量在0.01mol时,余辉性能最好,进一步提高Eu的掺杂量,由于浓度猝灭作用,导致发光性能下降。 相似文献
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Li CHEN Hua LI Liangmo MEIPhysics Microelectronic School Shandong University Jinan China Department of Physics Linyi Teachers University Shandong China 《材料科学技术学报》2004,20(2):203-205
The electronic structures of new superconducting perovskite MgCNi3 and related compounds MgCNi2T (T=Co, Fe, and Cu) have been studied using MS-Xa method. In MgCNi3, the main peak of density of states is located below the Fermi level and dominated by Ni d. From the results of total energy calculations, it was found that the number of Ni valence electron decreases faster for the Fe-doped case than that for the Co-doped case. The valence state of Ni changes from +1.43 in MgCNi2Co to +3.02 in MgCNi2Fe. It was confirmed that Co and Fe dopants in MgCNi3 behave as a source of d-band holes and the suppression of superconductivity occurs faster for the Fe-doped case than that for the Co-doped case. In order to explain the fact that Co and Fe dopants in MgCNi3 behave as a source of d-band holes rather than magnetic scattering centers that quench superconductivity, we have also investigated the effects of electron (Cu) doping on the superconductivity and found that both electron (Cu) doping and hole (Co, Fe) dopin 相似文献
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氧化铈的电子导电性较低、氧空位数量少, 难以单独用作为电催化剂。但是掺杂过渡金属或非金属元素可以提高氧化铈的CO催化能力, 同时在氧化物中掺杂钴可有效提高材料的电催化能力, 因此本工作开展了对钴掺杂的氧化铈电催化性能的研究。采用均相沉淀法制备了钴掺杂的氧化铈纳米粒子, 电化学测试发现当钴掺杂比例为20mol%时, 氧化铈纳米粒子对氧气还原反应(ORR)和氧气析出反应(OER)的综合催化能力最强。经过10 h的长时间催化作用, ORR、OER过程中的电流密度分别下降了20%、5%左右, 远优于贵金属和未掺杂氧化铈纳米粒子催化剂, 显示出良好的催化稳定性。拉曼光谱、阻抗图及XPS谱图等的测试分析表明钴掺杂后材料的电荷转移阻抗降低(电子导电性的提高)、氧活性物种和氧空位增加是氧化铈催化性能提高的主要原因。本工作通过钴掺杂大幅度提高了氧化铈的电催化性能, 同时为其它离子导体作为双功能电催化剂的使用提供了借鉴。 相似文献
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Abstract:
Bulk superconductivity was observed in a new iodine-treated aggregated form of solid C60, believed to be a “polymer”, by doping with alkali metal. Evolution of superconducting (Tc = 17.2 K) and normal-state properties, has been studied as a function of doping with K. The normal-state dc susceptibility exhibited a complex behavior with the increasing K uptake, evolving from an enhanced paramagnetism at low doping level, to a weakly temperature-dependent diamagnetism at the optimum doping level for superconductivity, and ending with a strong temperature-independent diamagnetism in over-doped samples. The measured superconductivity parameters, such as Tc, London penetration depth and the Ginzburg-Landau coherence length, are compared with those of the monomer K3C60. and the main factors determining the differences between the two systems are discussed. 相似文献
Bulk superconductivity was observed in a new iodine-treated aggregated form of solid C60, believed to be a “polymer”, by doping with alkali metal. Evolution of superconducting (Tc = 17.2 K) and normal-state properties, has been studied as a function of doping with K. The normal-state dc susceptibility exhibited a complex behavior with the increasing K uptake, evolving from an enhanced paramagnetism at low doping level, to a weakly temperature-dependent diamagnetism at the optimum doping level for superconductivity, and ending with a strong temperature-independent diamagnetism in over-doped samples. The measured superconductivity parameters, such as Tc, London penetration depth and the Ginzburg-Landau coherence length, are compared with those of the monomer K3C60. and the main factors determining the differences between the two systems are discussed. 相似文献
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研究了不同Eu掺杂浓度对Sr2Al6O11基磷光体发光性能的影响.结果发现,当Eu掺杂浓度低于0.01mol时,在其发射光谱中存在403和493nm的主发射峰,对应着Sr2Al6O11基质中Sr的两种不同位置Sr1和Sr2位.随着Eu掺杂浓度增加,由于能量传递作用,导致403nm的发射峰消失,493nm的发射峰增强.余辉衰减曲线表明,未掺杂Dy的磷光体没有余辉性能,当Eu掺杂量在0.01mol时,余辉性能最好.进一步提高Eu的掺杂量,由于浓度猝灭作用,导致发光性能下降. 相似文献
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元素掺杂是提升催化剂性能的重要方法。研究采用快速沉淀法制备了钴掺杂氧化铜(Co-doped CuO)纳米催化材料,在可见光条件下,20 min内其活化的过氧硫酸氢钾复合盐(PMS)对罗丹明B染料的降解率达到96%以上,远优于同等条件制备的CuO。本研究还考察了溶液pH、染料初始浓度、催化剂用量等对降解效率影响。钴掺杂后氧化铜纳米颗粒由三维针梭状结构转变为近二维薄带状结构。同时钴掺杂提高了CuO的平带电位进而提升了电荷转移效率。XPS及EPR结果表明钴掺杂能够提高CuO的氧空位含量进而提升催化活性。捕获剂实验结果表明反应过程中的主要活性物种为空穴(h+VB),且羟基自由基(·OH)、单线态氧(1O2)、超氧自由基(·O2–)、硫酸根自由基(SO4–·)也参与了降解反应。最后,本文初步阐明了Co-doped CuO协同可见光活化PMS降解有机污染物的反应机理。 相似文献
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以Ho为掺杂元素,采用热压烧结方法制备Bi4-xHoxTi3O12陶瓷,重点研究了Ho掺杂量对其物相组成、致密度、微观结构和铁电性能的影响.首先以Bi2O3、TiO2和Ho2O3微粉为原料,利用固相反应在900℃合成出主晶相为Bi4Ti3O12的Bi4-xHoxTi3O12(x=0~0.8)粉体;然后,将合成粉体在850℃、30 MPa条件下热压烧结,当Ho掺杂量x=0~0.4得到了物相单一、整体致密(>99%)的Bi4-xHoxTi3O12陶瓷.随Ho掺杂量的增加,Bi4-xHoxTi3O12陶瓷的剩余极化强度呈现先增大后减小的趋势,主要与氧空位浓度和不同掺杂浓度引起的掺杂位置的不同有关.在Ho掺杂量x=0.4时,其剩余极化强度最大(2Pr=13.92μC/cm2),远大于未掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷,说明适量Ho掺杂能有效改善其铁电性能. 相似文献