射频微机电系统技术现状

较全面地介绍了 RF MEMS 器件、由 RF 器件构成的组件及应用系统,并给出了一些新的典型示例。通过比较 RF MEMS 器件与传统微波器件在性能、尺寸等各方面的差别,可以了解 RF MEMS 技术在相控阵雷达上运用的优势。     

移动互联网络时代MEMS技术的创新发展

微电子机械系统(MEMS)技术是半导体微电子学的创新,利用Si基集成电路的平面工艺从两维加工向三维加工发展,开创了MEMS新的领域。综述并分析了与信息产业以及移动网络相关的MEMS主流产品(加速度计、陀螺仪、微麦克风、数字微镜器件(DMD)、喷墨头和RF MEMS)的技术发展现状和趋势,同时预测了MEMS新兴产品(光滤波器、微小电子鼻、微扬声器、微超声器、微能量采集器和纳机电系统(NEMS))的科研现状和面临的技术挑战。从当前世界MEMS技术发展的特点(系统集成、与CMOS工艺结合走向标准加工、纳米制造与微米、纳米融合和多应用领域扩展)出发,结合国内MEMS技术发展的现状,提出我国MEMS技术发展的建议。     

发展中的RF MEMS开关技术

射频MEMS开关是用MEMS技术形成的新的电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大的影响。介绍了射频MEMS开关的工作原理、优化设计,分析了可靠性问题,举例说明了射频MEMS开关的应用,指出了其发展所面临的问题。     

发展中的RF MEM5开关技术

射频MEMS开关是用MEMS技术形成的新的电路元件,与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大、线性度好等优点,将对现有雷达和通信中RF结构产生重大的影响.介绍了射频MEMS开关的工作原理、优化设计,分析了可靠性问题,举例说明了射频MEMS开关的应用,指出了其发展所面临的问题.     

射频MEMS封装技术

MEMS在射频(RF)应用领域表现出的低功耗、低损耗和高数据率的优越特性为RF无线通信系统及其微小型化提供新的技术手段。在产品设计的初期阶段,RF MEMS封装的设计考虑是降低成本、提高产品合格率的有效途径。我们主要针对当前RF MEMS器件与电路设计制造中突出的问题——封装技术进行研究,指出封装在产品设计中的重要地位和技术实现方法,特别介绍了计算机仿真在RF MEMS器件与电路封装中的作用。     

MEMS封装技术及设备

概述了进入后摩尔时代的MEMS技术,通过TSV技术整合MEMS与CMOS制程,使得半导体与MEMS产业的发展由于技术的整合而出现新的商机。主要介绍了MEMS器件封装所面临的挑战及相应的封装设备。     

新型MEMS器件-光栅光阀(GLV)的原理及应用

MEMS(微机电系统)器件可同时结合机械功能和电子电路,一般采用半导体工艺来制造从微米到毫米级的器件.MEMS器件的应用范围非常广泛,包括传感器、液体力学、光学、RF、存储和生物技术应用.     

新型MEMS器件-光栅光阀(GLV)的原理及应用

MEMS(微机电系统)器件可同时结合机械功能和电子电路,一般采用半导体工艺来制造从微米到毫米级的器件.MEMS器件的应用范围非常广泛,包括传感器、液体力学、光学、RF、存储和生物技术应用.……     

RF MEMS开关的研究进展及其应用北大核心

射频微电子机械系统（RF MEMS）开关是射频电子系统中的关键器件,首先简要介绍了RF MEMS开关的结构特点及分类方式,综述了RF MEMS开关的发展现状,列举了国内著名科研机构具有代表性的成果,并对比了其结构特点及性能参数,指出国内RF MEMS开关正向着小体积、宽频化、低驱动电压、高性能指标的方向发展。此外,还阐述了RF MEMS开关在多位移相器、可调滤波器、可重构天线等方面的应用,其在与多器件的集成和联合运用中潜力巨大。最后,分析了现有的RF MEMS开关的发展瓶颈,并展望了其以设计新结构、探寻新材料、探索新工艺、多种驱动方式相结合、多器件相集成为未来发展新方向。研发制作新的RF MEMS开关及其功能系统必将会对射频微波领域造成巨大影响。     

Plan Optik AG推出300mm玻璃晶圆产品

长期以来德国MEMS衬底制造商PlanOptik一直是玻璃晶圆市场的领衔企业，因此PlanOptik推出世界首个直径为300mm的玻璃晶圆产品生产线，随之设定了玻璃晶圆生产规格的新标准。多年来300mm一直是半导体应用产品中Si晶圆的标准，现今也逐渐成为MEMs产业的标准。MEMS系统较为复杂，它把机械、电气以及光学功能融为一体，因此以300mm为标准对于MEMS产业来说将是一个巨大的挑战。     

无线通信领域MEMS器件的研究进展

无线通信技术的发展对系统小型化提出了要求,用IC技术制造的电路无源器件的性能无法满足要求,利用MEMS技术不仅能将器件小型化,与,电路集成实现单片化,并且器件性能也能达到要求。近年来,用MEMS技术制作电容、电感、开关以及谐振器等无源器件成为MEMS的又一个新的研究领域。文章简单介绍了无线通信领域MEMS器件的研究进展。     

小尺寸IOGHz RF MEMS开关

Omron Type 2SMES-01 MEMS据称是最小的10GHz RF MEMS开关，8GHz时为1dB插入损此开关目标用于ATE，RF测量仪器以及类似应用，相比于标准电动机械器件，其耐用性，RF传输性能以及低功耗性能卓越，而且具有超紧凑外形因子。很多测试设备应用使用一系列开关器件，以及微型尺寸新器件提供一个重要的节约空间的机会，     

名词术语释义——CMOS MEMS工艺

大多数MEMS器件制作技术是将相应的结构构造在CMOS上的薄膜上，而CMOSMEMS是在标准CMOS半导体材料内直接将MEMS结构构造于CMOS的金属介电层上。这些层是在标准CMOS工艺流程中沉积的，与在CMOSMEMS裸片上的传感器共享相同的硅衬底，并在片上进行连接。CMOSMEMS使把所有机电传感器结构加之模拟和数字信号处理功能整合进单一芯片成为可能，从而将声学、惯性和RF系统集成在一个芯片内。     

用于射频无线通信的MEMS器件

无线通信的发展已成为推动半导体工业发展的真正动力，许多半导体公司为了在这一领域占有一席之地正大力开发微电机械系统(MEMS)。实现目标的途径之一是设计出可集成无源器件的方法，这些器件占当今无线手机中所用器件的70％。研究人员目前正努力开发芯片集成技术，MEMS技术便是其中的重要组成部分。MEMS已用于开关、滤波器、局域振荡器、可调电容器及高品质因数电感线圈等。制作这些器件的光刻条件与那些标准的在极端复杂的表面上进行的半导体制造工艺大相径度。本文讨论了制作这些器件的难点以及一些经证明可以满足要求的制作方法。     

静电式RF MEMS开关的可靠性

MEMS开关是最常见的RF MEMS控制元件,是RF结构中一个关键的MEMS器件。长期可靠性是目前制约MEMS开关商业化进程中的一个主要问题。主要综述了静电式RF MEMS开关可靠性的新进展。欧姆式开关通常由于黏附或接触电阻的增大而失效,电容式开关的主要失效机理则与电介质层的充电有关。接触材料的选择是决定欧姆开关可靠性最重要的一个因素,"主动断开/被动接触"MEMS开关适用于软金属材料欧姆接触的可靠性要求。改善电容式开关可靠性的途径是改善介电层、优化驱动电压波形等以减小介质层的充电。     

把握市场脉博 提供贴身服务——访东电电子（上海）有限公司总裁陈捷

随着近年来中国大陆正逐步发展成为世界半导体产业的制造中心，国内外IC制造企业在中国大陆的迅速崛起，世界知名半导体设备制造商为满足IC制造企业的需求也纷纷登陆中国。著名的半导体设备供应商Tokyo Electron Limited(TEL)公司，看好中国市场也是最早参与中国半导体产业发展的公司     

射频三维微纳集成技术

后摩尔时代，半导体技术的发展主要有延续摩尔（More Moore）和超越摩尔（More than Moore）两条路径，延续摩尔通过新材料新范式，沿着摩尔定律进一步将线宽逐渐微缩至3 nm甚至进入埃（?）量级，超越摩尔则是采用异质异构三维微纳集成的途径来满足下一代电子高速低功耗高性能的需求。异质异构集成可以充分利用不同材料的半导体特性使得系统性能最优化。射频三维微纳集成技术推动高频微电子从平面二维向三维技术突破，成为后摩尔时代高频微电子发展的重要途经。射频三维微纳异质异构集成技术利用硅基加工精度高、批次一致性好、可以多层立体堆叠等特点，不断推动无源器件微型化、射频模组芯片化、射频系统微型化技术发展。本文介绍了射频三维微纳技术发展趋势，并给出了国内外采用该技术开拓RF MEMS器件、RF MEMS模组以及三维射频微系统技术发展和应用案例。     

实现最低成本——是我国芯片业生存发展的关键

本文是作者5月发表于本刊《中国半导体产业投资热潮解析》的姊妹篇。如果说上篇是现状的理性感受，那么，本篇则是具体的措施建议。一以贯之的是作者对建设中国半导体产业的一种新思维、新理念。作者长期从事中国半导本业建设的实践，经验丰富，体会深刻，教训也不少。针对中国现状，作者认为，应摒弃原先技术跟踪的一条路，投资大，时间长，效果却很不理想，倒不如换条道—“以市场为基础，成本为关键。”千方百计降低成本，提高自身竞争力，求得良性循环，自我发展，积累资金技术，再转向技术升级。亲爱的读者，您以为如何？     

RF MEMS的关键技术与器件

文章介绍了RF MEMS的基本概念、基本特征与关键工艺技术。文章在介绍了RF-MEMS 元器件的基础上,对RF MEMS与MMIC进行了比较,分析了RF MEMS需解决的重点问题。最后对 RF MEMS的发展前景进行了展望。     

RF MEMS器件驱动机制理论与分析

介绍了驱动机制在RF MEMS器件制作中所处的地位。以悬梁类型的RF MEMS开关为例,介绍了RF MEMS器件的各种驱动方式,给出了其原理结构图;详细分析了静电驱动、压电驱动、热驱动和磁驱动的原理。对各种驱动机制进行了比较和分析,得出应根据不同场合和不同参数要求,选择不同驱动机制的驱动器。