磁场下电沉积制备Co-W合金镀层

在磁场下电沉积制备Co-W合金镀层,研究了磁场强度对镀层沉积速率、微观形貌、成分以及磁性能等的影响.结果表明:沉积速率随着磁场强度的增大而显著提高;洛伦兹力可以降低电极表面的浓差极化,避免氢气的析出,使镀层均匀、致密;随着磁场强度的增大,镀层的比饱和磁化强度逐渐增大,而矫顽力呈先增大后减小的趋势,当磁场强度为0.5T时,矫顽力最大.     

电沉积制备Co-Pt-Mo磁性薄膜

通过电沉积方法在铜基底上制得Co-Pt-Mo磁性薄膜。通过对镀液的循环伏安分析,确定了合适的沉积电位。研究了pH值对薄膜的成分、表面形貌、结构以及磁性能的影响。结果表明:随着pH值的增大,薄膜中Co的质量分数从26.9%逐渐增加到63.8%,矫顽力与比饱和磁化强度分别从0.3kA/m和189kA/m增加到24.1kA/m和1 283kA/m。     

电沉积三元铁基非晶磁性合金薄膜的研究进展

叙述了电沉积三元铁基非晶磁性合金薄膜的工艺条件,包括Fe-Ni-S、Fe- Ni- Cr、Fe-Ni-W、Fe-Co-Ni及Fe-P-B等五种典型合金薄膜.介绍了铁基非晶磁性合金薄膜的耐蚀性、耐磨性、热稳定性以及磁学等功能性能,指出了未来铁基非晶磁性合金薄膜的研究方向.     

机械轴承表面电沉积制备Co-W/ZrO2复合镀层

采用电沉积技术在GCr15轴承钢板表面制备了Co-W/ZrO_2复合镀层,并研究了纳米ZrO_2微粒的质量浓度对镀层性能的影响。研究发现:随着纳米ZrO_2微粒的质量浓度的增加,镀层的沉积速率和厚度增大;加入纳米ZrO_2微粒,有利于细化镀层晶粒,改善镀层的耐磨性;当纳米ZrO_2微粒的质量浓度为12 g/L时,镀层表面均匀、致密,孔隙率低,具有较好的性能。     

磁场下电沉积制备Co-Pt-P磁性薄膜

在磁场下电沉积制备Co-Pt-P磁性薄膜。研究了电流、温度、磁场强度对薄膜性能的影响。结果表明:磁场对镀层的成分、微观结构及磁性能有一定程度的影响。     

脉冲技术电沉积铅镉合金的研究

通过对氨基磺酸盐体系中铅、镉产铅－镉镀液的阴极化曲线的研究,结果表明镀液中加入添加剂间苯二酚,显著增加电极化及改善镀层性能;用脉冲电沉积代替常规直流电沉积铅－镉,结果表明,脉冲电沉积所得镀层质量上流法有明显改善;原子吸收分光光度法测定表明,直流电沉积和脉冲电沉积可以得到不同含量的铅镉合金镀层。     

电沉积Co-Pt-W磁性薄膜及其性能的研究

使用电沉积技术制备了磁性能较好的Co-Pt-W薄膜,并研究了pH值对薄膜的成分、结构、表面形貌和磁性能的影响。研究发现:Co-Pt-W薄膜是一种具有fct四方结构的晶态颗粒膜。随着pH值的升高,Co-Pt-W薄膜中Co和W的质量分数下降,而Pt的质量分数增大。pH值过低,析氢作用明显,Co-Pt-W薄膜表面颗粒较大,并且孔隙率高。增大pH值,有利于细化Co-Pt-W薄膜表面颗粒并降低孔隙率,从而提高矫顽力。     

钼酸钠对电沉积Co-Pt-Mo磁性薄膜性能的影响

在纯铜表面制备了Co-Pt-Mo磁性薄膜,并研究了钼酸钠的质量浓度对Co-Pt-Mo磁性薄膜性能的影响。结果表明:随着钼酸钠的质量浓度的增加,Co-Pt-Mo磁性薄膜的厚度和电流效率显著提高,钴和钼的质量分数逐渐增大,使得比饱和磁化强度增大。然而,当钼酸钠的质量浓度为10 g/L时,由于剧烈的析氢和金属氢氧化物胶体的阻碍作用,使得电流效率下降,Co-Pt-Mo磁性薄膜表面的颗粒发生团聚现象,孔隙率增大,矫顽力降低。当钼酸钠的质量浓度为8 g/L时, Co-Pt-Mo磁性薄膜具有致密的结构和最大的矫顽力。     

电沉积钕铁硼磁性薄膜工艺

采用循环伏安法在铜电极上进行了NdFeB稀土永磁薄膜电沉积的初步探索。镀液组成为:FeCl240g/L,H3BO336g/L,抗坏血酸1.2g/L,十二烷基硫酸钠0.1g/L,甘氨酸、氯化铵各30g/L(作为配位剂),NdCl38～16g/L。探讨了配位剂对该体系镀液循环伏安特性的影响,并研究了镀液中NdCl3含量和电沉积终止电位对镀层形貌和外观的影响。结果表明,镀液中加入配位剂后,Fe2+起始沉积电位负移,而Nd3+的还原电位正移。Fe元素能诱导Nd元素进行共沉积,实现在水溶液中电沉积制备稀土永磁薄膜。循环伏安沉积的终止电位和镀液中NdCl3的含量对NdFeB薄膜的形貌和外观影响较大。镀液中NdCl3为8g/L、终止电位为1.7V时,可制得Nd的质量分数高达5.69%、较光亮致密的NdFeB薄膜。     

脉冲准分子激光沉积纳米WO3多晶电致变色薄膜的研究

采用脉冲准分子激光大面积扫描沉积技术,在不同条件下,在透明导电衬底SnO2:In2O3(ITO）及Si (111)单晶衬底上沉积了非晶WOx薄膜,采用X射线衍射（XRD）、Raman光谱（RS）、Fourier红外光谱（FT－IR）及透射电镜扫描附件（STEM）对在不同条件下沉积及不同温度退火处理的样品进行了结构分析,结果表明：氧气氛和衬底温度是决定薄膜结构和成分的主要参数,采用三斜相的WO3靶材,在100℃及20Pa氧压下沉积,经300℃以上退火处理,在Si（111）及ITO衬底上得到了三斜相的纳米晶WO3薄膜,随着氧压的减少,薄膜中氧缺位增多,采用ITO基片,氧20Pa,经300℃热处理的薄膜,呈多晶态,晶粒分布均匀,晶粒平均尺寸为20－30nm,经400℃热处理的薄膜,呈多晶态,晶界明显,晶粒分布呈开放型多孔结构,晶粒平均尺寸30－50nm,这一典型的结构有利于离子的注入和抽出。     

电沉积钴-钨合金薄膜的磁性能及其测量方法

采用电沉积技术在纯铜片上制备了钴-钨合金薄膜,并研究了钴-钨合金薄膜的磁性能与其厚度、结构及表面形貌等的关系。结果表明:钴钨电沉积属于诱导共沉积,钨在钴表面氢原子的催化作用下与钴发生共沉积。钴-钨合金薄膜的厚度约为6μm,属于Co₃W四面体结构,其表面由典型瘤状颗粒构成。钴-钨合金薄膜垂直方向的磁性能优于平行方向的磁性能,最大矫顽力为74.42 kA/m。     

镀金工艺中脉冲电镀与添加剂的相容性的探讨

在光亮镀金工艺中引入脉冲电流，选择合适的脉冲电流参数，获得满意的镀层，节约了金的用量。     

脉冲电镀的研究现状

介绍了脉冲电镀的工作原理、特点、波形种类等．回顾了近几年来脉冲电镀在镀锌、镀铬、镀镍、镀铜、镀金、镀银及其合金等领域的应用研究现状,以及脉冲电镀在印刷电路板微孔镀铜、制造纳米晶、纳米多层膜等新兴领域的应用研究,并对脉冲电镀今后的发展前景作了展望。     

添加剂对脉冲酸性镀铜通孔均匀沉积的影响

研究了在脉冲酸性电镀铜工艺中,不同相对分子质量的聚乙二醇及聚二硫二丙烷磺酸钠的质量浓度以及搅拌条件对微孔直径为300μm,深径比为7.3:1的通孔填充效果的影响。结果表明,随着聚乙二醇相对分子质量增大,通孔内壁铜沉积的均匀性逐渐增大,当聚乙二醇相对分子质量为8 000和12 000时,通孔的均匀度达到90%以上;当镀液中聚二硫二丙烷磺酸钠的质量浓度为4～6 mg/L、搅拌速率保持在700 r/min时,通孔内壁上可以镀覆一层均匀的铜导电层。     

脉冲参数对磺基水杨酸镀液镀银性能的影响

以硝酸银为主盐,磺基水杨酸为络合剂,醋酸铵和氨水为pH调节剂.研究了平均电流密度、脉冲宽度、占空比、溶液pH对镀层以及抗变色性能的影响;利用X-射线衍射分析研究了镀层结构.实验结果表明:常温下Jm=0.3 ～ 0.5 A/dm2,脉冲宽度为0.1 ～ 4 ms,占空比为5% ～ 25%,pH=8.8 ～ 9.3时,可以获得结合紧密、光亮细致的银镀层,且抗变色性能及耐腐蚀性均增强;X-射线衍射分析显示镀层主要成分是Ag.     

脉冲无氰镀银及镀层抗变色性能的研究

采用赫尔槽试验筛选出一种阴离子表面活性剂及含氮杂环化合物作为脉;中无氰镀银的添加剂,并初步确定了无氰镀银的工艺条件及脉冲条件一通过正交试验进一步化化脉冲条件及镀银添加剂含量分别为：脉宽1ms、占空比10％、平均电流密度0．6A／dm^2、阴离子表面活性剂及含氮杂环化合物含量分别为12mg/L、110mg/L测定了该镀银层的耐蚀性、抗变色性能及与基体的结合力,并用扫描电镜对其微观形貌进行了观察。结果表明,脉冲无氰镀银层的抗变色性能优于直流无氰镀银层;光亮镍打底后再脉冲无氰镀银,可获得更加光亮、结晶细致的镀银层,且抗变色性能及耐蚀性均增强.     

脉冲镀镉工艺的研究

在氰化物光亮电镀镉工艺的基础上进行脉冲镀镉研究。阐述了脉冲电镀的基本概念,介绍了脉冲镀镉的工艺过程,比较了脉冲镀镉层与直流镀镉层的性能,并简要阐述了镀前消除应力和镀后除氢与氢脆之间的关系。     

脉冲电镀铬的研究现状与展望

回顾了近年来脉冲电镀铬的技术研究现状,综述了脉冲电镀铬的特性,脉冲电镀得到的铬镀层结构不同于直流镀层,其孔隙率低,裂纹数目少,双向脉冲电镀铬可在电镀过程中不断修饰镀层表面,在特定条件下还可获得多层纳米晶结构,可大幅度改善镀铬层的抗腐蚀性能。     

镀液温度对脉冲电镀Zn-Ni-Mn合金镀层的影响

采用脉冲电镀法在Q235钢表面制备了Zn-Ni-Mn合金镀层。研究了镀液温度(25~40℃)对合金镀层成分、沉积速率、表面形貌和耐蚀性的影响。结果表明,随镀液温度升高,Zn-Ni-Mn合金镀层中锰的质量分数降低,锌和镍的质量分数升高;沉积速率增大;镀液θ为30℃时制备的Zn-Ni-Mn合金镀层晶粒大小均匀,表面平整致密,耐蚀性最好。