短沟Trench MOSFET阈值电压解析模型

传统MOS器件的阈值电压模型被广泛地用于分析Trench MOSFET的阈值电压,这种模型对于长沟道和均匀分布衬底的MOS器件来说很合适.但是对于Trench MOSFET器件来说却显现出越来越多的问题,这是因为Trench MOSFET的沟道方向是垂直的,其杂质分布也是非均匀的.本文基于二维电荷共享模型,给出了Trench MOSFET的一种新的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律,模型的结果和器件仿真软件Sivaco TCAD的仿真结果吻合较好.该模型较好地解决了以往所用的Trench MOSFET阈值电压模型计算不准确的问题.     

一种900V超结VDMOSFET器件的设计与仿真

功率MOSFET在现代电子工业中已经得到了广泛的运用,然而在高压功率MOSFET器件中,如何平衡功率MOSFET的击穿电压与导通电阻的冲突一直是研究热点。结合超结理论和传统功率VDMOSFET的生产工艺设计了一款高压超结VDMOSFET器件,运用半导体器件仿真软件对器件结构进行优化,得到P柱区和N柱区掺杂浓度和厚度的最优值和工艺参数。仿真结果表明,设计的超结VDMOSFET器件击穿电压和导通电阻分别为946 V和0.83Ω,很好地平衡了功率MOSFET击穿电压与导通电阻的冲突。     

工作电压1.8V的功率MOSFET——系列器件为便携式设计中的低电压应用扫清了障碍

十二种新型的Little Foot MOSFET系列产品据称是业界首批工作电压低到1.8V的功率MOSFET。由于解决了在低电压下负载切换的问题,这种P通道晶体管显然扫除了移动通信和计算应用中低系统电压的开发过程中所遇到的障碍。 根据生产厂家的介绍,这些器件还提供了在1.8、2.5和4.5V栅极电压下业界极低的接通电阻。例如Si4465DY,4.5V时R_(DS(on))=9mΩ,2.5V时为11 mΩ,1.8V时为16mΩ。这些值比现有的器件提高了35％。 MOSFET有单管和双管两种,其漏源电压的额定值为8V或12V。器件有8引     

高温微电子学—Ⅰ：硅器件的高温特性研究

本文详细介绍了硅器件的高温理论以及制作的进展,分析了MOSFET的高温特性和失效模式,指出了改善MOSFET高温性能和提高上限温度的方法。     

内部电压箝位与智能自保护功率MOSFET及其应用

MOSFET器件是功能电路中的常用器件，同时也是在过流或过压情况下最易损坏的器件。文中介绍了多种电压箝位式功率MOSFET器件和智能型自保护功率MOSFET的特性参数和内部结构，给出了它们的电路连接方法。     

基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET建模与分析

针对现阶段SiC MOSFET建模研究无法应用在电机控制系统领域的现状,提出了一种基于Matlab/Simulink的SiC MOSFET仿真电路模型。对功率器件的动态特性和静态特性进行综合分析,采用非分段受控电流源模型模拟功率器件静态特性,具体分析SiC MOSFET的开关过程,同时采用曲线拟合的方法对影响器件开关过程的非线性电容进行表征,在Matlab/Simulink中建立SiC MOSFET等效电路模型。为了验证模型准确性,将仿真结果与数据手册中的数据进行比较分析,仿真结果表明所建模型可以较为准确地描述SiC MOSFET动、静态特性,开通时间和关断时间误差均小于7%,对比结果验证了模型的准确性和有效性。建立的模型为SiC MOSFET在电机控制策略仿真及应用领域提供了参考依据。     

MOS—双极功率半导体技术的进展

对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。     

1.2 kV碳化硅MOSFET瞬态可靠性研究

随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点。文章主要研究了1 200 V SiC MOSFET瞬态可靠性的测试与表征。通过搭建短路和UIS测试通用的测试平台进行实验,对短路和UIS失效机理进行分析。通过对商用器件进行重复性测试,研究器件在两种瞬态可靠性测试下性能退化情况,对器件内部退化机理进行合理的分析。     

新型超级结MOSFET器件在PFC应用中的优势

超级结(Super-Junction)MOSFET器件基于电荷平衡技术,在减少导通电阻和寄生电容两方面提供了出色的性能,这通常需要折中权衡。有了较小的寄生电容,超级结MOSFET具有极快的开关特性并因此减少了开关损耗。自然地,这种快速开关特性伴有极高的dv/dt和di/dt,会通过器件和印刷电路板中的寄生元件而影响开关性能。特别地,对于在现代高频SMPS中使用的超级结MOSFET,很难抑制频率噪声     

新型HEXFET功率MOSFET大大改善直流—直流拓扑效率

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出一系列专用拓扑结构HEXFET功率MOSFET,大大改善隔离式及降压式直流一直流变换器的工作效率。随着直流一直流变换器输出电压趋于1V,IR公司的MOSFET将器件的工作效率提高了1％(与采用最佳器件的业界同类型电路相比)。     

基于FDSOI的TFET和MOSFET总剂量效应仿真

对基于全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的隧穿场效应晶体管(TFET)器件和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件进行了总剂量(TID)效应仿真,基于两种器件不同的工作原理,研究了总剂量效应对两种器件造成的电学影响,分析了辐照前后TFET和MOSFET的能带结构、载流子密度等关键因素的变化。仿真结果表明:两种器件在受到较大辐射剂量时(1 Mrad (Si)),TFET受辐射引起的固定电荷影响较小,仍能保持较好的开关特性、稳定的阈值电压;而MOSFET则受固定电荷的影响较大,出现了背部导电沟道,其关态电流增加了几个数量级,开关特性发生了严重退化,阈值电压也严重地向负电压偏移。此外,TFET的开态电流会随着辐照剂量的增加而减小,这与MOSFET的表现恰好相反。因此TFET比MOSFET有更好的抗总剂量效应能力。     

功率MOSFET的封装失效分析

在半导体器件的生产工艺过程中,MOSFET器件的芯片结构不同于普通晶体管,而且,MOSFET器件对后道装配的要求也较高,文中从生产实际出发,对功率MOSFET器件在测试中出现的不良品进行了分析,并对其失效机理和影响因素进行了探讨,最后提出了相应的改进措施。     

电池保护电路中MOSFET器件常见失效机理研究

受限于电子设备的内部空间,电池保护电路中MOSFET器件通常采用晶圆级芯片规模封装（WLCSP）。由于WLCSP的特点,电池保护电路中的MOSFET器件在生产、使用中会出现各种类型的失效模式和失效机理。介绍了采用WLCSP技术封装的MOSFET器件常用的分析方法与设备,结合相关的失效案例,论述了芯片开裂、芯片工艺缺陷、芯片腐蚀和过电应力这4种常见的失效机理,为MOSFET器件及其他电子元器件的失效分析和问题解决提供一定的参考。     

改善功率MOSFET器件UIS测试能力的方法

介绍了功率MOSFET器件的UIS（非钳位感应开关）测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RR,改变设计。实际案例中的两种MOSFET器件A和B应用了这3种方法的组合,使功率MOSFET器件的UIS能力和测试合格率有了很大的提升。     

选择高压场效应管实现节能

高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化,这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力,能够帮助工程师避免许多问题,并实现效率最大化。经验证明,采用新型的MOSFET器件取代旧式MOSFET,除简单地导通电阻上的差异之外,更重要的是,还能实现更高的电流强度与更快的切换速度以及其他优越性能。     

一种JFET区域具有N型重掺杂的1200 V碳化硅浅槽平面MOSFET器件的设计与优化北大核心

介绍了一种在JFET区域采用浅槽N型重掺杂降低器件比导通电阻与开启损耗的1 200 V碳化硅平面栅MOSFET器件。采用浅槽结构设计，减小了器件栅源电容CGS及栅漏电容与栅源电容比值CGD/CGS,降低了器件的开启损耗。浅槽下方采用的N型重掺杂使得器件反型层沟道压降明显提高，使器件获得了更低的比导通电阻。仿真结果表明，相比于平面栅MOSFET器件，开启损耗降低了20%;相比于平面栅MOSFET与分裂栅MOSFET,器件比导通电阻分别减小了14%和17%。     

高压SiC MOSFET研究现状与展望

碳化硅（Si C）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）作为宽禁带半导体单极型功率器件,具有频率高、耐压高、效率高等优势,在高压应用领域需求广泛,具有巨大的研究价值。回顾了高压Si C MOSFET器件的发展历程和前沿技术进展,总结了进一步提高器件品质因数的元胞优化结构,介绍了针对高压器件的几种终端结构及其发展现状,对高压Si C MOSFET器件存在的瓶颈和挑战进行了讨论。     

汽车用功率MOSFET及其封装

现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上,是最具发展前景的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上,具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进,并给出这一领域的现状及发展趋势。     

新型纳米尺寸MOSFET器件的模拟和设计

在半导体器件的研制过程中,用计算机数值模拟取代测量方法来优化设计器件的性能参数,则器件的调试周期将显著缩短,费用将大幅度降低。本文简述了新型纳米尺寸MOSFET器件模拟的主要物理模型和数值方法,阐述MOSFET相关器件模拟的国内外研究动态,判断其发展趋势和研究方向。     

FDMS36xxS系列：功率MOSFET

飞兆半导体公司FDMS36xxS系列器件在PQFN封装中结合了控制和同步MOSFET,以及一个肖特基体二极管。这些器件的开关节点已获内部连接,能够进行同步降压转换器的布局和走线。控制MOSFET（Q1）和同步MOSFET（SyncFET）（Q2）经专门设计,