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采用矩形结构的霍尔元件作为磁敏电路中敏感部分的硅霍尔磁敏器件已相当成熟,但磁灵敏度不大,仅约10~2V/AT.因此探讨具有高灵敏度的磁敏器件,对于工艺相当成熟的硅材料来说仍然很有意义.从硅的MOS器件来看,早先由Gallagher和Corak提出用MOS表面的反型导电层做MOS霍尔元件,曾达到10~3V/AT的灵敏度.而后由Fry和Hoey提出用双漏MOS场效应晶体管做成灵敏度达10~4V/AT的磁敏元件.由于负载电阻大,稳定性较差,Popovic和Baltes又进一步用这种晶体管做成CMOS差分放大器结构形式,得到了有同样灵敏度且较稳定的磁敏器件. 相似文献
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电压敏器件作为保护器件多应用于有电感性元件存在的电路中.电压敏器件良好的非线性伏安特性将保护其电路元件不因感应过电压或浪涌电压而损坏.考虑到电路中总存在有一定的分布电容,因此可将有压敏电阻存在的保护电路等效成图1所示的电路.为 相似文献
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InSb是一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,与其它半导体材料相比,具有较高的电子迁移率。因此,它不但适合制作霍尔器件和传感器,而且适合于制造磁敏电阻和传感器。本文简要介绍了InSb材料的特点,磁敏感效应,各种霍尔器件、磁敏电阻和传感器的性能、结构、工作原理以及典型的应用。 相似文献
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讨论了锑化铟(InSb)磁敏电阻的工作原理、设计与制备工艺,并介绍了InSb磁敏电阻作为一种非接触敏感器件的典型应用。 相似文献
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高灵敏度InSb磁敏电阻是制造无接触电位器的核心部件。本文研究的磁敏电阻已被装配到WMC-1型磁敏电位器中,实测结果表明它完全符合设计要求。该磁敏电阻是一种三端式结构,InSb单晶片尺寸为10×10mm~2的正方形,厚度d≈30μm,用环氧胶粘贴在陶瓷基片上。其电阻值R=1~3kΩ,灵敏度;ΔR/R≥50%(B=0.3T)。 相似文献
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器件版图生成是模拟电路版图设计自动化的关键问题之一,为了使MOS器件版图的性能、形状、面积能在生成阶段得到综合优化,从而有助于解决高层次的模拟电路模块间的布局和布线问题,提出了一种新的模拟电路器件版图生成方案,并开发了基于几何约束、寄生约束、匹配约束的模块生成器Amodgen,Amodgen针对不同的器件采用不同的版图结构,如MOS晶体管的交指(interdigitize)结构,电容的同心阵列结构 相似文献
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介绍了以磁阻效应为工作原理的Insb磁敏电位器的设计和制作.这种传感器的主要特点是高分辨率、非接触、体积小、重量轻和使用寿命长.性能测试结果表明:输出电压为3.5 V/10°. 相似文献
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用一种特制的软磁坡莫合金丝做为敏感材料制成倍频发生器,用这种倍频发生器做开关型磁传感器,其尺寸为φ4×25mm。由高电平翻转到低电平的导通磁感应强度B_(HL)<10~(-3)T,使用温度为-50~180℃,温度系数小于5×10~(-4)/℃。 相似文献
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为提高质子磁场传感器输出信号幅度和信噪比,论文提出了一种针对质子磁场传感器的类方形电感线圈结构。在传感器腔体内径限定的约束条件下,以感应电动势幅值最大化为目标,对类方型线圈和圆形线圈的结构参数进行优化设计,计算线圈尺寸参数;根据计算结果,利用COMSOL软件建立线圈等效仿真模型,得到线圈内部磁场参数,结合实际制作的线圈电感量,理论计算得出类方形线圈接受的感应信号幅度比圆形线圈高1.59倍的结论;对比实验结果表明类方形线圈感应信号的幅度是圆形线圈的1.43倍,且感应信号的信噪比提高了3.1dB。 相似文献
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提出了一种新颖的与硅栅CMOS工艺相兼容的CMOS差动式流量传感器结构,文中对器件敏感机理和电路进行了分析,理论分析与实验结果相吻合。 相似文献
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一种适于野外作业的便携式光纤电场传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种适于野外作业,结构简单新颖、方便灵活的光纤电场传感器。该传感器基于BBO晶体的Pockels效应,抗电磁干扰,绝缘性能优越。主要特点是体积小、结构简单,尤其适用于现场各种高电压电场的测试。同时给出了该传感器的基本原理、结构设计及其测试结果。 相似文献
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微型真空力敏器件的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了<100>晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实验,理论与实验符合的很好. 相似文献