ZnO压敏电阻老化机理的研究进展

ZnO压敏电阻作为避雷器的关键元件在限制电力系统过电压方面具有极为重要的作用,直接决定电力系统的过电压水平和设备的绝缘水平。然而其在承受长期工作电压或短时冲击电流作用时不可避免地会产生老化现象。本文总结了国内外学者对于ZnO压敏电阻老化机理的不同观点及最新研究进展,分析了其老化机理,并讨论了提高ZnO压敏电阻稳定性的方法。     

氧化锌压敏电阻的选择,使用与维护

氧化锌压敏电阻的选择、使用与维护华东电管局通信科龚晓平随着电力系统通信站防雷工作的深入，氧化锌压敏电阻器已被广泛使用。１０ｋＶ站变压器高低压侧装有氧化锌避雷器，交、直流配电屏上装有低压避雷器或压敏电阻，音频配线架上也大量使用氧化锌压敏电阻。下面就氧化...     

电力系统避雷器用ZnO压敏电阻研究进展

ZnO压敏电阻是金属氧化物避雷器(MOA)的核心器件,电力系统的过电压水平和设备的绝缘水平直接取决于ZnO压敏电阻性能的好坏.我国特高压输电工程正在逐步建设,要求MOA能够有效地限制电力系统过电压.相比于传统MOA中采用的ZnO压敏电阻阀片,应用于特高压MOA的阀片需要具有高电压梯度、低残压比、大通流容量和耐老化性能等...     

低压高能压敏电阻在汽车电气回路中的应用

本文综合介绍了在汽车电气回路中可能发生的过电压,以及对低压高能压敏电阻浪涌吸收器的技术要求,并给出了应用实例。     

性能优异的贴片式ZnO压敏电阻

开发了一款新型贴片ZnO压敏电阻,采用单层压敏陶瓷片,制造的贴片压敏电阻吸收能量密度大,可用于中高电压回路。其银电极边缘覆盖一层绝缘防水色环,经过多次脉冲后,该防水绝缘色环仍然紧密结合,可靠性良好。直接将高焦耳压敏电阻片贴于PCB板,使得其性能、成本更优于塑封型贴片压敏电阻或者层叠式压敏电阻,由于其良好的散热性能,其性能亦优于插件型压敏电阻。     

氧化锌压敏电阻电气参数分散性试验研究

对氧化锌压敏电阻的两个重要电气参数，即１ｍＡ直流电流下的阀征片电压和一定冲击电流下的残压，进行了批量测量。对所得试验数据进行了统计分析，得出参数的分布规律，并对阀片电压与残压之间的相关性也作了分析，得出了相应的结论。     

微波烧结制备ZnO压敏电阻

采用微波烧结的方法制备出ZnO压敏电阻,并对试样的物相组成、微观形貌和电学性能进行了表征。结果表明,微波烧结制备的ZnO压敏电阻与常规烧结具有相同的物相结构,平均晶粒尺寸为2.1μm;试样的电位梯度、漏电流、非线性系数分别为2 479.1V/mm,6.60μA,22.6;晶界势垒形状尖锐,势垒高度为0.88eV,耗尽层宽度为16nm。与常规绕结ZnO压敏电阻相比,微波烧结过程加热均匀,使试样的微观结构具有较好的一致性,提升了烧结质量,优化了ZnO压敏电阻的电学性能。     

氧化锌压敏电阻的过电压保护

在农村电网建设与改造中，漏电保护器的使用越来越多。为了使漏电保护器可靠运行，必须抑制雷电过电压、操作过电压及线路中出现的异常工频过电压对其造成损坏。为此，须对漏电保护器中的单向晶闸管，装设过电压保护。氧化锌压敏电阻具有正反向相同而且很陡的伏安特性、泄漏电流小、非线性系数高、残压低、响应速度快等优点，不愧为最理想、最有效的过电压保护元件。为此，在漏电保护器电路的配套电子元件的过电压保护中占有一席之地。     

高压ZnO厚膜压敏电阻的制备及导电机理分析

通过高能球磨、丝网印刷和低温烧结制备出高压ZnO厚膜压敏电阻,并对厚膜试样进行了电学性能、物相成分和微观形貌的表征。结果表明:厚膜试样电位梯度达到3 159.4 V/mm,漏电流为36.4μA,非线性系数为13.1,平均晶粒尺寸为1.29μm。高能球磨和低温烧结使厚膜试样的晶粒尺寸大大减小,有效提高了电位梯度值。分析了厚膜压敏电阻单晶界体系的导电机理,发现预击穿区势垒宽度的增加和单晶界电压的提高对其非线性性能以及压敏电压的提升影响明显,决定了压敏电阻的电学特性。     

TiO2压敏陶瓷的极性及其阻抗谱分析

采用电子陶瓷工艺制备了施主-受主共掺TiO2基压敏-电容双功能元件。电流-电压（I-V）以及阻抗-电压（Z-V）、相角-电压（-V）、电容-电压（C-V）、介电损耗角正切-电压（D-V）等阻抗谱分析表明,TiO2压敏陶瓷存在典型的极性特征,可通过＂微极性区域＂模型对其进行解释。     

LiCoO2的TiO2包覆原理探索研究

文献中对LiCoO2材料的表面包覆已经进行大量的报道,清晰显示LiCoO2的表面改性对材料循环性能产生了重要正性效应。然而,材料的包覆原理和作用机制直到目前仍然模糊不清,没有一个确定统一定论。采用溶胶-凝胶法,结合TiO2与LiCoO2体相反应的研究结果,详细地研究了TiO2对LiCoO2的包覆效应,建议了可能包覆原理和作用机制。     

TiO2/NiCuZn复合材料的电磁性能

铁电铁磁复合材料是一种由铁电相和铁磁相复合而成的重要功能材料,将对电子设备的小型化和高度集成化起到相当关键的作用.研究以铁电性的TiO2和铁磁性的NiCuZn铁氧体为原料,采用固相反应法合成一系列TiO2/NiCuZn复合材料,考察了材料配比和烧结温度对复合材料介电性能和磁性能的影响.实验表明,随着TiO2含量的增加,复合材料的磁导率显著降低,但同时介电性能会得到改善.对于NiCuZn含量为80wt%的材料,在900～1200 ℃的烧结温度范围,随着烧结温度的升高介电常数与磁导率也都会随之升高.这种TiO2/NiCuZn复合材料同时具有电感和电容两种特性,有望在未来的集成电路中广泛使用.     

Mn-Fe/TiO2低温NH3选择性还原NO催化活性及其反应机制

采用共沉淀沉积法制备了Mn-Fe/TiO2 NH3选择性催化还原(SCR)NO催化剂，80℃时即获得了92.5%的NOx转达化率，在j( H2O) = 6% 和 j( SO2) =0.01%条件下120℃时转达化率保持在95%以上。X衍射光谱(XRD)结果表明，Fe2O3与与MnO2存在相互作用，两者均匀地分散在载体TiO2表面。傅立叶转换红外(FT-IR)及原位红外(Situ IR)光谱分析得出反应机理为：Fe2O3为助催化剂，NH3主要以-NH2形式吸附在MnO2的Lewis酸中心上，与NO生成中间产物NH2NO，再分解成最终产物N2和H2O；少量以NH4+形式吸附在Br?nst酸中心上。O2能同时增加Lewis酸中心和Br?nst酸中心形成中间产物的途径。     

纳米TiO_2光催化氧化法处理ABS有机废水的研究

围绕纳米TiO2光催化技术研究了光催化降解ABS有机废水的可行性及影响催化反应的因素,在光催化降解ABS有机废水的实验中,考察了水样的pH值、催化剂的最佳投加量、不同紫外灯对降解ABS废水的效果的影响。研究结果表明用纳米TiO2在紫外灯的照射下,催化氧化ABS有机废水的方法是可行的。     

以TiO2为载体的烟气脱硝催化剂研究进展

介绍了选择性催化还原（SCR）烟气脱硝技术中催化剂的应用及对催化剂载体TiO2的选择。结合国内外最新的研究动态,介绍了目前最流行的以TiO2为载体的催化剂的主要组分：载体、活性物质、助催化剂的选择,以及对于催化剂催化活性影响较大的几个因素,总结了不同催化助剂对催化剂活性及催化剂稳定性等的影响。     

锐钛矿TiO2纳米粉体材料的制备及脱除废水中Hg2+的研究

燃煤电站产生的二价汞污染物,易被湿法洗涤系统脱除,而转移到废水系统容易造成二次污染.以钛酸四丁酯溶液为前驱体,成功制备了锐钛矿TiO2纳米粉体材料,对其结构和形貌采用TGA、TEM、BET和XRD分别进行了表征.在有无紫外光照射条件下,比较、测试了其对废水溶液中二价汞污染物的脱除作用.     

光催化氧化脱除SO2的实验研究

实验室制备了负载型TiO2光催化剂，利用自行设计的实验台，对SO2光催化氧化实验条件进行了研究。结果表明，催化剂、光照、氧气、SO2浓度等是影响SO2光催化氧化的主要因素，在最佳实验条件下, SO2有较高光催化氧化降解率。同时还考察了SO2在吸收剂表面的吸附、溶解、光解、氧化等性质。扫描电镜(SEM)和X-射线电子能谱(EDS)用来分析新鲜光催化剂和反应后光催化剂的微观性质，在反应后光催化剂能谱图中发现硫物种。利用化学分析方法分析尾气吸收液的成分，发现硫酸根的含量高于亚硫酸根。根据X射线能谱和化学分析结果，对SO2光催化氧化机理进行了初步推断。     

V2O5-WO3/TiO2基催化剂SCR法脱硝试验研究

以工业级锐钛型TiO2为载体制备了V2O5-WO3/TiO2脱硝催化剂,通过BET、XRD、SEM等方法对微观结构进行表征.并在SCR反应器中测试其脱硝性能.自制催化剂比表面积较小,晶相仍为锐钛型,温度为330-4000℃、O2浓度大于1%、NH3/NO为0.9～1、空速比为24 000 h-1,脱硝效率达到80%以上,N2O生成率,NH3逃逸率及SO2氧化率均能够满足电厂脱硝的要求,并且因工业级TiO2粉体价格较低可降低催化剂成本.     

Co掺杂对纳米TiO_2薄膜磁电阻特性的影响

为了研究复合纳米TiO_2材料的磁电阻特性,通过磁控溅射方法和原位退火工艺制备了Co掺杂TiO_2薄膜样品。利用X射线衍射仪和扫描探针显微镜观测薄膜样品的微结构特征,利用振动样品磁强计和多功能物理性质测量系统测试样品的磁特性和磁电阻。结果表明,Co掺杂量对TiO_2薄膜的磁电阻特性有重要影响:磁性金属含量较高的薄膜样品出现较大的磁电阻,磁电阻峰值为-14%,峰值温度为250K;磁性金属含量较低薄膜样品具有较小的磁电阻值;由于Co掺杂影响了薄膜的微结构和导电性,导致出现了特殊的磁电阻效应。