类金刚石碳膜淀积工艺及设备研制

本文介绍类金刚石薄膜的性能、应用领域及制备方法。着重报道利用射频等离子体分解碳氢化物制备这种薄膜的工艺实验及研制的设备构成。     

用反应离子束淀积多晶硅膜的薄膜晶体管

本文研究了用于平板显示或三维集成电路的多晶硅薄膜晶体管(TFTs)。为了平板显示的运用,高度的希望在低温下制造TFTs,应用低成本的玻璃基质。然而,常规的低压化学汽相淀积(LPCVD)要求在温度高于625℃的情况下淀积多晶硅膜。因此,     

高质量介质膜的淀积

打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。 再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷硅玻璃(BPSG)层。它们把金属线彼此隔离开来,并且平整化以便形成较好的台阶覆盖。BPSG和二氧     

二氧化硅膜的减压淀积

我们在一个减压CVD反应器中,于700～750℃下用四乙氧基硅烷(TEOS)分解法,在硅衬底上淀积出了二氧化硅膜。淀积速率为200～300埃/分。在能装载100片的淀积区,淀积膜厚的均匀性优于1％。台阶覆盖性良好,缺陷密度很低,膜的应力是压应力而且很小。膜的折射率,红外质谱和密度与常压淀积的二氧化硅膜相同。系统中添加磷化物使淀积速率增加,膜厚的均匀性变坏。因此,这种反应并不能适用于淀积集成电路所用的掺磷二氧化硅膜;然而,对非掺杂的二氧化硅膜淀积工艺来说,这种反应似乎是一个很好的工艺过程。     

脉冲激光扫描淀积类金刚石薄膜

采用能量密度为1.178×109W/cm2的XeCl准分子激光直接辐照高纯度的石墨靶,并同时采用辅助放电,在1×10-5Torr的真空环境中,于温度为80℃的Si(100)的基片上淀积出类金刚石薄膜,Raman光谱显示在1330cm-1处出现较强的散射峰值;对薄膜红外光谱进行测试,其光谱在2900cm-1处有吸收峰,表明所淀积的类金刚石薄膜含有C-H键,其H元素与C元素的比为45%.薄膜的电阻率为1.89×106Ω/cm,通过光吸收测得的该薄膜的能隙为1.55eV.     

RF化学气相淀积金刚石薄膜

本文论述了金刚石薄膜的优点，比较了化学淀积金刚石薄膜的常用方法的优缺点，主要介绍了电容耦合射频化学气相淀积金刚石薄膜的原理和近期国际对典型电容耦合气相淀积设备的改进研究。     

准分子激光低温淀积金刚石薄膜

金刚石薄膜以其优异的力、热、电、声、光等性质而具有广泛的应用前景。近年来，一系列化学气相淀积（CVD）技术被用于金刚石薄膜的合成，并取得了一系列的进展．但目前多数CVD方法中基片温度较高（大于800℃），这极大地限制了金刚石薄膜在光学、半导体和光电子学等方面的应用．因此，低温生长高质量的金刚石薄膜已成为目前重要的研究课题．本工作在EACVD基础上，辅以准分子激光（XeCl308nm）溅射C靶产生激光等离子体，在较低温度（500～600℃）下生长了高质量的晶态金刚石薄膜．工作气体为CH4／H2，浓度比为0．7％～1％；热灯丝温…     

用激光淀积超导体

贝尔通信研究所的研究人员使用该所发明的激光技术成功地将超导体膜直接淀积在硅基片上。以前这样做，要用一个过渡层化合物将这两层分离。     

自动控制真空淀积的金属氧化物膜

本文介绍在自动控制蒸发速率条件下金属氧化物反应蒸发的研究和实验。文中详细地叙述了所得的若干研究结果。讨论了用蒸发法真空淀积金属氧化物的历史背景,以及近十年来有关膜厚控制的一些研究。     

氮氧化硅膜的淀积与组成

用SiH_2Cl_2、N_20和NH_3混合气体、借低压化学汽相淀积(LPCVD)工艺在820℃下生长了氮氧化硅膜。整个膜的组成可通过调节N_2O/NH_3气体流量比来加以改变。淀积膜的卢瑟福背散射(RBS)及俄歇分析指出,整个膜的组成是均匀的,与衬底性质无关。这些氮氧化物膜的厚度和组成很容易用椭圆对称法进行测量;而其氧/氮比可从折射率值中准确地导出。据推断,在原子尺度范围内,LPCVD氮氧化物是均匀的,也就是,硅原子受到氧原子和氮原子的随机包围。因此,这种氮氧化物不是想象中的氧化硅和氮化硅的两相物理混合物。就温度-偏压应力状态下平带电压的漂移而言,发现氮氧化物膜在金属-氮氧化物-氧化物-硅结构中的稳定性随着氧含量的增加而改善。     

钝化膜的低温等离子体淀积

硅烷气体分别和氮气、氧化亚氮(N_2O)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度,在常温至350℃的条件下淀积了氮化硅和二氧化硅。 本文给出了在不同射频功率,淀积温度和硅烷气浓度条件下所得的淀积速率,薄膜腐蚀速率、折射率等主要实验数据以及红外透射光谱、俄歇电子能谱分析结果。     

氮化硅膜的等离子淀积工艺

一、引言 等离子氮化硅膜已成功地用于双极和LSI MOS器件的钝化。 在半导体器件制造过程中,必须控制表面沾污。通常是采用钝化膜防止杂质渗入。钝化膜又分为,一次钝化和二次钝化。一次钝化的目的是控制和稳定半导体器件表面的电性能。硅器件的一次钝化膜通常是SiO_2,例如,加HCl热生长SiO_2成功地控制了钠离子。二次钝化层在氧化层金属化的互连及端点上提供化学、机械保护,阻挡可动离子和水蒸汽渗入;防止后工序划伤铝布线。因而可以提高可靠性和成品率。二次钝化也叫最后钝化膜,它必须满足以下要求: (1) 材料本身必须是一种优良的介质膜。热和化学稳定性好、针孔少、绝缘性能好、硬度大,对器件能提供化学和机械上的保护。     

化学气相淀积金刚石提高激光二极管性能

化学气相淀积金刚石提高激光二极管性能对装在更小管壳里的更高功率和更高频率的电路不断增长的需求，显示了微电子学工业向更高性能方向发展的趋势。对功率密度的增大要求已把传统封装材料及方法推向其极限，这一趋向现在还未结束。封装系统设计者被迫使用极端手段在当今...     

离子辅助淀积防护介质膜

实验淀积膜所用设备的结构图示于图1。由扩散泵浦真空系统产生的基本压力为10~(-4)Pa。用电子束蒸发器淀积薄膜。25mm直径BK7抛光玻璃试验衬底装在蒸发料源上方420mm处,可用Kanfman离子枪以34°入射再辐照。膜淀积的光学控制是由透射或反射光完成。采用离子束进行辅助淀积的所有试样,所用氩离子能量为700eV,离子束电流密度为150mAm(-2)(像法拉弟帽所测的那样)。并设想将离子束能量或电流最佳化。通过淀积光透过率约为5％的对溶剂灵敏的银和铝膜来制备试样(这透过率对