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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1993,(1)
<正>据《Semiconductor World》1992年第11期报道,日本三洋电机公司研究一种新的杂质扩散技术,形成了良好的n型和p型导电层。 新技术采用等离子CVD法,在Ⅲ-Ⅴ族片上生长氧化硅膜(下层)和氮化硅膜(上层),通过短时间热处理形成n型和p型导电层。淀积SiO_x膜的气体为SiH_4,和N_2O,淀积Si_xN_y,膜的气体为SiH_4,NH_3,N_2。下层SiO_x膜中的Si和O的比为1:2,上层膜的组分控制要防止晶体中 相似文献
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高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中.本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤.研究表明在HDP淀积结束时的光电导效应使得IMD层(包括FSG和USG)在较短的时间内处于导电状态,较大电流由IMD层流经栅氧化膜,在栅氧化膜中产生缺陷,从而降低了栅氧化膜可靠性.通过对HDP CVD结束后反应腔内气体组分的调节,IMD层的光电导现象得到了一定程度的抑制,等离子充电损伤得到了改善. 相似文献
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C-H体系CVD金刚石薄膜取向生长的热力学分析 总被引:1,自引:0,他引:1
化学气相淀积金刚石薄膜过程中 ,CH3 和C2 H2 是金刚石生长的主要前驱基团。C2 H2 与CH3 浓度比 ( [C2 H2 ]/[CH3 ])的变化将影响金刚石薄膜的生长取向。用非平衡热力学耦合模型计算了C H体系CVD金刚石薄膜生长过程中C2 H2 浓度和CH3浓度随淀积条件的变化 ,并进一步获得了 [C2 H2 ]/[CH3 ]随衬底温度和CH4浓度的变化关系 ,从理论上探讨了金刚石薄膜 ( 1 1 1 )面和 ( 1 0 0 )面取向生长与淀积条件的关系。在衬底温度和CH4浓度由低到高的变化过程中 ,[C2 H2 ]/[CH3 ]逐渐升高 ,导致金刚石薄膜的形貌从 ( 1 1 1 )晶面转为 ( 1 0 0 )晶面。 相似文献
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本文研究了未掺杂和掺磷SiO_2玻璃膜的台阶覆盖。简要地讨论了在决定台阶覆盖质量中起作用的各种参数。评价了各种淀积工艺的台阶覆盖能力。被比较的工艺有常压CVD,低温、低压CVD(Silox),中温、低压CVD(TEOS)和等离子增强CVD。报导了采用中温低压技术淀积未掺杂玻璃时得到的台阶覆盖与参数的关系。证明台阶覆盖的质量强烈地依赖于淀积条件。也证明台阶覆盖质量随着TEOS流率和反应器中分子滞留时间的增加而改善。氮、氧、或磷烷/氮混合物加到TEOS中会使淀积工艺的台阶覆盖能力变差。这种中温、低压CVD工艺的台阶覆盖在650-780℃的范围内与淀积温度无关。 相似文献
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以化学气相淀积工艺制备二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅薄膜,已成功地用作半导体器件的钝化膜。用低温(L_T)CVD制备SiO_2/InSbMOS器件及红外敏感元件的工艺研究也有不少的报导。但是Vasque以XPS法研究220℃温度下形成的SiO_2/InSb的界面时,发现在淀积过程中,可能由于硅烷氧化不完全,在二氧化硅-自然氧化物的界面形成元素铟,在自然氧化物-锑化铟界面形成元素锑,从而产生了分布不均匀的高浓度的界面态。七十年代中期,随着大型等离子增强化学气相淀积(PECVD)反应器的研制成功,大量的文章介绍了以低温PECVD技术制备半导体器件的钝化膜的基础研究及应用研究。Ta-keo Yoshimi及Pan认为PECVD二氧化硅膜的台阶覆盖比L_TCVD工艺好。Schimi- 相似文献
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热蒸发或溅射制得的光学透明介质膜,由于它的渗透和不稳定,使其在许多应用上受到限制。本文报导了由离子束辅助淀积的介质保护膜,与通常淀积技术制得的薄膜相比具有相当大的改进。这一结论能用离子辅助淀积薄膜的填充密度比通常蒸镀方法获得的松散柱状微细结构膜层的填充密度大来解释。另外,金属膜层用离子轰击获得相当稳定的结构,并大大改善了膜层的附着力。基底表面的光洁度影响了这些膜层的抗化学腐蚀能力。 相似文献
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1简介
当前,从成膜方法来讲,ILD loW-k材料大致上分为两类:一类是以SiCOH为代表的CVD(化学气相淀积)膜,另一类是SOD(旋转涂层)膜,它包括有机的、无机的和SiCOH. 相似文献
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等离子体氧化nc-Si/SiO_2多层膜的蓝光发射 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了在等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)系统中用交替淀积 a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了 a-Si∶H/ Si O2 多层膜。随着 a-Si∶H子层的厚度从 3 .8nm减小到 1 .5 nm,a-Si∶H/ Si O2 多层膜的光吸收边和光致发光 (PL )出现了蓝移。在晶化的 a-Si∶ H/ Si O2 多层膜中不仅观察到室温下的红光带 (80 0nm)的发光峰 ,而且还观察到蓝光发射 (4 2 5 nm) ,结合 Raman,TEM和 PL测试 ,对其原因作了简单的分析 相似文献
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本文介绍热壁低压化学汽相淀积(LPCVD)制备多晶硅膜的淀积变量,影响膜层质量的因素。其次简述了多晶硅膜的等离子刻蚀情况及其在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(Ptsi-SBIRCCD)研制中的应用。 相似文献
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本文介绍了用CVD方法分别在Si和InP上淀积了Al_2O_3膜.并用椭偏仪、高频C-V,准静态C-V、DLTS对Al_2O_3膜的性质及其与Si和InP的界面性质进行了测试分析. 相似文献
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本辑是采用有税源的化学汽相淀积(CVD)技术专辑,而有机源尤指四乙氧基硅烷Si(OC2H5)4——tetraethoxysilane,缩写简称TEOS。采用TEOS的CVD技术有TEOS-O3系常压CVD技术,TEOS-O3系等离子CVD技术,TEOS-H2O系LPCAD(低压CVD)技术,偏压ECR(电子回旋共振)CVD技术……。这些新的CVD技术的开发旨在解决深亚微米(<0.5um)的成膜质量、台阶复盖性及平坦化问题。由于大规模集成电路的不断高集成化、加工微细化、多层布线及结构三维化,使得各和股的台阶高差增大、刻蚀条的深度饭度纵横尺寸比也越来越大,因而… 相似文献
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应用 Raman散射谱研究超高真空化学气相淀积 ( UHV/CVD)生长的不同结构缓冲层对恒定组分上表层 Si1- x Gex 层应力弛豫的影响 .Raman散射的峰位不仅与 Ge组分有关 ,而且与其中的应力状态有关 .在完全应变和完全弛豫的情况下 ,Si1- x Gex 层中的 Si- Si振动模式相对于衬底的偏移都与 Ge组分成线性关系 .根据实测的 Raman峰位 ,估算了应力弛豫 .结果表明 :对组分渐变缓冲层结构而言 ,超晶格缓冲层中界面间应力更大 ,把位错弯曲成一个封闭的环 ,既减少了表面位错密度 ,很大程度上又释放了应力 相似文献
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金刚石薄膜由磁场偏转CH~+离子流淀积制成。对在薄膜的形成过程中混入中性粒子的可能性及对薄膜生成的影响做了检测。结果表明:(1)电离淀积过程中混入的中性粒子大约为30%,(2)由偏转淀积而生成的膜的表面结构,通过扫描电子显微镜(SEM)照片观测发现,是相当平整的,(3)透射电镜(TEM)照片及发射电子衍射(TED)实验表明实验生成的薄膜 相似文献
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在经NH3等离子体氮化的Si(100)衬底上。用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)的方法生长了ZnO缓冲层,经X射线衍射(XRD)测量,得到了单一取向的ZnO(0002)膜。在此ZnO缓冲层上利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法生长了较高质量的ZnCdSe/ZnSe量子阱。通过不同阱宽的ZnCdSe/ZnSe量子阱生长和测量,得到了多级共振拉曼峰。从发光谱中可见,在1520nm附近有很强的发光,而在未覆盖ZnO的Si衬底上直接生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱结构,其光致发光(PL)谱未见发光。可见,在氮化的Si衬底上覆盖ZnO膜生长的ZnCdSe/ZnSe量子阱质量较好。是一种在Si衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的有效方法。 相似文献