CVD金刚石（膜）制备技术及应用进展

化学气相沉积（CVD）方法是金刚石（膜）制备的主流技术,经过多年的发展,已从最初的微米金刚石膜发展到纳米金刚石膜,至目前高质量的单晶金刚石,应用领域不断扩展。除了工业和民用领域外,纳米金刚石膜在MEMS／NEMs、生物医学的应用进展引起业界关注,其中大尺寸单晶金刚石的制备是推动这些应用的关键。本文分析了MPCVD金刚石成膜特点,讨论了现阶段CVD金刚石膜商业化推广应用的制约因素,展望了今后金刚石膜的发展前景。     

外延纳米金刚石膜及其场发射特性

研究了纳米金刚石外延薄膜的制备方法及其场发射特性。采用电泳方法将粒径20nm以下的纳米金刚石微品沉积到Ti电极衬底上，用热丝CVD方法在纳米金刚石微晶薄膜上再外延生长一层含非晶碳金刚石薄膜。用Raman光谱研究了外延纳米金刚石薄膜的结构并在高真空条件下研究了其场发射特性。     

新的光学薄膜——类金刚石碳膜

众所周知,金刚石非常有用,但在某些工业领域里,比如半导体工业或光学工业中,需要金刚石薄膜。到目前为止,虽很少制得真正的金刚石薄膜,却也获得了很大的进展。采用等离子体淀积技术或离子束工艺已制备出了类金刚石的碳膜,这种碳膜也可称它为菱形碳膜或无定形碳膜。其电阻率可达10~(12)Ω·cm,折射率为1.9～2.0,在2～20μm间没有严重的吸收带,莫氏硬度达8级。用它作锗的增透膜,锗片厚度为1mm,在10.6μm处透射率可达93～95％。一、制备类金刚石碳膜的几种方法热分解淀积在低压下热分解烃气使碳沉     

准分子激光制备纳米金刚石薄膜装备通过论证

国家“863”科技攻关项目—准分子激光制备纳米金刚石薄膜装备，1月23日在牡丹江市通过国家科委论证。由牡丹江光电技术研究所提出的准分子激光制备纳米金刚石薄膜装备项目，是在该所成功地研制出世界第一台500W级高功率旋转开关准分子激光器的基础上，运用激光PVD方法，制备出金刚石超微晶粒（纳米晶粒）组成的纳米金刚石膜．由于这种纳米金刚石膜，与各种实用化衬底具有良好的附着力，因此，在摩擦磨损、工具、模具、医学及其一些红外光学涂层领域有着广阔的应用前景。专家们认为，利用500W级高功率旋转开关准分子激光器研制的纳米金刚…     

PECVD制备a-C:H:N薄膜的微观结构研究

非晶含氢碳膜(amorphous ydmgenated arbon a-C：H films)在力学、热学、电学、化学、光学等方面具有优异的性能，被广泛应用于诸多领域，有巨大的应用前景。随着a-C：H薄膜制备技术的进一步完善，在此基础上的改性材料又引起了人们的注意。氮掺杂类金刚石薄膜(a-C：H：N)近年来成为人们研究的     

HFCVD方法沉积金刚石薄膜的生长研究

本文讨论了金刚石薄膜应用于光学领域所偶到的问题，研究了热丝方法生长应用于光学膜的金刚石薄膜过程中，衬底表面的预处理和沉积条件如碳源浓度、衬底温度等对制备膜晶粒尺度和晶粒间界以及膜表面形貌的影响。     

碳片组成的纳米薄膜材料显微结构研究

最近几年 ,碳纳米材料由于它在物理和化学方面的应用前景 ,引起了科学工作者们的广泛注意。这些材料包括碳纳米管[1] 、纳米线[2 ] 、Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅｓ[3 ] 、纳米墙[4] 和纳米金刚石[5] 等。其中Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅｓ和纳米金刚石被认为是零维材料 ,碳纳米管和纳米线是一维材料 ,纳米墙是二维材料。Ｗｕ[4] 等人在制备碳纳米管的过程中发现了纳米墙 ,并给出它的ＳＥＭ照片。但没有给出它的精细结构。我们在金刚石的制备过程中发现了一种由无序的碳片组成的纳米薄膜 ,并利用扫描电子显微镜 (ＳＥＭ)和高分辨电子显微镜 (ＨＲＥＭ)对它进…     

N离子轰击对纳米金刚石薄膜微观形貌的影响

用化学气相沉积 (ＣＶＤ)的方法制备出的金刚石薄膜具有很高的硬度和优异的耐磨能力 ,但在干摩擦过程中 ,金刚石薄膜经常造成摩擦对偶的严重磨损 ,使金刚石薄膜的应用受到一定的限制[1,2 ] 。本文用微波等离子体化学气相沉积的方法 ,先在单晶Ｓｉ(1 0 0 )片上制备出厚度为 40 0ｎｍ左右的纳米金刚石薄膜 ,然后采用高能Ｎ离子束轰击的方法 ,对纳米金刚石薄膜进行离子束轰击 ,以期达到改善金刚石薄膜摩擦性能的目的。实验用微波等离子体化学气相沉积 (ＭＷＣＶＤｍｉｃｒｏｗａｖｅｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)的方法在单…     

军用纳米金刚石膜的研究与应用综述

对金刚石膜(及类金刚石膜)与传统光学材料的特性作了比较,分析了美军对于金刚石膜军用光学应用的需求以及金刚石膜在现有高科技武器装备中的应用前景,介绍了研制纳米金刚石膜的关键技术问题(主要是CVD和PLD方法)以及国内外研究和应用现状。     

FEA用的非晶态金刚石碳薄膜

文章对用于FEA的非晶态金刚石碳膜的制备、测量、场致发射特性以及发射性能改良的掺氧非晶态金刚石碳薄膜作了介绍。     

薄膜型声表面波器件的研究进展

相较于传统的压电单晶声表面波器件,薄膜型声表面波器件具有成本低、易小型化、易集成化等优点.文章对几种薄膜型声表面波器件的研究进展进行了综述.首先,总结了几种常见的薄膜制备方法.然后,根据应用范围的不同将薄膜型声表面波器件分为高频器件和高温器件.根据这两大类型,综述了近年来较典型的五种薄膜型声表面波器件,介绍其制备流程、...     

超级电容器用NiO多孔薄膜电极材料的研究进展

超级电容器是一类新型绿色储能器件,特别适合在有高功率密度需求场合下使用,具有极其广阔的应用前景.NiO因价廉、来源广泛、环境友好和电化学性能优良等优点而成为备受青睐的超级电容器用正极材料.综述了国内外有关NiO多孔薄膜电极材料制备方法的最新研究进展,归纳了提高和改善其电化学性能尤其是在大电流密度工作条件下电化学电容行为的方法,最后对这一领域未来的研究热点和发展方向进行了展望.     

低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测

氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点,普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一。结合研究实践,综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术、工艺参数及性能检测技术,指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因。     

铁电（Ba,Sr）TiO3及介电Bi2O3-ZnO-Nb2O5薄膜材料应用于电调谐微波器件研究进展

铁电钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)是一种拥有十分优越铁电/介电性能的材料,在可调谐微波器件方面具有很好的应用前景。本文概括介绍了BST薄膜的研究意义、基本结构、薄膜的制备方法,并针对可调谐微波器件应用需求,详细探讨了通过掺杂、组分梯度变化、纳米铁电多层薄膜以及将铁电BST与新型介电Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)薄膜相结合等对铁电薄膜性能进行优化的手段,最后对该领域的前沿问题从材料研究层面作了小结与展望。     

掺Al ZnO柔性透明导电薄膜研究进展

柔性透明导电薄膜ZAO具有优异的光电性能且资源丰富、成本低、对环境无污染,成为当前的研究热点.总结了近年来对柔性衬底材料处理的方法,分析了柔性透明导电薄膜的研究历史和现状.介绍了柔性透明导电薄膜ZAO的结构、光电特性、典型制备方法和应用前景.评述了柔性ZAO薄膜的研究现状,并对其近期研究和应用工作进行了展望.     

氧化锌薄膜的研究与开发进展

阐述了ＺｎＯ薄膜材料的结构特点，电学性质和光学特性。分析了薄膜研制、应用与开发现状，展望了产业化发展前景。     

化学气相沉积光学级金刚石薄膜的研究进展

化学气相沉积（CVD））金刚石薄膜优异的光学性能在近几年得到了广泛的重视,关于它的研究也在近几年取得了较大的突破。综述了CVD金刚石薄膜的光学性能,着重从成核、生长和后期处理三个方面对光学级CVD金刚石薄膜的制备进行了讨论,并对今后的研究作了展望。     

非晶氧化物半导体薄膜晶体管沟道层的研究进展

薄膜晶体管(TFT)作为开关元件广泛应用于平板显示领域,沟道层材料的选择直接影响了TFT的性能.近年来,基于非晶氧化物半导体(AOS)沟道层材料的TFT已成为具有潜力替代传统硅材料(非晶硅或多晶硅)沟道层TFT的新一代技术,有望应用于超大屏显示、3D显示、柔性显示以及透明显示等新一代显示领域.综述了AOS TFT沟道层的研究进展,重点介绍了AOS TFT用AOS沟道层在材料体系、成膜技术、薄膜的后续处理工艺、材料体系中各元素含量以及掺杂等方面的研究成果,并分析了AOS沟道层对AOS TFT性能的影响以及存在的问题,对AOS TFT的未来发展趋势进行了预测和展望.     

减反膜制备工艺及其应用

减反膜在现代光学薄膜生产中占有十分重要的地位,其研究依赖于制备工艺。本文结合近几年来国内外研究现状,叙述了几种不同的减反膜制备方法,分析了各种制备方法的工艺特点以及各自的优缺点,如真空蒸镀法、溅射镀法、溶胶一凝胶法等。并提出了相应的改进方法,分析了这些工艺在减反膜制备中的应用前景,为减反膜的制备提供了参考。     

薄膜型超磁致伸缩微执行器的研究现状

超磁致伸缩薄膜是一种性能优良的新型微驱动元件,文章介绍了超磁致伸缩薄膜驱动的原理,综述了薄膜型超磁致伸缩微执行器的开发和最新研究成果,重点介绍了薄膜型超磁致伸缩微执行器在微流体控制系统、线性超声微马达及微小型行走机械中的应用,并对超磁致伸缩薄膜的微执行器中的应用进行了展望。