半导体硅材料与信息化社会的发展

重点阐述了半导体硅材料与信息化社会发展的关系；２１世纪新兴工业的特色与未来；国内外半导体硅材料的发展状况及我国在这一领域的科技进步与差距以及对今后的展望。     

我国半导体硅材料的发展现状

叙述了我国半导体硅材料的发展现状及与国外相比存在的差距 ,提出了发展我国硅材料的一些建议     

我国半导体硅材料的发展现状

叙述了我国半导体硅材料的发展现状及国外相比存在的差距，提出了发展我国硅材料的一些建议。     

2010年江西省硅材料光伏产业年销售收入将突破1100亿

据新华网报道,江西省发展和改革委员会发布的《江西省硅材料及光伏产业发展总体思路》称,到2010年全省硅材料及光伏产业年销售收入将突破1100亿元,硅材料及光伏产业将成为全省新的经济增长和重要支柱产业,使江西成为我国重要的硅材料及光伏产业基地。其中,建成三家以上高纯硅料     

VLSI与超纯硅材料

通过VLSI与超纯硅材料关系的论述，阐明了我国VLSI的发展急需解决高质量的超纯硅材料。提高大直径硅片的平整度；氧、碳含量稳定、均匀、可控；提高微区电阻率的均匀性；硅表面洁净、具有密封、屏蔽的防静电包装技术是当今硅材料发展的主攻课题。超纯硅材料的完美结晶特性和超精度加工技术水平取决于基础材料（化学试剂、高纯气体）的高纯度、小颗粒和低杂质含量的控制。     

混合动力车引发的新材料竞争

“硅材料所能发挥的极限即将来临。如果不能彻底改变材料,今后将无法满足汽车行业的要求。”这种想法已经在汽车厂商的技术人员之间达成共识。半导体领域很长一段时间都在尽量延长硅材料的寿命,但这种状况已经逐渐开始转变。随着混合动力车在日本和欧美市场的不断扩大,用于混合     

硅材料企业质量管理研究

我国的硅材料工业经过近半个世纪的发展,已经有了长足的进步,但是在质量管理和技术改造升级等方面与国外相比还有着显著的差距。从行业现状、质量管理体系的构建和完善、加强关键要素建设和质量管理原则的应用等方面研究硅材料企业质量管理工作,以期为提高硅材料企业质量管理水平提供参考。     

半导体硅材料技术与市场

本文从半导体产业链角度阐述了硅材料在整个电子信息社会中的作用和重要地位。从硅圆片历年的销售面积、销售额、市场份额等方面阐述了硅材料市场的现状和展望，对300mm和SOI硅圆片的发展趋势作了预测，还对国内硅材料的市场以及主要的硅材料企业的现状作了阐述。     

半导体硅材料技术与市场

本文从半导体产业链角度阐述了硅材料在整个电子信息社会中的作用和重要地位。从硅圆片历年的销售面积、销售额、市场份额等方面阐述了硅材料市场的现状和展望，对300mm和SOI硅圆片的发展趋势作了预测，还对国内硅材料的市场以及主要的硅材料企业的现状作了阐述。     

SOI—新一代硅材料

SOI是一种在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的，有独特优势，能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术，被国际上公认为是“二十一世纪的微电子技术”，“新一代硅”，本文综述了SOI的特点，国际SOI技术应用动态，国内SOI技术应用动态，SOI技术国内研究状况与上海的优势，以及建议实现上海和我国在SOI领域跳跃式发展，五年内，实现4-8英寸SOI材料产业化，建成国际先进水平的国家级SOI材料和器件创新研究，开发基地，形成集科研，开发，生产为一体的高新技术产业。     

Si基微波单片集成电路的发展

随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。     

Si基外延Ca_2Si电子结构的计算

采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对异质外延关系为Ca2Si(001)//Si(100),取向关系为Ca2Si[100]//Si[110]立方相的Ca2Si平衡体系下能带结构、态密度等进行了理论计算。计算结果表明:当原胞的晶格常数a取值为0.490nm时,立方相Ca2Si处于稳定状态并且是具有带隙值为0.6402eV的直接带隙半导体;其价带主要是由Si的3s、3p态电子和Ca的3s、3p态电子构成,导带主要是由Ca的3d态电子构成。     

Si衬底GaN基材料及器件的研究

GaN具有禁带宽、热导率高等特点,广泛应用于光电子和微电子器件领域.Si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成,因而具有很高的研究价值.介绍了Si衬底GaN基材料生长及特性方面的研究现状和GaN基器件的进展情况.     

ALSI或ALSICU刻蚀后硅渣残留去除方式的研究

半导体器件制造中会用到ALSI或ALSICU做金属连线,ALSI或ALSICU里一般含有0.5%¹%的Si,目的是防止ALSI互融造成PN junction spiking,但引入Si、金属连线刻蚀后会有硅渣析出,刻开区分布不规则的小黑点,影响表观。比较和分析了目前半导体制造行业几种去硅渣方式的机理和优缺点,同时提出一种新的高效的干法去硅渣方式。在上述分析的基础上,标准化了去硅渣工艺,提出的去硅渣标准流程,对半导体制造具有广泛的指导作用。     

SiGeC薄膜表征对于光刻对准性能的影响研究

Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与Si工艺兼容,采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAs HBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。     

电力半导体器件的最新发展动向

综述了电力半导体器件的最新发展动向,介绍了几种新型的电力半导体器件,指出新型的碳化硅材料将替代传统的硅材料成为制造电力半导体器件的理想材料。     

3D-Monte Carlo study of short channel tri-gate nanowire MOSFETs

As a result of recent trends in processor speed and core temperature, III-V semiconductors have become a tempting replacement for Si in semiconductor logic. However, as device geometries shrink, the advantages of such a switch are put into question. In this paper we present a computational survey of III-V materials in a tri-gate nanowire MOSFET geometry as compared with Si to determine an optimal material choice for this geometry using a 3D semi-classical Monte Carlo simulation tool. We show that InSb and InAs show promise as future materials for next generation switching devices.     

国内外多晶硅发展现状

叙述了国内外多晶硅的发展概况，讨论了多晶硅生产过程中改良西门子法的几项关键技术，并对我国多晶硅材料的研究提出了几点建议。     

Laser-induced self-organization of nano-wires on SiO2/Si interface

Original observation of new graded band gap structures formed on the surface of elementary Si semiconductor at studying the optical properties of Si nano-hills formed at the SiO₂/Si interface by pulsed Nd:YAG laser irradiation is reported. The self-organized nano-hills on Si surface are characterized by a strong photoluminescence in the visible range of spectrum with a shoulder extended to the long-wave part of the spectrum. The feature is explained by the quantum confinement effect in nano-hills-nano-wires of gradually changing diameter.