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深亚微米MOS器件的物理,结构与工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。 相似文献
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本根据MOS器件亚阈区转移性特函数强收敛的特点,提出了一种直接利用MOS器件转移特性确定亚阈区表面热的新方法。 相似文献
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基于流体动力学能量传输模型,研究了深亚微米槽栅结构MOSFET对小尺寸效应的影响,并与相应平面器件的特性进行了比较。研究结果表明,由于栅介质拐角效应的存在,槽栅结构在深亚微米区域能够很好地抑制小尺寸带来的短沟道效应、漏感应势垒降低等效应,且很好地降低了亚阈特性的退化,器件具有较好的输出特性和转移特性。 相似文献
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本文概述性地探讨了低温SOIMOS器件的基本特性,如电流-电压特性、迁移率、阈值电压及亚阈值特性等,并介绍了该器件中所存在的一些效应。 相似文献
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纳米MOS器件的设计模型 总被引:1,自引:0,他引:1
王伟 《电气电子教学学报》2006,28(5):57-60
几十年来,MOS器件一直遵循摩尔定律不断发展,对于缩小到纳米尺度的MOS器件,量子效应更加突出。研究纳米尺度MOS器件的物理问题,以及适用于纳米MOS器件的设计已成为当前微电子领域重要研究内容。本文简要介绍和评述了纳米MOS器件的设计模型.并对基于非平衡态格林函数以及薛定谔方程和泊松方程自洽解的器件模型应用进行了举例说明。 相似文献
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