钾离子掺杂PZN基陶瓷的相结构和介电性能

采用复相混合烧结制备出掺杂钾离子的PZN基陶瓷,研究了钾离子对PZN－BT－PT三元系弛豫铁电陶瓷的相结构、介电性能的影响。结果表明,钾离子掺杂可使材料的居里温度向低温方向移动,降低陶瓷的介电常数,但可有效改善陶瓷试样的温度稳定性;复相混合烧结可以消除由于钾离子掺杂而引起的焦绿石相;二者结合可获得具有纯钙钛矿相结构,弥散相变度宽（－100℃）,室温介电常数高,介电损耗低（0．011）的PZN基弛豫铁电陶瓷,并能显著提高材料的温度稳定性。     

掺钾对PMN基陶瓷有序微区及介电和电致伸缩性能的影响

使用二次合成法制备了不同钾含量的0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3陶瓷，首先研究了掺钾对PMN基预烧粉体和陶瓷试样相组成的影响，在此基础上详细研究了掺钾对PMN基陶瓷有序微区、介电和电致伸缩性能的影响规律。掺钾对PMN基预烧粉体和陶瓷的相组成影响很小；理论计算和Raman散射光谱分析都表明掺钾使PMN基陶瓷的有序微区的尺寸稍微减小；掺钾也小幅度地减小了PMN基陶瓷的介电和电致伸缩性能，最后分析了掺钾降低介电和电致伸缩性能的原因。     

掺钾PZN基陶瓷的有序微区及介电和电致应变性能研究

使用二次合成法制备了不同钾含量的O．85Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0．10BaTiO3-O．05PhTiO3陶瓷。首先研究了掺钾对PZN基预烧粉体和陶瓷相组成的影响。在此基础上详细研究了掺钾对PZN基陶瓷有序微区以及介电和电致应变性能的影响规律。掺钾对PZN基预烧粉体和陶瓷的相组成影响很小；理论计算和Raman散射光谱分析都表明掺钾使PZN基陶瓷的有序微区的尺寸稍微减小；掺钾也减小了PZN基陶瓷的介电和电致应变性能，并分析了掺钾降低介电和电致应变性能的原因。     

铅欠缺对PZN基陶瓷有序微区、介电和电致应变性能的影响

研究了初始粉体中氧化铅欠缺对PZN基陶瓷的相组成、有序微区、介电和电致应变性能的影响.研究发现,随着氧化铅欠缺量的增大,预烧粉体和陶瓷的焦绿石相含量逐渐增大、钙钛矿相含量逐渐减少.当铅欠缺小于1%时,随着铅欠缺量的增大, PZN基陶瓷的有序微区、介电常数和电致应变大幅度增大;而当铅欠缺大于1%时,铅欠缺会使介电和电致应变性能下降.而铅欠缺对介电损耗影响很小.铅欠缺使介电和电致应变性能增加的原因主要是由于"有效有序微区"尺寸的增大和晶界间过量氧化铅层的消除.     

PMN基复相弛豫铁电陶瓷电致应变及其温度稳定性的研究

用熔盐法制备的不同居里温度的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3基陶瓷预烧粉体和烧结粉体为初始高、低温组元,采用混合烧结法制备出PMN基弛豫铁电复相陶瓷,研究了PMN基复相陶瓷的介电性能和电致伸缩性能及其温度稳定性.结果表明:采用烧结粉体制得的复相陶瓷不仅具有较大的介电常数(室温介电常数为8368)和电致应变2.8×10-4,而且在-10～ 70℃范围内温度稳定性也较好.     

Ba添加方式对PZN基陶瓷介电性能和结构的影响

采用两种不同的添加方式,研究了Ba2 部分取代Pb2 所获得的PZN基铁电陶瓷的结构和介电性能.一种是BaCO3、PbO和ZnNb2O6进行预合成,然后烧结制备PZN基陶瓷;另一种是ZnNb2O6先分别与BaCO3、PbO进行预合成,然后再将两种预合成产物进一步烧结制备PZN基陶瓷.实验结果表明:随Ba2 取代量的增加,不同添加方式制备的陶瓷其钙钛矿相的稳定性增强;介电性能先上升然后又下降,相变温度Tm移向低温.比较Ba2 的两种不同添加方式,前者制备的陶瓷具有相对较低的Tm值和较小的晶粒尺寸,添加8mol%的Ba2 即可获得100%的钙钛矿结构;而后者为获得100%的钙钛矿结构则需要25mol?2 .     

PMN和PZN基复相陶瓷的制备及其介电温度稳定性的研究

以PZN基和PMN基粉本为起始组元，采用两相混合烧结法成功的制备了两相共存的复相陶瓷，介电性能测试表明，复相陶瓷的室温介电常数为5377（1kHz)，其介质电温谱在－15℃－＋90℃温度范围内相当平坦，介电温度稳定性大幅提高，据键价理讨论了复相陶瓷的设计和组成控制，并初步探讨了复相陶瓷提高介电温度稳定性的机制。     

镧掺杂对PZN基陶瓷的电致应变和电滞后的影响

用二次合成法制备了掺镧的ＰＺＮ基多元系陶瓷并研究了镧掺杂对该体系陶瓷的相结构、介电、电致伸缩性能及电滞回线的影响。实验结果表明,随着镧含量的增加,陶瓷的钙儋 矿相含量、介电常数、同及横向电致应变和电致伸缩系数减小,电滞效应降低即剩余极化的矫场强减小,陶瓷的介电性能的温度稳定性也得到了改善。     

Pb（Zn1／3Nb2／3）O3基复相陶瓷的制备及其介电温度特性

采用两相混合烧结法制备Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ陶瓷。结果表明：在一定烧结温度下起始两组元可以共存形成复相结构，从而改善材料了的温度特性，成功地获得了低烧，高介，具有Ｘ７Ｓ温度特性的温度稳定型ＰＺＮ复相陶瓷。／     

复相弛豫铁电陶瓷的相组成与介电性能

采用两相混合烧结法在Pb（Zn1／3Nb2／3）O3－BaTiO3－PbTiO3系统中制备了弛豫铁电陶瓷材料．相组成研究表明，该陶瓷具有两相共存的复相结构．对复相陶瓷的介电性能进行了研究，结果表明，复相结构可有效地改善弛豫铁电陶瓷的介温特性、频率特性和介质老化性能．     

低温烧结Ph(Zn1/3Nb2/3)O3基复相陶瓷中的两相共存与介电性能

分别采用氟化物和硼硅玻璃为助烧剂制备了低温烧结ＰＺＮ基复相陶瓷，并借助介电温度特性研究了复相陶瓷中的两相共存与助烧剂的关系。结果表明，添加剂引入的晶格缺陷对复相陶瓷中的两相共存有显著影响。ＬｉＦ助烧剂因引起晶格氧空位促进两相固溶化，而ＭｇＦ２和硼硅玻璃助烧的ＰＺＮ复相陶瓷可保持两相共存。以硼硅玻璃为助烧剂获得了低温烧结、具有Ｘ７Ｒ温度稳定特性的ＰＺＮ基复相陶瓷。     

颗粒包覆法制备X7R特性PZN基复相陶瓷

采用溶胶－凝胶颗粒包覆技术在Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３基固溶体颗粒表面形成一层低熔硼硅包覆物,以包覆后的两种固溶体为高低温组元制备复相陶瓷。结果表明,颗粒包覆物可显著降低复相陶瓷的烧结温度,并有效抑制两相固溶反应。     

半化学法制备0.80Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.20PbTiO3 陶瓷的研究

研究了制备纯钙钛矿相0．80Pb(Mg1／3Nb2／3)O3-0．20PbTiO3(缩写为PMNT)陶瓷的半化学法新工艺．详细讨论了除Nb2O5外，其它反应物以其非氧化物形态分别代替PbO、MgO和TiO2，以及PbTiO3或同成分的0．80PMN-0．20PT等钙钛矿相子晶对PMNT预烧粉体中钙钛矿相含量的影响；探讨了烧结温度对半化学法制备的PMNT陶瓷介电性能的影响，并对PMNT陶瓷的相组成、显微组织及介电性能进行了表征和测定．结果表明：提高镁组分的反应活性对提高预烧粉体中钙钛矿相含量的效果较好，同时以钛酸四丁酯取代TiO2的效果最好；半化学法工艺简单，能在850。C／2h预烧条件下制得几乎纯钙钛矿相的PMNT粉体，经过较低的烧结温度(950℃／2h)可制得致密的、介电性能优异的PMNT陶瓷．     

高性能铌镁酸铅-钛酸铅定向压电陶瓷的研究

用定向凝固技术制备了择优方向为[112]的0．70Pb(Mg1／3Nb2／3)O3—0．30PbTiO3高性能定向压电陶瓷．该陶瓷[112]方向的取向度约为35％，准静态压电常数d33约为1500～1600pC／N，耦合系数κt～0．51，κ33～0．82，22kV／cm时的场致应变约为0．23％。     

分凝对Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-38%PbTiO3单晶的成分及介电、压电性能的影响

研究了用改进的Bridgman法生长的PMNT62／38单晶在其生长过程中的分凝现象，研究了分凝导致的成分不均匀及其对介电和压电性能的影响。XRFA分析表明，PMNT62／38单晶底部的PbTiO3(PT)含量为x=35.2mol%，而顶部的PT含量为43mol%。底部晶体（001），（110）和（111）三种切型的晶片加电场极化后，其介电和压电性能出现了异常的现象。（110）切型的压电模量最大，为1200pC/N；（111）次之，为789pC/N；（001）最低，为371pC/N。极化后的（110）和（111）晶片在室温、1kHz频率下的相对介电常数（两种切型的εr都在10000左右），约为（001）晶片（εr-5000)的1倍，并且介电常数在低温端有上升的趋势。     

PIN-PT晶体铁电性和压电性的温度稳定性研究

测试了采用熔体法通过使用异质同构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3籽晶生长出的Pb(In1/2Nb1/2)O3-PbTiO3单晶的铁电、压电性能的温度稳定性,研究结果发现,<001>取向的PIN—PT单晶不但具有非常优越的铁电、压电性能,其室温电容率ε达5000左右,介电损耗因子tgδ-1％,k33值最大可达到95％,d33值最大可达到3000pC/N左右.而且具有很高的温度稳定性,即使测试温度超过150℃,k33值也只下降不到10％.研究结果表明,该晶体是继PMN-PT和PZN—PT单晶之后又一种非常具有发展前途的单晶.     

Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-PbTiO3系统准同型相界附近的介电异常

用两步合成法制备了（１－ｘ）Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３－ｘＰｂＴｉＯ３（ｘ＝０．３０－０．４０）陶瓷,对其相结构和介电性能进行了研究。ＸＲＤ分析表明,准同型相界在ＰＴ含量ｘ＝０．３４－０．３８范围内。介电性能研究结果表明,组成在准同型相界处的试样,其介电常数呈现最大值,同时还发现,准同型相界处的陶瓷出现介电双峰,其中一个为驰豫型铁电相向顺电相转变的相变峰;另一个介电峰处于１３０－１５０℃的高     

四方相铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)铁电单晶的弹性、介电、压电和机电性能

研究了四方相弛豫铁电单晶Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-38%PbTiO3(PMNT62/38)的介温特性，并利用HP4192A阻抗分析仪测量了PMNT62/38单晶完整的一套弹性、介电、压电和机电耦合系数，为理论研究和器件设计提供了参考，其居里点Tc-174℃；压电应变常量d33-300pC/N；介电常数ε33-734,ε11-4301；机电耦合因数κ33-84.6%,κt-60.8%,κ31-44.5%,κ15-45.9%。