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讨论了制作大面阵矩底拱面状微透镜阵列的工艺条件,给出了氩离子束刻蚀制作红外焦平面用面阵微透镜的离子束刻蚀速率的经验关系式,通过实验获得了光电材料几种常用的氩离子束刻蚀速率与氩离子束能量之间的关系曲线,用扫描电子显微镜测量了所制微透镜阵列的微结构形貌特征。 相似文献
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建立氩离子束对光刻蚀胶微透镜的刻蚀模型,模拟折射微透镜制备中的离子束刻蚀工艺过程。通过模拟可以在预先获得离子束在不同倾斜入射状态下所得到的折射微透镜的截面轮廓,为优化离子束的刻蚀工艺奠定基础,同时也可以确定刻蚀过程的终点时刻。 相似文献
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文中研究了用衍射做透镜列阵与焦面探测器相耦合来提高探测系统的能量利用率,从而改善其信噪比等整机性能及轻量化前置光学系统的原理。结论表明,该方法的有效性决定于衍射微透镜列阵的F/#和衍射效率ηde及其对焦面的能量接收率及kp,F/#越小,ηde与kp越大,系统性能改善越好。 相似文献
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线列熔融石英微透镜阵列的光刻和氩离子束刻蚀制备 总被引:5,自引:1,他引:5
采用光刻和熔融成形法制备线列长方形供面光致抗蚀剂微透镜图形,采用固化技术对其作重整化处理,采用氩离子(Ar+)束刻蚀有效地实现线列长方形拱面光致抗蚀剂微透镜图形阵列向熔融石英(SiO2)基片上转移。所制单元熔融石英微透镜底部的外形尺寸为300×95μm2,平均冠高14.3μm,平均曲率半径为86μm,平均焦距为258.1μm平均F/数2.7,平均大T/数2.9;平均光焦度5.8×10(-3)折光度。扫描电子显微镜(SEM)和表面探针测试表明,所制成的线列熔融石英微透镜阵列的图形整齐均匀,每个单元长方形拱面熔融石英微透镜的轮廓清晰,表面光滑平整。实验结果证实,光刻/氩离子束刻蚀技术适用于制备具有良好的均匀性和光学质量的单片熔融石英微透镜阵列器件,此技术对于制备与大面阵凝视焦平面成像探测器相匹配的大面降微透镜阵列具有重要意义。 相似文献
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利用聚集离子束(F IB)对小线度下(≤3μm)的溅射刻蚀与增强刻蚀的性能进行了实验和分析。通过对硅和铝的刻蚀实验,研究在溅射刻蚀与增强刻蚀方法下刻蚀速率、蚀坑形貌与离子束流大小的关系。实验发现,铝和硅的刻蚀速率与刻蚀束流近似成线性关系;束流增大到一定程度后由于束斑变大及瞬时重淀积的作用,刻蚀速率曲线偏离线性。使用卤化物气体的增强刻蚀,硅和铝的刻蚀速率得到不同程度地提高。根据蚀坑形貌与束流大小的关系分析,发现瞬时重淀积是影响小线度刻蚀质量的主要因素。增强刻蚀大大减小了蚀坑的坑璧倾角,而坑底倾斜问题需综合考虑。 相似文献
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有机电致发光二极管(OLED)具有寿命长、节能、绿色环保等特点,有望成为下一代重要光源。制约OLED发展的一个重要障碍是其取光效率较低。为了提高OLED取光效率,研究者进行了大量的研究,其中应用微透镜阵列提高OLED取光效率是一种重要方式。文章简单分析了微透镜阵列提高OLED取光效率的原理,综述分析了各种结构特征的微透镜阵列在提高OLED取光效率中的应用,总结了在OLED基底表面制备微透镜阵列的方法、优缺点,以及应用微透镜阵列提高OLED取光效率的最新进展和发展趋势。 相似文献
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微透镜阵列在提高OLED取光效率中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
有机电致发光二极管(OLED)具有寿命长、节能、绿色环保等特点, 有望成为下一代重要光源。制约OLED发展的一个重要障碍是其取光效率较低。为了提高OLED取光效率, 研究者进行了大量的研究, 其中应用微透镜阵列提高OLED取光效率是一种重要方式。文章简单分析了微透镜阵列提高OLED取光效率的原理, 综述分析了各种结构特征的微透镜阵列在提高OLED取光效率中的应用, 总结了在OLED基底表面制备微透镜阵列的方法、优缺点, 以及应用微透镜阵列提高OLED取光效率的最新进展和发展趋势。 相似文献
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随着科学技术的进步,当前的仪器设备已朝着光、机、电集成的方向发展。折射型微透镜阵列以其体积小、重量轻、便于集成化、阵列化等优点,而成为新的发展方向。折射型微透镜阵列是一种目前应用十分广泛的微光学元件,它被广泛地应用于光束整形、光学器件互连、三维成像等领域。 相似文献
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介绍了石英玻璃刻蚀浅锥孔的制备方法。通过紫外接触式光刻系统在石英玻璃上形成光刻胶浅锥孔阵列图案,用电感耦合反应离子刻蚀机(ICP-RIE)进行刻蚀。研究了光刻参数和蚀刻参数(气体流量、气体成分、腔压、ICP功率和偏置功率)对石英玻璃的刻蚀性能、表面轮廓、蚀刻速率和侧壁倾角的影响。结果表明:刻蚀气体种类对石英浅锥孔阵列刻蚀效果有显著影响,CF4和Ar的组合气体所刻蚀的石英锥孔阵列的效果最佳,随着CF4气体流量比的增加,石英刻蚀倾角先降低后又小幅增加,当刻蚀气体(CF4∶Ar)流量比在5∶3时,石英刻蚀速率为0.154μm/min,光刻胶刻蚀速率为0.12μm/min,得到的石英浅锥孔倾角最倾斜。在其他刻蚀参数一定的情况下,ICP功率由600W升高至800W,石英刻蚀速率大幅降低,聚合物的沉积成为刻蚀工艺的主导;刻蚀石英的粗糙度Rq随着ICP功率的降低明显增加;RF功率升高时刻蚀石英的速率增加,Rq值增加后又降低,当RF功率升高至200W时,光刻胶发生碳化现象。可为石英玻璃微器件的制备提供工艺参考。 相似文献