掺杂nc-Si：H膜的电导特性

采用常规PECVD工艺,以高纯H2稀释的SiH4作为反应气体源,以PH3作为P原子的掺杂剂,在P型(100)单晶硅(c-Si)衬底上,成功地生长了掺P的纳米硅膜(nc-Si(P)：H)膜.通过对膜层结构的Raman谱分析和高分辨率电子显微镜(HREM)观测指出：与本征nc-Si：H膜相比,nc-Si(P)：H膜中的Si微晶粒尺寸更小(～3nm),其排布更有秩序,呈现出类自组织生长的一些特点.膜层电学特性的研究证实,nc-Si(P)：H膜具有比本征nc-Si：H膜约高两个数量级的电导率,其σ值可高达10-1～10-1Ω-1·cm-1.这种高电导率来源于nc-Si(P)：H膜中有效电子浓度ne的增加、Si微晶粒尺寸的减小和电导激活能△E的降低.采用nc-Si(P)：H膜和P型c-Si制备了异质结二极管,其反向击穿电压值可高达75V,而反向漏电流却仅有几个nA,呈现出良好的反向击穿特性.     

ａ—Si∶O∶H对硅平面三极管的表面钝化

采用ａ－Ｓｉ∶Ｏ∶Ｈ对硅平面三极管表面进行二次钝化，可以使器件正向特性曲线明显变平，饱和区、截止区变窄，反向击穿特性显著变硬，击穿电压有所提高，漏电流有了较大的减小，而且具有较强的Ｎａ＾＋阻挡能力。     

高压二极管阻断I-V特性研究

针对高压二极管在终端工艺中出现的3种阻断I-V特性进行了相关测试分析，通过TCAD模拟仿真，结合器件内部电场和漏电流分布，理论研究了3种不同终端负斜角角度对其阻断I-V特性的影响，阐述了导致器件击穿电压降低和软击穿的本质机理。研究结果表明，当终端负斜角θ<1°时，器件获得了低电压的硬击穿特性；当1°≤θ<3°时，器件可获得最佳阻断电压的硬击穿特性。导致硬击穿的本质原因是峰值电场位于有源区边界或靠近边界的位置。对于θ≥3°，高的峰值电场靠近终端区斜角表面边缘而导致I-V呈软击穿特性。     

a—SiN：：H的退火自理及其对a—Si：HTFT性能与可靠性的影响

研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响，实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－ＳｉＮ：Ｈ ＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性变坏。     

Cr^4＋：YAG激光器中产生孤子脉冲的理论分析

为了寻找理想的光纤低损耗区进行光孤子通信的孤子源，根据脉冲在Cr^4＋：YAG激光器里传播特性获得了带微扰的非线性薛定谔方程，系统分析了腔内色散、增益、损耗、非线性效应等对基态孤子脉冲的影响以及Cr^4＋：YAG激光器腔结构与锁模基态孤子脉冲参数的相互关系，证明在Cr^4＋：YAG激光器中能够产生基态孤子脉冲，Cr^4＋：YAG激光器可作为光孤子通信系统的孤子源。     

使用ZnS：Mn荧光陶瓷的新型直流电致发光器件

描述了使用烧结ZnS:Mn荧光陶瓷的两种新型直流电致发光(EL)器件,发光面积为3.14cm~2的荧光陶瓷器件(PCEL)。其最高亮度为4000尼特,发光效率达0.71m/W。亮度和发光效率与所加电压的特性强烈地取决于压强,烧结温度、陶瓷片的浸铜条件。这种新的PCEL器件具有成本低、直流驱动电压低、无击穿失效、易见度高。     

LiF：F￣－＿2色心晶体对连续Nd：YAG激光器锁模特性的研究

实验研究了ＬｉＦ：色心晶体对ＣＷＮｄ：ＹＡＧ激光器的锁模特性，获得了连续稳定的锁模脉冲序列输出。     

烧成工艺对Fe-Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

通过大量的实验研究证明：Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料对烧成温度比较敏感，样品的烧成温区比较窄，只有２０°左右。同一烧成温度下，保温时间越长，负阻特性能越坏，击穿电压、负值系数下降。降温速率对其负阻特性没有多大影响，采取随炉降温即可获得负阻特性较好的样品。     

Cr：LiCAF激光特性研究

Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ（氟铝酸钙锂）是一种非常有用的固体可调谐激光材料。报道了Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ的激光特性。用闪光灯泵浦Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ激光器宽带输出４７２ｍＪ，斜率效率约１．２％。波长可调谐范围为７２２～８３６ｎｍ，最大可调谐输出能量为６０ｍＪ，中心波长为７８０ｎｍ。     

Tm：YAG光纤生长中熔光谱的研究

本文报道了用激光加热基座法生长Ｔｍ：ＹＡＧ单晶光纤时，光照区在不同加热功率下光谱变化及其响应时间，分析了形成的原因。     

真空中电极间隙的预击穿特性研究

本文对真空中的预击穿特性进行了研究，分析了影响真空中电极间隙预击穿特性的因素，并对真空灭弧室的顶击穿特性进行了研究。     

超薄EOT高K金属栅结构中串联电阻效应对瞬时击穿特性的影响

本文研究了超薄EOT高K金属栅MOS电容结构的瞬时击穿特性。由于串联电阻效应的影响，MOS电容的瞬时击穿特性的面积依赖关系与理论推导不符。器件中的串联电阻可以通过对IV特性的FN拟合得到。在本文的器件结构中，经验证得到串联电阻主要是由于电极的不对称性引起的扩展电阻。本文提出一种采用串联模型对击穿分布特性进行修正的方法。修正后的瞬时击穿特性与面积的依赖关系符合泊松面积归一规律，这说明对于超薄EOT的高K金属栅结构，瞬时击穿的机制与时变击穿的机制相同，都是由缺陷产生过程导致的击穿过程。     

具有厚耗尽层的“达通”型硅雪崩光电二极管雪崩击穿电压和倍增因子的近似计算

提出了一个分析n+pπp+“达通”型二极管雪崩击穿特性的近似方法,并根据文献资料的数据近似计算了耗尽区达200微米,p区杂质分布均匀及有线性梯度的n+pπp+“达通”型硅雪崩光电二极管的雪崩击穿电压和倍增因子。简要分析了各参数对n+pπp+结构雪崩击穿电压和倍增特性的影响。     

N管开启电压调整注入对P－N结击穿电压的影响

为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度。通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

一种具有衬底n型电荷区的高压LIGBT

本文基于4μm漂移区厚度提出一种具有衬底浮空n型电荷区的新型LIGBT（NR-LIGBT）。由于n型电荷区的电场调制作用,器件的纵向击穿特性得到加强,击穿电压得到明显的提高。由于高的单位微米平均电场,因此新器件具有面积成本低、电流能力强和关断时间短的特点。模拟结果表明：在相同的100μm漂移区长度下,新结构的击穿电压比常规结构（C-LIGBT）提高了58％。并且,在相同的阻断能力下,新结构的关断时间短于常规器件。     

台面结终端高压4H-SiC BJTs的击穿特性研究

根据雪崩碰撞理论,本文对具有台面结构的4H-SiC BJTs中所使用的单区和多区结终端结构参数对击穿电压的影响进行了分析和计算。计算结果表明,在单区结终端结构中,通过精确控制有源JTE的掺杂浓度和离子注入深度可以有效提高台面BJTs器件的击穿电压,而多区结终端结构可以在保持击穿电压不变的前提下降低峰值表面电场。同时文中还对正负表面态或界面态对击穿电压的影响做了详细的计算分析。这些结果对于优化台面功率器件的高压特性有着重要的现实意义。     

集成微区成像的激光诱导击穿光谱系统的光谱信号稳定性分析

搭建了一套集成微区成像的激光诱导击穿光谱系统,运用描述性统计分析方法分析了激光器的能量稳定性、光谱仪的噪声水平,重点分析、对比了气体样品和固体样品激光诱导击穿光谱信号的稳定性特征。结果表明:空气样品激光诱导击穿光谱信号具有明显的随机波动特性和正态分布特征,铝合金样品激光诱导击穿光谱信号具有明显的位置敏感特性和非随机波动特性;与空气样品相比,铝合金样品激光诱导击穿光谱信号的不稳定性主要源于光与物质相互作用区域的变化;对具有正态分布特征的激光诱导击穿光谱信号,可通过多脉冲平均来有效提高其稳定性。     

N管开启电压调整主入对P—结击穿电压的影响

为了讨论了问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｒ－Ｎ结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。ＥＥＰＲＯＭ的研制中，要求“漏Ｐ－Ｎ结”击穿电压≥２０Ｖ，即沟道区杂质浓度要低到一定的程度，而同时又必须保证一定的开启电压，即沟道区杂质浓度要高到一定的程度，通过分析与实验，提出了解决这一矛盾的通用原则。     

LiF：F^—2色心晶体对连续Nd：YAG激光器锁模特性的研究

实验研究了ＬｉＦ：Ｆ＾－２色心晶体对ＣＷＮｄ：ＹＡＧ激光器的锁模特性，获得了连续稳定的锁模脉冲序列输出。     

薄栅氧化层击穿特性的实验研究

在恒流应力条件下测试了薄栅氧化层的击穿特性,研究了TDDB的击穿机理,讨论了栅氧化层面积对击穿特性的影响.对相关击穿电荷QBD进行了实验测试和分析,研究结果表明：相关击穿电荷QBD除了与氧化层质量有关外,还与应力电流密度以及栅氧化层面积强相关.得出了QBD的解析表达式,并且对相关参数进行了研究.