超高α值超小漏电流ZnO压敏电阻器

研究了ＺｎＯ压敏电阻器非线性系数α值与Ｓｂ２Ｏ３含量,粉料粒径的关系,实验发现,适当添加Ｓｂ２Ｏ３与超细粉碎粉料,不仅是提高压敏电阻器电压梯度的有力措施,也是大幅度提高非线性系数α值和大幅度减小漏电流的有效途径。     

ZnO压敏电阻器在电源电路中的应用及其展望

ＺｎＯ压敏电阻器是６０年代末期研制成功的新型过电压保护元件。本文就ＺｎＯ压敏电阻器的特性及其抑制过电压原理，分析了电源电路产生过电压的原因及其对策，得出用ＺｎＯ压敏电阻器抑制过电压是一种较为理想的方法，它具有保护效果好、可靠性高、节能、价廉等一系列优点。文中还就如何应用ＺｎＯ压敏电阻器来保护电源线路、变压器、半导体整流元件、电气电子机器和家电等，给出了保护电路、选用原则和使用注意事项。目前ＺｎＯ压敏电阻器已有成功地应用于某些电源电路的过电压保护的实例，并取得了明显的经济效益。可以预料，ＺｎＯ压敏电阻器将是电源设计者和使用者不可缺少的新型浪涌吸收元件，将广泛地应用于各类电源电路的保护。     

液相掺杂法可提高ZnO压敏电阻器的性能

用液相掺杂法制备的粉体制成了ＺｎＯ压敏电阻器。ＳＥＭ测试分析及密度测试结果证明,瓷片的微观结构得以改善,从而提高了ＺｎＯ压敏电阻器的性能,其中非线性系数达到６７,通流能力为传统法制作的ＺｎＯ压敏电阻器的２倍。     

SiO_2对ZnO压敏电阻器性能的影响

实验研究了ＳｉＯ２对ＺｎＯ压敏电阻器性能的影响，在ＺｎＯ陶瓷中，添加适量的ＳｉＯ２可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度，降低漏泄电流，提高通流量，能够制造出性能优异的ＺｎＯ压敏电阻器。     

Nb掺杂ZnO压敏电阻器的缺陷模型

对ＺｎＯ压敏电阻器高价Ｎｂ掺杂的缺陷模型进行了分析，据此模型对ＺｎＯ压敏电阻器的性质进行了讨论。     

液相掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响

采用Ｃｏ、Ｍｎ、Ａｌ等元素液相掺杂，制得了高能和高压ＺｎＯ压敏电阻器，通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较，结果表明，掺同样含量Ｃｏ时，液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的Ｉ－Ｖ曲线上翘，将Ｃｏ的含量减半，得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ＺｎＯ压敏电阻器配方中，采用Ａｌ液相掺杂，能有效地改善大电流区的非线性。     

籽晶法制备低压ZnO压敏电阻器

研究了ＺｎＯ籽晶粒度、掺入量及其制备方法对压敏电压的影响。实验结果表明：掺入适量粒度合适的籽晶，勿需在高温下长时间烧结，也可制成压敏电压较低，漏电流较小的ＺｎＯ压敏电阻器。     

SrTiO_3环形压敏电阻器

以ＳｒＴｉＯ_３为主晶相，以Ｌａ_２Ｏ_３为施主杂质，在还原气氛下烧结使其充分半导化；掺杂多种金属氧化物，通过高温氧化处理形成晶界层，研制出环形压敏电阻器。其性能优于原有的ＺｎＯ环形压敏电阻器，不仅压敏特性优良，且具有很高的电容量，是一种双功能元件。更重要的是解决了ＺｎＯ压敏电阻器固有的在焊接挂锡后电压降低严重的问题。该成果填补了国内空白，并于１９９２年通过机电部设计定型鉴定。     

Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

本文研究了Ｎｂ＿２Ｏ＿５掺杂以及Ｎｂ＿２Ｏ＿５与ＺｎＯ煅烧对ＺｎＯ压敏电阻器电性能的影响。实验表明，Ｎｂ＿２Ｏ＿５的掺入使压敏电场减少，当Ｎｂ＿２Ｏ＿５含量为０．１％ｍｏｌ时，其压敏电场最小．非线性系数最大。煅烧温度越高，压敏电场越高，非线性系数越大。     

ZnO压敏电阻器生产工艺的改进

压敏电阻器的生产工艺是影响产品质量的重要因素之一。通过试验，对生产工艺中，影响ＺｎＯ压敏电阻器直流老化性能的因素，如原材料细度、烧成气氛、成型密度、热处理温度和时间、掺杂等进行了研究，并据此确定了最佳工艺条件。     

直流微电机用环形低压压敏电阻器的性能比较

测量了目前直流微电机消噪用 Zn O和 Sr Ti O3两类环形压敏电阻器的特性参数 ,分析了它们的介电 -频率和介电 -温度特性 ,并与所研制的用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻的性能相比较。比较测量结果说明 ,采用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻器 ,具有易于低压化且压敏特性良好的优点。尽管 Zn O的电容量不及 Sr Ti O3,但由于Zn O压敏电阻的制备属常规工艺且成本低廉 ,在要求价格低的直流微电机应用领域 ,只要提高 Zn O环形压敏电阻器的压敏特性 ,它仍具有较高的实用价值     

层状结构低压ZnO压敏陶瓷的制备及性能研究

Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers.     

Preparation and characterization of layered low-voltage ZnO varistors

Double-layered, low-voltage ZnO varistors have been fabricated by feeding two kinds of ZnO powders into a die using dry extrusion molding. Compared with ZnO varistors fabricated by the conventional route, the layered ZnO varistors have larger non-linear coefficients, lower breakdown electric fields, and lower leakage current densities. The improvement in electrical performance of the layered low-voltage ZnO varistors is attributed to the asymmetric band structure at grain boundary between the two layers.     

ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备

用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器。该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比。     

Characterisation of ZnO-based varistors prepared from nanometre Precursor powders

Nanometre precursor powders of ZnO and various additives are synthesised by a new technology, namely chemical coprecipitation and plasma pyrolysis. Transmission electron microscopy (TEM) and the Brunauer–Emmett–Teller (BET) method are employed to illustrate the precursor powders' properties. The ZnO and additive composite powders are composed of spherical particles whose size is about 10–50 nm. Varistors are prepared by sintering the precursor powders at 1050 °C. Scanning electron microscopy (SEM) results show that the average grain size of the varistors is about 1.0 μm. The prepared ZnO-based varistors have excellent electronic properties. Analytical results reveal that the breakdown voltage is 500.0 V mm⁻¹ and the non-linear coefficient is about 54.0. Copyright © 2000 John Wiley & Sons, Ltd.     

高电压梯度的ZnO变阻器

通过超细粉碎和低温烧结工艺.制造成了具有高电压梯度的ZnO变阻器.本文简要报告高电压梯度的ZnO变阻器的制造工艺和性能.     

复合纳米添加法制备ZnO压敏电阻器

提出了一种利用复合纳米添加剂改善ZnO压敏电阻的晶界效应和微观特性，以获得高性能ZnO电阻片的方案，并通过化学共沉淀法制备了多元复合纳米添加剂。实验分析表明，此方案能提高通流50％以上，并能显著改善器件的微观均一性，制得的复合添加剂选择性好，易于实现工业化生产。     

微波烧结ZnO压敏电阻的可行性研究

采用微波烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,研究了其致密化过程,运用XRD、SEM、电性能测试等手段,分析了烧结温度对其微观结构和电性能的影响。结果表明:微波烧结工艺不仅可显著提高ZnO压敏电阻的致密化,而且能够改善材料的微观结构和电性能。微波工艺的烧结周期仅是传统工艺的1/10~1/8。微波烧结样品的小电流特性有所提升;其通流量为11.6kA,比商用ZnO压敏电阻(7.75kA)高。     

叠烧对ZnO压敏电阻中Bi_2O_3挥发的控制

采用高能球磨法制备ZnO压敏电阻混合粉体。用XRD、SEM对其形貌和微观结构进行了表征。研究了叠烧烧结时,不同位置ZnO压敏电阻中Bi2O3的挥发情况及对其电性能的影响。结果表明:中心位置处ZnO压敏电阻的非线性系数为31,较表层提高100%;其漏电流为6.0μA,电位梯度为345V/mm。Bi2O3的挥发,呈现从中心到表层逐步加剧的趋势。