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智能功率集成电路SPIC是把低压控制和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现具有防止短路,过载,高温和过大功率等功能.对于较低电压使用的SPIC,通常采用PN结隔离技术,集成双极型的CMOS和DMOS的器件结构,即所谓BCD技术,在工艺上就要实现双极型,CMOS和DMOS的工艺兼容.在这个兼容工艺中,选择外延层电阻率和厚度是个 相似文献
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硅外延层电阻率测量值一致性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率,以满足器件研制的需要,是检测人员所关注的一个重要课题,对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较,指出了其各自的优缺点,讨论了测量中存在的问题,针对这些问题,采取了相应的措施,试验和分析结果表明,几种测试 方法的结果获得了相当好的一致性,测量相对误差可控制在5%以内,能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。 相似文献
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针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V. 相似文献
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本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n~-/n~+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得出,外延加双保护环结构,对中小规模电路而言,是一种消除CMOS电路闭锁的有效方法。 相似文献
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用廉价的方式把数字、模拟和功率元件集成在单片衬底上的市场需求,在许多应用方面的重要性正在持续的增长。本文描述非平面多层外延双极型功率集成电路的工艺,此工艺特别适用于低成本电源的应用,例如串联—通道稳压器。本概念能提高晶体管特性,并能扩展到更为复杂更高性能的智能功率集成电路的应用领域。 相似文献
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针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传统厚外延技术相比,工艺中n型外延层的厚度减小为9μm,因此形成pn结对通隔离的扩散处理时间被极大减小,结隔离有更小的横向扩散,节约了芯片面积,并改善了工艺的兼容性.应用此单层多晶、单层金属高压BCD兼容工艺,成功研制出一种基于耦合式电平位移结构的高压半桥栅极驱动电路,电路高端浮动偏置电压为880V. 相似文献
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p型硅外延层电阻率的控制 总被引:1,自引:0,他引:1
计算表明,p型硅外延层的电阻率对其生长速度和生长温度的变化都是十分敏感的。为了保证p型硅外延片的电阻率具有良好的可控性和重现性,除了充分抑制重掺硼衬底的自掺杂作用外,还需十分严格地控制硅外延片的生长温度和速度。 相似文献
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