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秦兆铨 《上海微电子技术和应用》1995,(1):25-33,62
本文对厚膜电阻器及由它构成的网络电阻器产品,包括性能及生产流程给出了一个简单介绍,着重地对厚膜电阻浆料特别是钌系电阻浆料的组成及性能作了讨论。 相似文献
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通过在钌系电阻浆料配方中加入多种金属及金属氧化物粉末的大量实验,推出了制备高性能钌系低阻值(≤10Ω/□)厚膜电阻浆料的方法。 相似文献
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讨论了影响应变系数的有关因素:(1)电阻的组成与应变系数K的关系;(2)电阻的烧成时间与K的关系,(3)导体与K的关系;(4)玻璃与K的关系。同时论述了应变电阻的导电机理、作用原理以及应变系数的测量与计算方法等。 相似文献
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厚膜电阻浆料有机载体的改进 总被引:12,自引:4,他引:8
厚膜电阻浆料有机载体的改进李同泉(昆明贵金属研究所昆明650221)ImprovementofOrganicCarierforThick-filmLiTongquan(KunmingNobleMetalInstitute,Kunming,650221... 相似文献
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厚膜电阻浆料的胶冻现象及预防措施陶文成,苏功宗,张代瑛,李同泉(昆明贵金属研究所昆明650221)1前言近年来,我们在研制和生产电阻浆料的过程中,发现某些中阻值电阻浆料出现严重的胶冻现象,我们称这种浆料为胶冻浆料。其胶冻现象与南方某公司使用进口的电阻... 相似文献
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从钌酸盐厚膜电阻的导电机理来探讨研制工作中出现的一些问题。特别是用半导体掺杂理论来解释厚膜电阻掺杂中出现的各种电学现象,预测一些掺杂剂的行为。 相似文献
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<正> 笔者对钽钌酸铅电阻曾进行了广泛而深入的研究,钽钌酸铅电阻具有以下特性:1.电阻对烧结温度不敏感;2.10kΩ/□~10MΩ/□范围内不需要掺杂且性能良好;3.电 相似文献
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当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/℃。高温(950℃)煅烧制得的Bi_2Ru_2O_7、Bi_2Ir_2O_7与低温(600℃、700℃)制得的相比,方阻高,TCR较负,前者宜作高电阻膜,后者宜作低电阻膜。掺入Al_2O_3、SiO_2使方阻增大,而TCR和噪声良好,TiO_2使TCR较负。Au粉使方阻急降,但改善TCR。Pt粉对方阻和TCR无明显影响。Bi_2O_3或MnO_2使TCR由正值偏向负值方向。150℃、1000小时热存放后,Bi_2Ru_2O_7低阻变化较大,高阻变化率为±1%;Bi_2Ir_2O_7阻值变化率小于0.8%。Bi_2Ir_2O_7与Bi_2Ru_2O_7相比,噪声低,TCR略大。 相似文献