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本文讨论了氮化铝基片生产工艺中的一些问题。  相似文献   

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文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。  相似文献   

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本文介绍了功率电路对基片材料的要求。阐述了氮化铝陶瓷是理想的基片材料。  相似文献   

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本文讨论了氮化铝(AN)基片生产工艺中影响其性能、外观的一些因素,并提出了相应的解决措施。  相似文献   

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长期以来,绝大多数功率混合集成电路的陶瓷封装材料一直沿用Al_2O_3和BeO陶瓷,但由于性能、环保、成本等因素逐渐显露出已不能完全适合功率电子器件发展的需要,因此,一种综合性能优越的新型电子陶瓷——AlN陶瓷,无疑将成为传统Al_2O_3和BeO封装和基板的替代材料。 AIN是一种纤锌矿结构的合成Ⅲ-Ⅴ化合物,于19世纪60年代被发现。尽管单晶AlN理论热导率达到  相似文献   

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流延法制作AlN陶瓷基片工艺   总被引:6,自引:1,他引:6  
研究出一种用流延法制作AIN陶瓷基片的工艺。制备出性能优良的AIN基片。经1650℃,保温2h无压烧结制得的基片,其热导率达130W/(m·K)、密度为3.34g/cm ̄3,表面光滑平整,瓷体结构均匀,性能达到用干压法制备的同类基片的性能。  相似文献   

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薄膜微波集成电路陶瓷基片电路制造工艺的新发展   总被引:1,自引:0,他引:1  
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功率电路基片首推氮化铝陶瓷   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着民用、军用电子设备或系统的功能越来越全,自动化程度也日益提高,因此必须有功能完整、高可靠性、体积小、重量轻、高效率、高功率密度、开关速度快、抗干扰能力强的相应的电子线路系统满足其需要。功率电子器件的设计最主要包括电参数设计、结构设计和热耗散设计三部分。在半导体芯片数愈来愈多,布线和封装密度愈来愈高的功率电路中,热效应显得  相似文献   

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A1N陶瓷具有高的热导率和与Si相接近的热膨胀系数以及电绝缘特性,是一种应用前景极好的基片材料。本文介绍了A1N陶瓷的基本特征、用于陶瓷基片和封装材料的工艺难点及A1N陶瓷的应用现状和前景。  相似文献   

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用于氮化铝陶瓷基片的电子浆料   总被引:2,自引:0,他引:2  
研制了用于AlN陶瓷基片的导体银浆和电阻浆料。采用低PbO含量晶化玻璃料配制银导体浆料,玻璃软化点430~450℃。电阻浆料采用PbO(质量分数小于6%)的晶化玻璃料B、C、D三种,软化点分别为520℃、690℃、610℃。改变RuO2与玻璃相的质量比,能控制电阻浆料的方阻值。质量比在50比50至15比85之间。加入添加剂MnO2可改善电阻浆料的TCR,阻值在20Ω/□~1MΩ/□范围内,TCR绝对值小于200×10-6/℃。  相似文献   

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氮化铝(AIN)基板由于其优良的热性能和无毒性,成为一种重要的微电子材料。本文从以下三方面研究了氮化铝基板的薄膜金属化问题:(1)金属薄膜同AIN基板的附着力;(2)AIN基板上薄膜电阻的温度系数;(3)AIN基板上NiCr薄膜电阻的功率密度。研究结果表明,氮化铝上薄膜金属化层的附着强度可以大于AIN陶瓷本身。成功地将薄膜金属化氮化铝基板应用于功率混合电路和功率对晶体管模块中。  相似文献   

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氮化铝陶瓷基板蓄势待发   总被引:1,自引:0,他引:1  
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印制板是电子工业重要的电子部件之一 ,几乎所有电子设备 ,小到电子手表、计算器 ,大到电子计算机、通信电子设备、军用武器系统 ,只要有集成电路等电子元器件 ,为了对其安装和电气互连 ,都要使用印制板。开始是单面印制板 ,随着电路密度的提高 ,单面布线已布不下 ,发展到双面布线 ,为了使双面导线互相连接 ,研究成功了金属化孔连接技术[1] 。目前研究较多的是覆铜箔层压板的孔金属化工艺和镀层缺陷分析 ,对陶瓷基印制板孔金属化研究的报道较少 ,本论文对氧化铍陶瓷基片的金属化孔进行了显微研究和缺陷分析。陶瓷的金属化及其与金属的接合作…  相似文献   

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氮化铝陶瓷因其热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点在许多领域有着广泛的应用。多层共烧氮化铝陶瓷是采用厚膜印厣j的方式将多层的电路金属化做入氮化铝基板并在特定气氛中高温烧结的一种高性能陶瓷。金属化是多层共烧氮化铝陶瓷的一个关键工艺,文章主要介绍了对金属化工艺的研究。重点研究了其中的印刷工艺、叠片层压工艺和烧结工艺。通过对印刷和烧结参数的研究,使得生产陶瓷的热导率大于170W(m·K)^-1,金属化的方阻小于18mΩ/□,金属化的抗拉力大于1.8N(1mm^2焊接面积),能满足大功率LED封装、大功率功率管封装的性能要求,已经在多种陶瓷外壳和基板中应用。  相似文献   

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氮化铝陶瓷薄膜流延等工艺的探讨   总被引:1,自引:0,他引:1  
骆民 《电子元件》1992,(3):39-42
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