铝导带薄膜混合集成电路工艺的研究

在薄膜混合集成电路中，以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺。但铝与银浆的粘接一定的温度和时间下，会产生一种绝缘性金属间化合物，在一定的电压下产生穿，从而使最终产品失效。为此，可采用铝－镍复合导带加以解决，得到了满意的结果。     

金属压焊点下面ESD结构的可靠性研究

研究一种制作在集成电路压焊点金属下面的以二极管为基本单元的静电放电保护结构，这样减小了为制作静电保护电路而消耗的面积。这种结构用金球或铝楔入压焊的方法，用三层或四层金属CMOS工艺制成。压焊后目检没发现不正常现象，电测试也没发现ESD所造成的失效。这种结构通过了产品质量等级测试。     

铝导带薄膜混合集成电路工艺

在薄膜混合集成电路中，以铝导带代替金导带不失为一种廉价而很有前景的工艺，但铝与银浆的黏接在一定的温度和时间下，会产生一种绝缘金属间化合物，需要一定的电压才能击穿，从而使最终产品失效。采用Ａｌ－Ｎｉ复合导带可以解决上述问题，并得到满意的结果。     

局部增强压焊块铝层厚度的工艺方法

针对目前铜线封装对芯片压焊块的铝层厚度要求较高的问题,通过改进芯片制造工艺流程,对芯片内部压焊块的铝层进行单独地加厚。以便同时满足芯片封装厂采用铜线打线和芯片制造厂金属刻蚀工艺难易的要求。做法为,在钝化层刻蚀完成后,再生长一层足够厚的金属层,进行钝化层反版的光刻以及湿法刻蚀,只保留下压焊块区域的金属层,此时压焊块区域就...     

基于薄膜HIC金铝键合失效的工艺研究

介绍了薄膜混合集成电路(HIC)中金铝键合失效机理,提出了一种解决金铝键合失效的新工艺.分析失效机理发现,铝丝和薄膜金导带形成的金铝界面因原子扩散而形成内部空洞,出现键合根部的键合丝断裂的现象.通过改变键合区金属层结构,实现了单一金属化系统,有效避免了金属间化合物的形成.该项研究结果对陶瓷基薄膜HIC的工艺应用范围的拓...     

面板显示驱动电路的失效分析及对策

文章主要对集成电路失效问题进行分析,列举出了容易引起集成电路失效的原因:压焊劈刀选型不当,生产过程中造成芯片表面沾污,芯片表面内压焊点铝层与底层硅化合物结合不牢,选用压焊参数不当,环氧塑封料的特性不佳,存储环境恶劣导致成品电路吸潮等,并逐一进行了分析。同时,还简要的对环氧塑封料特性:耐热性、耐腐蚀性、热膨胀系数、电气特性、耐湿性、结合力方面引起集成的电路失效进行了进一步的分析,提出了预防因产品吸潮而引起塑封体与芯片表面产生分层造成集成电路失效的方法。     

压焊块结构设计对打线效果影响的研究

引起封装打线失效的原因有很多,首先是封装打线工艺的影响,但是芯片自身质量也有很大的关系。文章主要考虑芯片压焊块结构的设计因素,诸如压焊块区域膜层的组成、其上的孔阵列尺寸、铝层厚度等,对打线效果的好坏（脱铝、打穿）都有很密切的关系。文中对这几个因素进行研究,如压焊块上开孔的尺寸对打线粘附力的影响,不同clear rati...     

脉冲选择电镀金加厚工艺技术研究

文章简要了介绍脉冲电镀原理,优点,并详细讨论了脉冲电镀用于薄膜混合集成电路金导带选择加厚的方法,同时研究了掩膜制作 技术及脉冲电镀时的影响因素,最后对加厚导带的光刻方法进行了讨论。     

多次烧结和清洗对压焊工艺的影响

设计了一种应用于光电器件的多梯度烧结、多次清洗的微组装工艺.采用共晶焊将各芯片、元器件烧结到基板上,再将基板烧结到相应管腔内.同时,通过压焊工艺进行芯片与厚膜电路导带的互联.设计了相关工艺步骤,论证了多次烧结、清洗对压焊效果的影响.实验数据表明,采用所设计的工艺制作的样品在经历多次烧结、清洗步骤后,在压焊方面具有高的可靠性,为器件的后续制作奠定了良好的基础.     

氧化－削尖自对准多层金属栅的工艺研究

真空平板显示器的底板主要由场发射阴极和金月栅极构成。本文报告了ＴＩ－Ｗ－Ａｕ三层金属栅极代替过去的铝栅，解决了栅与绝绝层ＳｉＯ＿２的附着问题和金属离子迁移问题而又便于压焊引线，本文报告了氧化削尖对准工艺解决了栅阴套准的问题。     

集成电路封装压焊金丝选择之初探

在当前大量采用的集成电路传统封装工艺中，压焊是至关重要的加工工序，特别是选用的焊线材料是否合适，更是成为影响IC产品封装形式和内在质量的重要因素。压焊用材料大致可分为以下三类：金丝、硅铝丝、铜丝，目前半导体器件、集成电路封装产品中大量采用的是金丝。因此，本文仅对金丝的成分和选用时需要考虑的因素作一简单介绍，相信对直接从事封装技术工作的工程技术人员对金丝的了解、选型方面有所帮助。     

铝膜穿透性阳极氧化技术

铝膜穿透性阳极氧化是实现阳极氧化铝薄膜多层布线基板制作的关键技术。研究了电流密度、电解质溶液温度和铝膜厚度对氧化时间的影响。绝缘电阻测定及扫描电子显微镜分析的结果证实了采用穿透性阳极氧化技术制作导带 ,导带间不存在残余铝薄膜。     

阳极氧化铝薄膜多层布线基板技术

本文介绍了一种制作多层布线基析的新技术－－选择性阳极氧化技术，用这种新技术，把非导体型区域的铝膜转变成隔离导带和通柱的绝缘氧化铝膜。在绝缘基板或者铝基光板上，形成多层布线结构。分析和阐述了这种多层布线基板的平面化结构特性、高导热特性、材料电特性及独特的封装形式，这种多层布线基板的平面化特性，使导体互连具有高密度和高可靠性优点，以铝基板为载体作为封装的一部分，充分体现了这种封装具有良好的电特性和热特     

铜与铝软钎焊技术的研究现状

铝铜接头一般采用压焊、扩散焊、超声波焊、镀覆过渡层气体保护焊等焊接方法,由于设备复杂,生产成本高,生产周期长,限制了这些方法的使用.近几年,铜铝的直接软钎焊成为研究的热点.综述了近年来铜与铝软钎焊在钎焊方法、钎料及钎剂三个方面的技术发展现状.指出铜铝软钎焊的技术优势,铜与铝软钎焊技术应用前景广阔.     

HIC导带缺陷的电学检测与评估

本文介绍了通过测试混合集成电路导带的方块电阻，温度系数等电学特性，再经过高温存贮试验考核其质量的稳定性，对其质量和缺陷进行了评估分析，探索导带质量缺陷与电学特性的关系，并与微分析结果比较验证，为宏观上评价导带质量缺陷提供一个快捷的途径。     

COF结构中键合力损伤芯片Al层的研究

运用实验和有限元模拟相结合的方法，研究了非导电膜和金金共金工艺中键合力对芯片Al压焊块内应力分布的影响，并分析了样品的失效部位和失效原因．挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研究表明，小印制线宽度在相同单位面积键合力情况下对Al压焊块损伤较轻．讨论了印制线宽度对键合偏移容差的要求．     

功率混合集成电路键合强度控制研究

通过引入铜过渡键合垫片，取消了金-铝键合系统，改用铝-铝键合，以提高功率混合集成电路内引线键合强度的可靠性等级，满足某些特殊领域的要求。运用SPC控制，对键合工艺进行了有效控制，使功率混合集成电路内引线键合强度和键合工序能力得到了较大的提高。     

刻蚀在导带边缘的PBG微带线

首次提出了一种新型的50Ω光子带隙(PBG)结构微带线。该PBG结构的制作是在金属导带边缘周期地刻蚀矩形和梯形结构,其微带线的阻带较深、较宽,且通带的波纹较小,与在金属导带或金属接地板上刻蚀周期性孔的通常PBG微带线相比,该新型PBG结构微带线的S参数特性较好。这种新型PBG结构的仿真结果得到了实验的证实。     

金属丝自动压焊中的引线变换

引线变换,是引线框内所有能压焊的引线的平面座标对准。这是为了在金属丝压焊前确定(短路的或缺少的)引线的偏位和/或误差状态而使用的技术。 集成电路最流行的封装方法仍然是使用引线框。引线框之所以被IC工业广泛应用和采纳,是因为它们在组装、测试和使用上容易实现自动化。随着集成电路的复杂性日益增长、器件几何尺寸越来越小,引线框内的引线数也迅速增大。     

HIC导带缺陷的电学检测与评估

介绍了通过测试混合集成电路导带的方块电阻、温度系数等电学特性 ,再经过高温存贮试验考核其质量的稳定性 ,对其质量和缺陷进行评估分析 ,探索导带质量缺陷与电学特性的关系 ,为宏观评价导带质量缺陷提供一个快捷的途径。