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氧化锌薄膜的电化学沉积法制备及受激发射研究 总被引:4,自引:3,他引:4
采用一种简单的电化学沉积法,在三电极化学池中,以单一的硝酸锌水溶液作为电沉积液,制备了高光学质量的半导体ZnO薄膜。透射光谱测量表明其光学带隙为3.35eV,400~2000nm波段的光学透过率大于80%。X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究表明,ZnO薄膜为纤锌矿结构的无序多晶颗粒膜,微晶尺寸小于250nm。当用355nm的皮秒脉冲激光作为抽运源垂直入射薄膜表面时,可以检测到400nm附近的近紫外受激发射光,其强度随入射强度呈超线性增长关系,阈值在196.8kW/cm^2处,并且激光发射是多模的和各个方向的,还与被激发的面积有关,表现为随机激光发射机制。 相似文献
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利用ZnO缓冲层制备AIN薄膜 总被引:3,自引:0,他引:3
采用脉冲激光淀积(PLD)技术,利用ZnO作为缓冲层,在Si(100)衬底上生长出AIN薄膜。X-射线衍射图谱表明,该AIN薄膜具有c轴取向特性。X-光电子能谱测试表明,要获得接近理想化学配比的AIN薄膜,需要高真空演气氛或合适的N2气氛;同时还表明,AIN薄膜表面容易形成保护性氧化层。剖面透射电子显微镜显微照相显示该AIN/ZnO/Si(100)多层结构清晰可辨,层与层之间的界面非常平整。原子力 相似文献
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采用超声雾化热解法在石英基底上制备了掺锑二氧化锡透明导电薄膜。采用X射线衍射检测薄膜的晶体结构,扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌,研究了不同基底温度和Sb掺杂量下薄膜的晶体优势生长面、晶粒形状的变化、可见光透过率和方块电阻。结果表明,薄膜的晶粒度在80~200 nm。当Sb摩尔比为1%、基底温度为540℃时,薄膜的方块电阻最小,约为16.91Ω/□。随着镀膜温度的上升,薄膜的优势生长面从(110)面逐渐向(211)面转移。当Sb掺杂比为1%时,薄膜的可见光透过率最高,当掺杂浓度增大后,薄膜的透过率出现下降。 相似文献
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ZnO薄膜的制备及其在传感器方面的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文主要叙述采用RF反应离子镀、RF反应溅射、MOCVD和激光辅助蒸发等方法制备高度取向的ZnO薄膜。文章还介绍了ZnO薄膜在热电红外传感器、集成化学反应传感器、紫外光探测器,集成加速度计传感器和湿度传感器等方面的应用。 相似文献
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利用一种软化学合成方法——喷雾热解法,在玻璃基底上制备了钨酸镉(CdWO4)发光膜,研究了其结构、吸收光谱、光致发光及较低电压下的阴极射线发光特性。由吸收光谱估算出CdWO4膜的禁带宽度约为3.70 eV。当基底温度在350℃以上时,生成的CdWO4膜在紫外光及阴极射线激发下发出蓝绿光,其光谱为一宽蓝绿发光带。利用高斯函数进行拟合,发现此发光由3个发光带组成:一个峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带,另外两个分别位于444 nm(2.80 eV)和545 nm(2.28 eV)的发光带。证实了峰值位于495 nm(2.51 eV)的主发光带和氧空位无关,是由阴离子络合物WO66-的发光引起的。研究了退火温度对CdWO4膜发光特性的影响。随着退火温度的升高,发光亮度和效率增大。样品的亮度随外加电压的增加而增大,没有观察到亮度饱和现象。经600℃下退火的CdWO4膜,在电子束电压为5 kV,电流密度为57μA/cm2的条件下,其阴极射线发光亮度可达420 cd/m2,效率达1.9 lm/W。研究结果表明,CdWO4发光膜有可能用在以玻璃为基底的平板显示器件中。 相似文献
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利用磁控溅射法在玻璃衬底上淀积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜作为缓冲层,在其上制备了ZnO薄膜。重点研究了AZO薄膜作为缓冲层对玻璃衬底上ZnO薄膜特性的影响。扫描电子显微镜(SEM)图像和X射线衍射(XRD)图谱分析结果表明,玻璃衬底上加入厚度为1μm的AZO缓冲层后,提高了衬底材料和ZnO薄膜之间的晶格匹配程度,有助于增大ZnO薄膜晶粒尺寸,提高其(002)取向择优生长特性、薄膜结晶特性及晶格结构完整性。室温下的透射光谱结果表明玻璃/AZO和玻璃衬底上ZnO薄膜的透光特性没有显著不同。光致发光(PL)谱研究结果表明AZO缓冲层可以有效阻止衬底表面硅原子从ZnO薄膜中"俘获"氧原子,减少ZnO薄膜中的缺陷,改善ZnO薄膜的结晶质量。 相似文献
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该文提出一种柔性的微机电系统(MEMS)超声波器件。该器件由下电极、ZnO薄膜、上电极及聚酰亚胺柔性基底构成。其制作过程简单,采用直流磁控溅射制作上、下电极,反应射频磁控溅射制作氧化锌压电薄膜。薄膜间粘合牢固,可反复弯折。SEM和XRD结果表明,氧化锌薄膜厚度可达4~8μm,具有高度(002)择优取向的柱状晶结构。根据XRD所得的结果计算了薄膜平均晶粒尺寸和内应力大小,结果表明,晶粒尺寸约为22nm,薄膜内压应力约为-1.248 4GPa。利用激光多普勒测得其共振频率约为5MHz。同时,研究发现,较厚的ZnO薄膜使振幅变大,导致振动品质因数(Q)值增加。 相似文献
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低温制备透明SnO2:F薄膜的光电性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
SnO2:F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料。本文在超声喷雾热解成膜技术基础上,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,在较低温度制备出透明SnO2:F导电薄膜。用XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究。结果表明,在360℃积温度下制备的SnO2:F薄膜,其方块电阻为4.7Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高。 相似文献
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热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光和室温紫外激光发射 总被引:6,自引:2,他引:6
利用低压 -金属有机汽相外延 (L P- MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 (Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化 ,制备出高质量的纳米氧化锌 (Zn O )薄膜 .X射线衍射 (XRD)结果表明 ,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构 .90 0℃氧化样品的光致发光 (PL )谱中 ,在波长为 3.3e V处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射 .紫外发光强度与深能级发射强度之比是 80 ,表明纳米 Zn O薄膜的高质量结晶 .在受激发射实验中观察到紫外激光发射 . 相似文献