NexFET:一种高可靠与高性能的低压功率DMOSFET

本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合。基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数(Ron*Qg)改善两倍。一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿。     

RF功率MOSFET产品及其工艺开发

本文简述了RF功率MOSFET器件的应用,分析了以LDMOSFET工艺为基础的RF功率MOSFET的功能特性、产品结构和制造工艺特点。文中结合6寸芯片生产线,设计了产品的制造工艺流程,分析了制造工艺的难点,并提出了解决方案。     

采用△VBE电路的低电压参考

最近常常在讨论齐纳二极管电压参考的作用与优势。尽管齐纳二极管是一种既稳定又精确的电压参考，但它们也要求高偏置电压（通常最小为8V）。这种高偏压要求将大多数齐纳二极管参考排除在源电压为5V（或更低）的电路以外。尽管能使用低偏压齐纳二极管，但其温飘会使其不能用于精密应用中。所有半导体结构都具有对温度敏感的基本电路，因此任何半导体参考都必须采用某种形式的内置温度补偿。齐纳二极管参考即采用内部串联二极管来进行温度补偿。基一射极偏差电压电路也具有同样的温飘问题和相应的解决方案，但由于其不依靠齐纳结，因此能在较低电压上工作。     

新颖应用电路·实用电路集ANP．484～492

新颖应用电路·实用电路集ＡＮＰ．４８４～４９２４８４．齐纳二极管电桥这里介绍的这种电源电路使用２个齐纳二极管和２个整流二极管，代替通常使用的４个整流二极管和１个齐纳二极管。假设Ｄ＿１—Ｄ＿３的结点电位对应于Ｄ＿２—Ｄ＿４为正且高于齐纳二极管的电压（＋...     

HITACHI公司齐纳二极管产品目录

ＨＩＴＡＣＨＩ公司齐纳二极管产品目录ＭＨＤ封装的ＨＺＳ—Ｂ系列通用齐纳二极管通电４０ｍｓ后测量齐纳二极管电压。订货时请指明ＨＺＳ２．７ＮＢ１，…，ＨＺＳ９．１ＮＢ３。封装：ＤＯ—３４（ＭＨＤ）。HITACHI公司齐纳二极管产品目录...     

万能齐纳二极管测试仪

齐纳二极管的精确度在于击穿电压及其公差。公差可以在5—20％之间变化。这里介绍的万能齐纳二极管测试仪电路，能够检验精确的击穿电压和公差值，还能够检测齐纳二极管的动态阻抗(齐纳二极管的动态阻抗特性决定了该齐纳二极管稳定电压性能的好坏)。如果齐纳二极管用于要求较高的地方(比如数字电压表的电压参数、控制系统和精确的电源电路)，还必须检测其温度系数。但对于业余爱好者，则没有这个必要。     

MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管

ＭＨＤ封装的ＨＺＳ—Ｎ系列通用齐纳二极管通电４０ｍｓ后测量齐纳二极管电压。订货时请指明ＨＺＳ２．７ＮＢ１，…，ＨＺＳ９．１ＮＢ３。封装：ＤＯ—３４（ＭＨＤ）。MHD封装的HZS—N系列通用齐纳二极管...     

光控MOS栅固态继电器的电路分析与模拟

光控MOS栅固态继电器是由MOS栅控晶闸管、开关三极管、光电耦合器、增强型MOSFET和齐纳二极管组成的新型开关器件。文章提出了光控MOS栅固态继电器的电路结构，详细分析了它的工作原理及其光电特性。     

分立器件

0402尺寸二极管:齐纳二极管罗姆推出齐纳二极管0402尺寸(0.4mm×0.2mm),这种二极管可以高密度安装在智能手机等便携设备上。本产品属于较小的半导体产品,和以往的0603尺寸(0.6mm×0.3mm)相比,成功地将尺寸减少了55%。     

集成电路数模转换器(下)

四、固体基准源在单片D/A转换器设计中,稳定基准的设计最为关键。稳定基准源的主要指标是热稳定性。 (一)齐纳二极管基准源齐纳二极管基准源是电子系统应用较早且较广的一种固体基准源。产生基准电压的方法不外乎图11所示的四种。即(a)利用齐纳二极管在适当偏置电流下的零温度系数击穿点产生基准电压。(b)利用齐纳管端电压的正温度系数和正偏,二极管端电压的负温度系数串联补偿的原理产生基准电压。(c)利用建立电阻比来获得基准电压。(d)利用平衡电桥产生基准电压。电路计算表明(c)的输出基准为:     

飞兆半导体采用1OOVBOOSTPAK解决方案降低LED应用系统成本

飞兆半导体通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视／显示器背光、LED照明和DC—DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。     

泰科电子推出新的2．3APOLYZE器件

日前,泰科电子宣布该公司的聚合物保护的精密增强型齐纳二极管微型模块PolyZenTM系列增加了两种新产品。这些新产品具有更高的保持电流（23A）,可对汽车全球定位系统（GPS）、智能电话、游戏机、便携式媒体播放器（PMP）和其他视频外设进行保护电路。PolyZen微型模块中包含一个稳定的齐纳二极管和一个高分子聚合物正温度系数（PPTC）保护元件。齐纳二极管能精确将电压箝位,     

无源与分立器件

瑞萨科技小型高ESD容忍度双向齐纳二极管瑞萨科技公司(RenesasTechnology)推出RKZ6.8T系列高ESD容忍度双向齐纳二极管,采用一个单芯片/2引脚封装实现了双向浪涌吸收和噪声限制器功能,可用于电子产品中的LED等器件等的正向和反向浪涌吸收。RKZ6.8TKK和RKZ6.8TKJ分别采用1.0×0.6     

聚合物器件与齐纳二极管协同保护电路

在传统的电路保护组件中,经常采用齐纳二极管来防止电路中的极性反转,但是齐纳二极管也同时面临被反向电压击穿的可能.     

单电源随机码发生器

随着卫星接收机、有线系统和Internet商务的激增，很需要安全加密。伪随机码发生器几年前需定货，现在人们可考虑自己做。本文绘出的是一工作在单电源的真正的随机码发生器。此电路工作在单5V电源，只需最少的调节。此电路通过对齐纳二极管产生的随机噪声流与一个基准电压电平进行比较而产生随机“1”和“0”。假若正确地设置阈值而且时间周期足够长，则噪声将由高于和低于阈值的随机组数量相等的样本组成。图1所示的电路是随机噪声发生器。从1N753A齐纳二极管可获得最佳噪声性能，此齐纳二极管具有6.2V齐纳”拐点”。此二极管用来产生随…     

多连续性测试器

连续性测试器是欧姆计的便携附件。若要检查某个单元或元件的连续性 ,就将其接在Ｅ1 和Ｅ2 之间 ,流过被测单元 元件的测试电流在Ｒ2 上产生压降 ,将其加至缓冲器ＩＣ2的未变换输入端。把运算放大器的输出加至晶体管Ｔ1 ,Ｔ1 的发射极电路有很多并联的发光二极管 (ＬＥＤ)。每个ＬＥＤ都与 1个齐纳二极管和 1个电阻器串联。该齐纳二极管的齐纳电压可与图中不同。当Ｒ2 两端的压降超过Ｔ1 的基极射极电压、齐纳电压以及与该齐纳二极管串联的ＬＥＤ阈值电压之和时 ,相应的ＬＥＤ就发光。该图给出了被测单元 元件在那个电阻范围时 ,特定的Ｌ…     

10 kV高重频开关组件设计

设计了一种基于功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高压开关组件。通过串联20只1 kV的RF MOSFET单元电路,获得耐压10 kV以上的高速、高重复频率的开关组件。开展了高压开关组件的结构设计和1 kV的RF MOSFET单元电路设计及散热设计。利用开关组件进行了10 kV脉冲源实验装置设计,测试结果发现脉冲前沿较仿真结果变缓。     

SiC MOSFET特性分析及应用

碳化硅MOSFET因其材料的特殊性,适合高压、高频和高功率密度场合。该文设计一种碳化硅MOSFET的驱动电路,通过软件PSpice对碳化硅MOSFET以及碳化硅肖特基二极管的开关特性进行仿真研究,并设计RC缓冲电路解决开关的尖峰震荡问题。搭建硬件实验电路,在Buck电路中针对碳化硅MOSFET和Si IGBT在不同负载和占空比下进行电路效率分析。实验结果表明碳化硅MOSFET开关速度快、开关损耗小以及驱动电阻小。碳化硅肖特基二极管无反向恢复特性,适合高频下工作。RC缓冲电路能有效抑制开关产生的尖峰和震荡,在Buck电路中碳化硅MOSFET比Si IGBT在不同负载和占空比下效率要高。     

集成精密基准电压源NG199

迄今为止,电路中使用的基准电压源主要由齐纳二极管来担任。但是一般齐纳二极管存在一些问题,第一是动态内阻大,一般均在十几欧姆以上,尤其在小电流下,内阻更大;因此稳压性能很不理想。第二是稳压值易受环境温度影响,温漂大。第三,一般齐纳二极管的击穿电压容易受硅片表面状态的影响,噪声性能很差。精密有源基准 NG199(参考美国国家半导体的LM199而设计的)则克服了齐纳二极管的上述缺点,具有一般齐纳二极管所不及的性能指标,其温漂可低于1ppm/℃。在电子线路中,凡使用稳压管的地方几乎都可用NG199代替,并且能使线路性能大大改善。在模数转换、精密电压源、精密电流源等方面都有广阔的应用前景。     

一种新型软开关BUCK变换器

根据传统硬开关电源引起的不良影响,提出了一种新型软开关BUCK变换器,使得高低桥MOSFET管都能在不管是轻负载或者重负载情况下达到ZVS状态.在连续导电模式（CCM）和高负载电流情况下,上桥MOSFET管开通,下桥MOSFET管侧的二极管在死区时间内导电,这样就造成了上桥MOSFET管的开关损耗.新型软开关BUCK变换器在传统BUCK变换器的基础上加入了电感和电容,在外加电感电容的情况下,在CCM下的死区时间内的电感电流可以有效地从下桥二极管整流到上桥二极管中.根据仿真结果和工作模式分析验证其性能.