60Co γ射线在炸药柱中衰减规律的实验研究

利用最小二乘法对测得的不同厚度的炸药柱的计数率进行拟合，得到γ射线在某炸药中的衰减服从指数规律，且线性吸收系数为1．007。     

压弯镜系统自重平衡多点调节方法的研究

本文分析同步辐射光束线压弯系统中镜子自重引起的面形误差,介绍减少重力不利影响的方法.根据梁变形理论,提出多点调节的重力平衡方法,并结合上海光源XAFS光束线(BL14W)中的准直镜压弯系统,得到其平衡力最佳的作用点和大小,计算出用两点、三点和四点调节自重平衡时,面形的均方根误差分别为0.179、0.067和0.032 ...     

一种程控型多组合模式信号调理模块

多数信号采集系统均要求其信号调理部分的参数具有可调性,以及调理模式选择的多样性.论文设计占用较少控制器IO资源且相互独立的程控型低通、高通滤波器和陷波器,并利用多路选择器作为调理信号的流向控制逻辑,从而实现具有多种组合调理模式可选,集成的放大器、滤波器参数均可调的信号调理模块.实际应用于工程地震仪中表明模块对干扰成分的压制效果明显,且其采用全模拟芯片也进一步保证了原始信号的高保真性,同时系统控制简便、占用控制资源少.     

用多点放射配基结合分析法求解受体参数所需孵育时间的研究

对受体的放射配基结合实验中反应时间与配基浓度的关系进行了数学分析和实验研究,证明当其它条件固定时,反应达到平衡所需的时间是放射配基初始浓度的函数。一般是初始浓度越小,平衡时间越长;用多点放射配基结合分析法求解受体参数时．孵育时间应选择能使低浓度放射配基达到平衡的时间,对可能出现的“倒钩”现象进行了讨论。     

多点响应谱抗震分析在核电设备中的应用

介绍单点响应谱法和多点响应谱法的求解原理,并以新燃料升降机为例,应用ANSYS软件,采用多点响应谱法进行抗震分析,并与单点响应谱法的抗震分析结果进行对比。结果表明,单点响应谱法的计算结果偏大,而多点响应谱法的计算结果更加合理,为这种类型的核电设备的抗震分析提供了一定的参考。     

组合阀流动阻力实验研究与数值模拟

组合阀流动阻力是控制棒水压驱动系统设计的关键参数之一。对改进后的新阀进行实验研究,获得了各流道差压、流量、阻力系数和流量系数等关键数据。利用计算流体动力学软件CFX进行数值模拟,分析了雷诺数Re对流动阻力的影响。在此基础上,拟合得到了阻力系数的经验公式,为驱动系统优化设计和理论分析提供了实验基础和理论依据。     

低流速自然循环过冷沸腾汽泡脱离点实验研究

针对低流速环形通道中自然循环过冷沸腾汽泡脱离点特性进行了实验研究,运用Saha-Zuber模型、Bowring模型、Forster模型和Levy模型测算汽泡脱离点的位置,与实验值进行比较,发现由于流速较低,上述模型不适用于计算本实验条件下的汽泡脱离点。以Levy模型为基础,修正了浮力项的影响系数,修正后的模型与实验结果符合良好。     

基于虚拟激励法的超多点多维激励下管路简化疲劳寿命分析

针对超多点随机振动边界条件下传统随机振动模块计算规模不适用,且传统疲劳寿命分析方法受建模工作量大制约而无法快速完成疲劳寿命分析的问题,本文基于虚拟激励法提出了一种针对管路系统的超多点多维激励的简化疲劳寿命分析方法。通过对比虚拟激励法和传统随机振动模块计算的结构动力学响应,验证虚拟激励法的适用性,并使用管路简化疲劳寿命分析方法和传统疲劳寿命分析方法分析直管结构和三通连接位置的疲劳寿命。结果表明,虚拟激励法计算的随机振动响应精度与传统随机振动模块一致,说明本文方法可突破传统随机振动模块对振动激励点数和频率点的限制;本文方法无需建立详细有限元模型,直管结构的应力及寿命分析结果与精细模型基本一致,三通连接位置的应力及寿命分析结果相比精细模型更加保守。本文研究可为复杂振动管路系统的快速疲劳寿命分析提供理论指导。      

气泡破裂点位置及液膜卷曲速度实验研究

利用高速摄像技术构造可视化装置拍摄纯水中气泡在自由液面处破裂产生膜液滴的整个过程，包括气泡浮动、液膜排液、破裂点形成、液膜卷曲、瑞利不稳定射流形成膜液滴等阶段。气泡破裂点产生相对位置及液膜卷曲速度对于气泡破裂产生膜液滴过程非常重要，通过图像后处理得到两者实验数据。结果表明：对于实验中气泡曲率半径在2～18 mm范围内的137个数据，其破裂点产生位置主要位于气泡底部，气泡顶部同中间有破裂点产生，但发生频率远低于气泡底部。对曲率半径在7～28 mm范围内的气泡数据进行拟合，得到液膜卷曲速度同气泡曲率半径的关系式。     

304不锈钢高温非比例多轴棘轮行为实验研究

为了对材料的高温棘轮行为进行精确的本构描述,在350℃和700℃下,对304不锈钢的单轴和非比例多轴棘轮行为进行了系统的实验研究.讨论了材料在不同加载路径以及不同工况下的棘轮变形特性,揭示了304不锈钢非比例多轴棘轮行为的平均应力和应力幅值依赖性,以及温度依赖性和路径依赖性.     

一个二维读出多丝正比室的实验研究

中国散裂中子源(CSNS)反射谱仪中的高精度二维位置灵敏中子探测器以多丝正比室为探测单元.为了深入了解二维读出多丝正比室的性能及为中子探测器多丝室单元设计提供参考和依据,制作了一个二维读出多丝正比室模型.对模型的能量分辨率、正比性、位置分辨率等各种性能进行了较为系统的实验研究.测量得到当阳极高压在1700V～1900V时,多丝正比室模型的能量分辨率在23.5%左右,正比性较好,沿着阳极丝的位置分辨(FWHM)为0.3mm左右.     

65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究

利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。     

基于CFD的池式快堆多物理耦合分析方法研究

基于临界/次临界点堆中子动力学模型、燃料棒传热模型、热交换器和多孔介质等辅助热工水力模型,采用显式迭代和动态链接库技术(DLL),利用商用计算流体力学(CFD)程序FLUENT的用户自定义函数(UDF)实现中子动力学、燃料棒热传导等和快堆堆池冷却剂流动换热的耦合计算,开发池式快堆多物理耦合计算程序CFD/PF。采用CFD/PF开展小型自然循环铅铋快堆SNCLFR-10无保护超功率事故(UTOP)模拟,并与国际知名快堆多物理耦合分析程序SIMMR-Ⅲ的计算结果开展Code-to-Code对比分析。研究结果表明:CFD/PF与SIMMER-Ⅲ的分析结果吻合良好,耦合程序的开发取得了初步成功,可用于分析池式快堆堆池内的复杂三维流动和换热现象。     

基于CFD的池式快堆多物理耦合分析方法研究

Based on the critical/subcritical point kinetics model, the fuel pin heat transfer model, and the auxiliary thermal hydraulic models such as the heat exchanger model and the porous media model, a multi-physical coupling code CFD/PF was developed by means of the explicit iteration method, dynamic link library technique (DLL) and user-defined functions (UDF) of FLUENT. The CFD/PF was used to carry out the simulation of SNCLFR-100 unprotected transient of over power (UTOP) of a small natural circulation LBE cooled fast reactor, and the code-to-code comparison analysis was conducted with the renowned multi-physical coupling code SIMMER-III. The results indicated that the CFD/PF simulation results are in a good agreement with SIMMER-III calculation results, and the multi-physical analysis method and code development have been achieved initial success, which can be used to analyze the complex three-dimensional flow and heat transfer phenomena in pool-type fast reactors.     

Ar~+辐照Hastelloy C276显微结构演化多尺度模拟研究及实验验证

采用分子动力学结合团簇动力学研究了Hastelloy C276Ni基合金在Ar+辐照(室温,约10dpa)下的显微结构演化机理,开发了多尺度模拟程序Radieff,利用Radieff模拟了在Ar+辐照下C276中间隙位错环和孔洞的形核、长大过程。在武汉大学串列加速器-离子注入机-透射电镜一体化联机装置上开展了115keV Ar+辐照C276验证实验,采用一体化联机透射电镜观察了辐照缺陷尺寸及形貌。不同辐照剂量下位错环尺寸模拟结果与实验结果吻合很好。     

65 nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究

利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转（multiple-cell upset, MCU）类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转（single-event upset, SEU）的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。