无铝大功率激光器列阵研制成功

由中科院长春光机所承担的“808nm百瓦级连续波无铝量子阱迭阵激光器研制”项目通过了鉴定。该项目在国际上首次采用光源成像调节技术，实现了五个高功率激光器bar组成的激光器线阵(5bar)光束共线，研制出了连续输出217W、光谱半宽为2．5mm、5bar共线性好的激光列阵模块，达到国际先进水平。     

线阵推扫式激光成像引信探测技术

针对环视扫描式激光成像引信探测存在着需要光机扫描和较高的激光脉冲重复频率等问题,提出了一种线阵推扫式激光成像引信探测模式并分析了其探测机理.以对坦克目标探测为例,设计了线阵推扫式激光成像引信探测系统,该探测系统采用线阵半导体激光器阵列发射脉冲激光,线阵光电探测器阵列并行接收来实现一维扫描,弹的飞行实现另一维扫描,在获取目标距离信息基础上进行成像.在对阵列单元激光脚印尺寸大小计算的基础上,确定了该探测系统的基本参数包括所需线阵元数、生成图像大小,半导体激光器阵列的脉冲重复频率和峰值功率等,为系统的工程实现提供了理论依据和设计指导.     

高功率掺铥光纤激光器及其在共振泵浦激光技术中的应用

与其他类型的光纤激光器相比,高功率掺铥光纤激光器具有安全性比较高、输出功率水平高以及可调谐范围比较宽等众多优点。由于高功率掺铥光纤激光器自身具有的这些优点,近几年,高功率掺铥光纤激光器的应用范围越来越广,发展潜力越来越大。本文将从掺铥光纤激光器的发展趋势及其应用领域、半导体激光器为泵浦源的前提下高功率掺铥光纤激光器的输出特性、窄线宽可调谐类型的高功率掺铥光纤激光器以及高功率掺铥光纤激光器在共振泵浦预案激光技术中的应用这四个方面进行详细阐述,以期推动高功率掺铥光纤激光器的发展。     

大功率半导体激光器光纤耦合模块的温度控制

随着光纤激光器技术的飞速发展,作为光纤激光器泵浦源的高功率,高亮度的大功率半导体激光器光纤耦合模块越来越受到人们的关注。提高光纤耦合效率和光纤耦合模块的可靠性,有效控制大功率半导体激光器光纤耦合模块的温度成为人们关注的重点。     

30km 2.5GHz光孤子波传输与压缩实验研究

通过实验研究了光孤子源的产生及光纤孤子的传输。采用增益开关分布反馈半导体激光器作为超短脉冲源，用１．４８μｍ激光泵浦的掺饵光纤放大器作为第一级功放，用Ｆ－Ｐ腔谱窗降啁啾技术产生变换限制脉冲，用另一只１．４８μｍ激光泵浦掺饵光纤放大器作为第二级功放，得到了重复频率为２．５ＧＨｚ的高功率变换限制光孤子脉冲；进行了３０ｋｍ光孤子传输实验，观察了光孤子的传输特性与高阶孤子的压缩特性。     

分立型半导体激光器线阵温度场分析

目的　研究半导体激光器线阵的温度场分布 ,为设计冷却方案提供理论依据 .方法　用分离变量法推导简化后系统的温度场分布函数 ,获得理论最高温度所在位置 ;建立合理的有限元模型 ,在 ANSYS系统上进行数值仿真 .结果　得到系统稳定后的温度场分布图 ,确定了半导体激光器线阵在整个工作时间内的最高温度及其所在位置 .结论　根据简化后的数学模型 ,用有限元法得到的温度场分布与用分离变量法进行的理论分析得到的结论相一致 .     

光纤激光器特种光纤最新进展及建议

<正>自从光纤激光器问世后,高功率光纤激光器成为激光领域最为活跃的研究方向之一。随着新型泵浦技术的采用和大功率半导体激光器制造工业的进一步发展成熟,光纤激光器得到了飞速发展。与传统的固体激光器相比,高功率光纤激光器具有结构简单、阈值低、散热性能好、转换效率高、光束质量好等优点。其中特种光纤技术、包层泵浦技术、光纤光栅技术、半导体泵浦激光器技术以及光纤激光器整机技术被认为是光纤激光器的五大核心关键技术。接下来我们简单谈谈特种光纤技术方面的相关进展。全光纤激光器需要使用双包层有源光     

电子信息材料

京东方拥有自主知识产权的TFT-LCD五代线成功量产；LCD大敌当前后起之秀OLED进军40英寸；中科院半导体所开发出首个紫外半导体激光器；华中科技大学高功率轴快流CO2激光器填补国内空白；物理所在半导体研究方面获新突破。     

高功率激光器技术与产业发展概述

<正>高功率激光器广泛应用于制造加工、医疗诊治、军事国防等领域,是当今世界战略高科技竞争的重要方向之一。在面向2035年推进制造业高质量发展、建设制造强国的国家战略背景下,高功率激光器将在引领先进制造业发展、推动工业智能化进程、促进经济产业升级和我国建设创新型国家以及提升国际产业竞争力中发挥重要作用。1高功率激光器的定义和分类1.1高功率激光器的定义激光器是激光发生的装置,高功率激光器利用激光束与物质相互作用的特性,广泛用于工业、医疗和前沿科研领域（区别于通信领域和显示领域）。高功率激光器主要由泵浦源、     

分立型半导体激光器线阵温度场分析

目的 研究半导体激光器线阵的温度场分布,为设计冷却方案提供理论依据。方法 用分离变量法推导简化后系统的温度场分布函数,获得理论最高温度所在位置;建立合理的有限元模型,在ANSYS系统上进行数值仿真。结果 得到系统稳定后的温度场分布图,确定了半导体激光器线阵在整个工作时间内的最高温度及其所在位置。结论 根据简化后的数学模型,用有限元法得到的温度场分布与用分离变量法进行的理论分析得到的结论相一致。     

隧道级联大功率半导体激光器热特性分析

基于光谱法,通过测量靠近衬底的有源区波长的变化来表征其温度的变化,计算了隧道级联多有源区大功率半导体激光器的热阻。与普通半导体激光器相比,随着有源区数目的增多该热阻有增大的趋势,但并没有成倍增加,主要原因是隧道级联半导体激光器的串连电阻没有成倍增加。     

纤维强化激光快速成型件的初步探讨

将纤维强化复合材料的概念引入激光快速成型件的制备。介绍了强化复合材料常用纤维制备方法及特点。对纤维强化激光快速成型件的制备工艺进行了初步探讨。     

808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵

在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１．５Ｗ（室温，连续），激射波长８０８±４ｎｍ，光－电转换效率最高达６２％，器件寿命考核（２５℃，ＣＷ）超过１０００小时无明显退化。     

二极管激光器泵浦激光玻璃研究进展

自从二极管激光器出现以来，固体激光器已取得了飞速发展，产生了高效、小巧手全固态激光器，本文总结了二极管激光器的优点是二级管泵清激光玻璃的研究进展，分析了激光玻璃的光学和光谱性质随玻璃成分的变化关系，指出了制备高效的二极管泵浦激光玻璃的可能途径。     

选择性激光烧结的原理及应用

选择性激光烧结（Selective Laser Sintering)是20世纪80年代末出现的一种快速成型新工艺，它利用激光束烧结粉末材料制造原型，在工业上得到了广泛应用。对选择性激光烧结的工艺原理、实际应用及发展方向作子详尽介绍。     

半导体激光器调制驱动电源的研制与实践

目的　为半导体激光器合成外差干涉研制一调制驱动电源 .方法　选用现有大规模集成芯片 ,设计力求简单、实用、成本低及高性能 .结果　利用数码调制驱动芯片线性区实现各种方式的调频是可行的 .结论　该调制驱动电源满足各种波形的合成外差干涉 ,具有广泛的应用价值 .     

Laser metal forming processes for rapid prototyping - A review

In the current rapid prototyping processes, a physical part of a computer model can be quickly produced for functional and dimensional verification. Most of the existing systems can only produce non-metal parts, and thus limit rapid prototyping applications. The laser-based metal forming process is a technique that has the potential to produce fully functional models directly from a CAD system and eliminate the need for an intermediate step. This paper presents a review of the state of the art laser metal forming (LMF) processes. LMF process hardware, software, and process parameters are discussed, including laser parameters, beam delivery systems, work table variables, metal deposition techniques, measurement, and control. Process limitations, materials, and costs are summarized.     

GaAs/AIGaAs laser arrays with and without proton isolation

Abstract

Two types of GaAs/AIGaAs laser arrays, each consisting of five emitters and suitable for high power operations, have been fabricated and tested. They are easily fabricated, have high yield and deliver high power. The first array structure was fabricated using proton implantation to define the active lasing channels. Damage introduced by proton bombardment provides both electrical and optical confinement for the lasing channels. We have investigated the effect of heat treatment on the performance of these lasers and have found that the heat treated samples had a lower threshold current and higher quantum efficiency. For 400 μm long devices, with uncoated facets, we have measured a threshold current of 200 mA and a peak power of 231 mW/facet. The highest external quantum efficiency is 60%. We have also fabricated laser arrays with a simple, self‐aligned, index guided ridge waveguide structures. We have obtain a pulsed output power of up to 551 mW/facet with a quantum efficiency of 37.4%. The typical threshold current is 370 mA.     

光电子晶体与全固态激光器及其应用 --光电子技术发展的一个重大方向

光电子时代是微电子技术、激光技术、材料科学等高速发展、综合集成的产物。20世纪90年代光电子晶体的长足进步和大功率半导体激光技术的突破,导致全固态激光器的实用化,这将促使光电子技术在21世纪前50年对更多的国家支柱产业作出重大贡献,如先进制造业的材料加工、信息业的光存储、娱乐业的激光显示、能源业的激光核聚变电站和核裂变燃料生产、军工业的激光武器升级换代等。     

Thermal crosstalk in arrays of III-N-based Lasers

This paper presents a 3D comprehensive thermal-electrical self-consistent model of the continuous-wave (CW) operation of one-dimensional arrays of III-N-based laser diodes at room-temperature (RT). Their performance is mostly limited by thermal processes, in particular by thermal crosstalk between array emitters. Based on data collected from a range of secondary sources, the temperature dependence of the thermal and electrical conductivities of III-N materials used to manufacture nitride-based devices is shown to be a function of the thickness, aluminum mole fractions and Si- and Mg-doping levels of the nitride layers. The impact of substrate width and thickness on increasing the efficiency of heat-flux transport and reducing thermal crosstalk is investigated. As expected, the application of a top-mounted diamond heat spreader was found to have considerable influence on the thermal crosstalk between array emitters, enabling the RT CW operation of laser diode arrays with additional emitters.