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本文叙述了采用蒙特卡罗方法进行整体双极晶体管GP模型直流参数的优化提取方案.通过拟台实验测得的晶体管参数.一次性提取出全体直流模型参数.文中最后给出了计算实例. 相似文献
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双极型晶体管直流模型参数提取的局部优化方法 总被引:1,自引:1,他引:1
采用SPICE进行电路模拟时,获取适用的晶体管模型参数是非常重要的,它将直接影响电路模拟的精度。提取模型参数的方法有分段直接提取法、整体优化法以及局部优化法。前两种方法有其各自的缺点,局部优化法针对使用它们可能遇到的问题做了改进。本文针对双极型晶体管直流模型参数的提取,详细介绍了一种局部优化方法,经过使用,能够达到满意的精度。 相似文献
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双极型晶体管交流模型参数的优化提取包括势垒电容模型参数和正向渡越时间模型参数的优化提取.采用非线性函数最小二乘法拟合实验曲线对上述参数的提取是非常有效的.电容模型公式是由耗尽层近似理论推得的.用该电容模型公式拟合实验曲线,得到了最优的电容模型参数,计算曲线与实验曲线的误差约为1%.为了精确模拟正向渡越时间,根据实验结果对 SPICE 2G程序中的模型公式进行了修正,用修正后的模型公式拟合实验曲线,得到了最优的描述正向渡越时间的模型参数,计算曲线与实验曲线的误差为1.02%. 相似文献
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双极型晶体管模型参数提取的组合优化算法 总被引:1,自引:1,他引:1
本文讨论双极型晶体管(BJT)器件模型参数提取的最优化方法,提出了一种解决全局最优的组合算法,与通常的Gauss-Newton法相比,其突出的优点是:在计算过程中只需计算目标函数值,不必计算目标函数的梯度,所获得的解的全局最优性也较好,本文提出的方法在全局搜索的基础上还同时解决了初值选择与迭代策略,是一种简便、高效的全局优化算法。 相似文献
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本文描述了一个提取MOS场效应晶体管和双极型晶体管直流模型参数的程序。所采用的算法是Meger和Roth方法,它具有较好的收敛性。在目标函数中引入惩罚项,有效地防止了模型参数非物理解的出现。将双极型晶体管直流模型参数分组后优化提取,减少了计算量。应用本程序进行了大量实际器件参数的提取,获得了较满意的结果。 相似文献
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将异质结双极型晶体管(HBT)模型分为本征模型和外模型,并综合考虑了异质结双极型晶体管的寄生效应、空间电荷区的复合效应、隧道效应、热效应和重搀杂效应等因数,应用VC 语言编制提取HBT模型参数软件包,根据HBT的物理参数模拟了HBT的Ⅰ-Ⅴ特性、差分电路的稳态特性和瞬态特性,并与实验结果相对比,验证了HBT模型的正确性. 相似文献
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在晶体管GP模型基础上,采用Silvoca公司的UTMOST模型参数提取程序,得到一种双极型晶体管模型参数的提取方法.用此方法对PCM测试芯片的寄生三极管进行参数提取和模拟,模拟结果与测试结果符合得较好. 相似文献
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文章在分析Mextram模型缩放性的基础上,介绍了可缩放Mextram模型的参数提取方法.结合不同几何尺寸的硅双极型晶体管的测试数据,进行了参数提取.得到的可缩放Mextram模型的仿真结果与测试数据吻合得很好. 相似文献
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双极型晶体管性能统计分布在电离辐射之后会发生变化,从辐射前对称的正态分布转化为辐射后非对称的对数正态分布,这一统计特性转化缺乏清晰的物理图像。为了从微观机理层次解释这一转化过程,通过大样本定制晶体管电离辐射效应实验,获得基极电流、界面陷阱电荷辐射前后的统计特性,发现两者统计特性转化具有一致性。基于基极电流的解析物理模型分析发现辐射前后基极电流统计特性转化源自于界面陷阱电荷统计特性转化,并基于中心极限定理给出了界面陷阱电荷辐射前后统计特性转化的物理解释,即界面缺陷面密度的分散性转化源于多个随机变量以乘积形式实现界面缺陷物理过程。 相似文献
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介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法, 并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合, 将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2~110GHz频率范围内S参数吻合很好. 相似文献
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本文提出一种新的双极型压控晶体管模型,并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电,有较大的电流密度和功率,导电能力又受电压控制,具有较大的输入阻抗,兼有双极器件和MOS场效应器件的特点。 相似文献
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半导体器件和集成电路中存在着两大类应力,提出了应力及其引起的二次缺陷产生的原因、以及如何减小产生的应力和减少二次缺陷的措施,分析了应力和二次缺陷对双极型晶体管的参数性能的不同影响,以及如何区分产生的这些影响是由何种应力或二次缺陷引起的办法。指出硅片在高温氧化扩散后的科学的慢降温和低温出炉是减小应力和减少二次缺陷的最主要措施,对提高器件参数性能的水平和一致性、提高合格率等起着很重要的作用。 相似文献
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当晶体管的热点温度保持在 200 ℃时,晶体管的额定耗散功率随集电结电压增加而减小.本文试图由温度分布随集电结电压的变化来解释这现象.介绍一个计算热阻和温度分布的方法并给出详细的热扩展系数图表.将其和晶体管发射极电流方程相结合得到不同偏置下晶体管的热点温度.计算结果与红外显微镜实测结果相符. 相似文献
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