基于Matlab的ZnO压敏陶瓷几何效应研究

ZnO压敏陶瓷击穿场强E1mA由晶粒尺寸和单个晶界击穿电压两个因素共同决定,沿用之前提出的微观结构模型,在晶粒尺寸一定,晶界电压服从正态分布;晶界电压一定,晶粒尺寸服从正态分布;和晶粒尺寸、晶界电压都服从正态分布三种条件下,用Matlab分别模拟击穿场强随厚度的变化关系,结果表明ZnO压敏陶瓷击穿场强的几何效应主要来自晶粒尺寸和分布的影响。在此基础上,对初始厚度不同的试样进行击穿场强与厚度的关系模拟,从结果可以看到,无论是高击穿场强还是低击穿场强的试样,都存在几何效应。     

弹性应变能对沉淀组织及原子占位影响的微观相场模拟

利用时间相关的微观相场法模拟弹性应变作用下Ni75AlxV25-x合金Ni3Al和Ni3V共格沉淀取向排列组织演化,明晰应变能对取向排列组织形貌的影响,追踪Ni3Al和Ni3V沉淀相形核、长大过程的原子占位解析取向排列的微观原子特征。计算结果表明:应变能阻碍形核,改变沉淀相Ni3Al和Ni3V的析出序列,诱发原子取向扩散形成取向排列组织;取向排列组织受温度和合金成分影响,低温下2相取向不明显,温度较高时,取向排列倾向加强。Al成分较低时,取向排列明显;Al成分增加,取向排列倾向弱化。原子占位的时间演化曲线定量表征了沉淀相析出全过程Ni、Al、V 3种组元在有序沉淀相Ni3Al和Ni3V的亚晶格位置的占位随时间演化,应变能推迟了Ni3Al相VNi、NiAl、VAl原子占位达到平衡的时间,但对NiNi和AlNi的占位达到平衡的时间并无大的影响。应变能抑制了Ni3V相反位缺陷VNiⅡ、NiV和第3组元占位AlNiⅠ、AlNiⅡ、AlV,诱发了反位缺陷VNiⅠ。     

轧制温度对耐候热轧H型钢力学性能的影响

根据热轧H型钢翼缘厚度方向变形集中在万能轧制阶段的特点,将万能阶段开轧温度设定在800～1000℃,其余主要工艺参数不变.通过对热轧H型钢进行力学性能检验及显微组织对比分析,发现铁素体晶粒尺寸及外形对产品力学性能有至关重要的影响,而万能阶段开轧温度对铁素体晶粒尺寸及外形存在显著影响.当开轧温度在1000～950℃时,虽...     

CaCu_3Ti_4O_(12)陶瓷淬火态微结构与介电性能研究

采用传统的电子陶瓷工艺制备了CaCu_3Ti_4O_(12)(以下简称CCTO)陶瓷,主要研究了1 100℃空气气氛下淬火对CCTO介电性能的影响。SEM和XRD研究表明,淬火并未改变CCTO陶瓷的晶粒尺寸大小,但会增加陶瓷表面CuO的析出。介电谱测试发现,经过淬火的CCTO陶瓷在低频下的介电常数和介电损耗均明显增大,而高频介电常数和介电损耗几乎不变。阻抗谱分析进一步表明,淬火后试样的晶界电阻显著降低,可能是晶界氧化相对不足,晶界界面态密度下降,导致耗尽层厚度减小,于是低频介电常数和介电损耗同时增大;由于氧化主要发生在晶界,晶粒点缺陷浓度几乎不受影响,因此晶粒尺寸和晶粒电阻几乎不随淬火而变化。     

热处理对激光立体成形Ti_3Al/TC11连接界面组织性能的影响

通过对激光立体成形Ti3Al/TC11连接界面沉积态、去应力退火和固溶时效3种状态的组织进行对比研究,探索改善Ti3Al/TC11连接界面组织以提高其性能的新途径。研究表明,沉积态试样在两个基体与过渡区交界处组织形貌差异较大,经去应力退火后试样连接界面的组织形貌与沉积态相比变化不大,但针状α′相长度明显减小,Ti3Al侧β晶界厚度减小且变模糊。经固溶时效处理后,两个基体与过渡区交界处组织形貌差异较小,均为等轴、细小α相、α2相和转变β相的三重混合组织,β晶界消失,沿整个试样显微硬度值分布均匀,相比去应力退火态其显微硬度整体较高,这可能与弥散相的固溶强化作用有关。     

Effect of Oxidation Temperature on Structure and Hydrogen Resistance of Oxide Layer of CP Titanium

本文研究了氧化温度对工业纯钛氧化膜结构及阻氢性能的影响.利用XRD和SEM对氧化膜相组成、表面形貌和截面形貌进行了分析.结果表明:工业纯钛在500～700℃氧化后的氧化层主要由金红石结构TiO2组成；表层氧化物的晶粒尺寸及氧化层厚度随氧化温度的提高而增加；低于500℃氧化时,氧化物晶粒较为细小,氧化层厚度较薄;高于600℃氧化时,氧化物晶粒较为粗大,氧化层较厚.氧化层的阻氢性能由氧化层厚度及致密度共同控制；氧化温度低于500℃时,随着氧化温度的升高,氧化层的阻氢性能逐渐增强；氧化温度高于500℃时,因氧化层致密度降低,其阻氢性能随氧化温度的升高而降低.     

低温取向硅钢常化工艺和渗氮工艺对组织、织构和磁性能的影响

利用电子背散射衍射技术(EBSD)、扫描电镜(SEM)分析了低温取向硅钢常化工艺、渗氮工艺对常化组织、再结晶组织与抑制剂的影响,对比研究了常化冷却速率、渗氮温度和渗氮量对再结晶组织、织构和磁性能的影响规律.结果表明,常化冷却速率越快,一次再结晶晶粒尺寸越小.常化冷却速率较慢时,高温渗氮的样品一次再结晶晶粒尺寸偏大,使二次再结晶驱动力降低,二次再结晶温度提高,且渗氮量低,追加抑制剂不足,最终二次再结晶不完善.高温渗氮与低温渗氮导致脱碳板中抑制剂尺寸不同,高温渗氮表层抑制剂与次表层抑制剂尺寸基本无差异,低温渗氮表层抑制剂尺寸比次表层抑制剂尺寸大.低温渗氮且渗氮量低的样品虽然二次再结晶较完善,但由于其常化温度低、常化冷却速率快,一次再结晶晶粒尺寸小,二次再结晶开始温度稍早,黄铜取向晶粒出现,最终磁性差.渗氮量较高的高温渗氮和低温渗氮样品虽都能基本完成二次再结晶,但磁性存在差异,磁性差的原因是高温渗氮样品的最终退火板中出现较多的偏{210}<001>取向晶粒.     

加载方向对Al—Zn—Mg合金型材应力腐蚀开裂行为的影响

采用恒载荷拉伸应力腐蚀试验和电化学试验研究取向对Al-Zn-Mg合金型材的应力腐蚀(SCC)开裂的影响,腐蚀介质采用质量分数3. 5%的Na Cl溶液,容器温度维持在50±2℃,并通过光学金相显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、电子背散射衍射(EBSD)等研究不同取向试样应力腐蚀前、后的微观形貌.结果表明横向试样在315 h时断裂,而纵向试样在整个加载过程中未发生断裂,纵向试样有更好的抗应力腐蚀开裂性能;纵截面(L-S面)的腐蚀电流密度为0. 980 m A·cm-2,约为横截面(T-S面)的5倍,腐蚀倾向于沿挤压方向发展;相比T-S面,L-S面晶粒间取向差较大,大角度晶界多,容易被腐蚀产生裂纹;在应力腐蚀加载过程中,试样先发生阳极溶解,形成腐蚀坑,聚集的腐蚀产物所产生的楔入力和恒定载荷的共同作用促使裂纹在腐蚀介质中加速扩展,两种取向试样均发生了明显的晶间腐蚀,存在应力腐蚀开裂的倾向.     

稀土氧化物掺杂对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷导电过程的影响

掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。     

快速装配式工字钢钢梁连接的抗剪承载力研究

提出一种快速装配式工字钢梁的悬臂梁段拼接节点,该节点由悬臂梁段、横隔板、加劲肋组成。通过改变加劲肋厚度和肢长、横隔板厚度和锚固长度、T形凸起区长度、剪跨比、截面尺寸、补强方式和试件加载方式。利用ABAQUS软件,分析了该设计节点的破坏模式和受力机理,得到了荷载-位移曲线。研究结果表明：改变上侧加劲肋厚度、T形凸起区长度和补强方式对节点的抗剪承载力影响较大,T形凸起区长度设计为170 mm(T形凸起区长度/腹板高度的一半=0.85)时,或凸起位置设置加劲肋,可以防止集中力位置的腹板发生局部屈曲,且节点抗剪承载力与原截面基本相当;角钢形加劲肋可加强腹板,并有效防止连接部位发生局部屈曲。