抽头延迟线读出的多丝正比室

本工作是为制作Q3D磁谱仪焦面探测器而进行的预备实验,目的在于研究用抽头延迟线方法读出多丝正比室的位置信息,提高位置分辨能力,以满足谱仪系统对探测器的要求。 在用~(241)Amα源作检验源,多丝正比室的阴极采用抽头延迟线读出方法,电子仪器采用本单位生产的NIM插件的情况下,实验的初步结果为:位置谱的半宽度约0.9mm,线性曲线的积分非线性为±0.6％。利用这一结果可以制成一维、二维位置灵敏探测器。     

300^#—1靶片内热中子注量率分布测量实验研究

介绍了以φ4mm×0.005mm的金箔为探测片,采用绝对与相对测量法测量300#-1靶片内部热中子注量率分布的原理和方法.给出了靶片所在堆芯位置的绝对中子注量率和靶片内相对中子注量率分布.为靶片自屏因子的确定提供了测量数据.     

SPRR-300堆生物屏蔽层活化情况调查

反应堆生物屏蔽层是反应堆退役阶段的重要源项之一。通过建立计算模型,使用MCNP和ORIGEN2程序计算获得了SPRR-300堆生物屏蔽层的活化情况。为校核理论计算结果,对SPRR-300堆生物屏蔽层混凝土进行了取样分析。取样分析结果与理论计算结果较为一致,证明了理论计算模型的准确性。通过对取样分析结果进行拟合,获得了SPRR-300堆生物屏蔽层针对60 Co核素的活化厚度,即1.1m高度处的活化厚度为840mm,1.5m高度处的活化厚度为680mm。     

300×300毫米~2二维多丝正比室

近年来,我们研制了灵敏面积为300×300毫米~2的二维多丝正比室,它是胰岛素晶体结构分析研究用的一项新技术,可以大大提高对大分子结构分析的数据收集率。该正比室由三个丝极平面组成,阳极丝平面居于两阴极丝平面的中央。阳极丝平面由φ25微米镀金钨丝组成,丝距为3毫米;阴极丝平面由φ63微米的镀金钼丝组成,丝距为2毫米。阳、     

实验室用直流300千伏绝缘套管

为了将直流300千伏高电压引入高气压钢筒内,试制了一种实验室用直流300千伏绝缘套管。绝缘套管的上半部处于大气中,下半部处于充有N_2和CO_2混合气体的高气压钢筒内。     

硅多条两维位置灵敏探测器的研制

描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制备工艺技术及性能测试初步结果.这种探测器的灵敏面积为50 mm×50 mm.P掺杂面被等分成相互平行的长度为50mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间隔为100μm.硅条P掺杂层是一层均匀分布的电阻层,利用电荷分除法,可以得到入射粒子在该条上的位置(Y位置).当探测器工作在全耗尽偏压下时,大部分单条的反向漏电流＜30nA.对239Pu α粒子得到能量分辨率＜2.5%,位置分辨＜0.5 mm.     

微小角中子散射谱仪的高分辨中子闪烁体探测器研究

微小角中子散射谱仪是中国散裂中子源(China spallation neutron source,CSNS)工程目前在建的谱仪之一,为了实现微小角散射模式下中子衍射的精确测量,要求中子探测器的位置分辨≤2 mm、探测效率≥60%@0.4 nm。在此物理精度需求下,研制了基于⁶LiF/ZnS(Ag)闪烁屏、波移光纤阵列和硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)结构的位置灵敏型闪烁体探测器,以实现热中子的高效率和高分辨实时探测。探测效率测试以标准3He管的入射中子数归一化计算得到,位置分辨通过含有“CSNS”字样的含硼铝板验证。本文详细研究了0.5 mm直径波移光纤的光传输性能,对比了不同硅光电倍增管的增益和热噪声特性,并以此设计了有效面积为300 mm×300 mm的探测器工程样机。经测试,该探测器的位置分辨为1.2 mm×1.2 mm,探测效率为(61.8±0.2)%@0.4 nm,达到了工程设计指标,满足了CSNS工程微小角谱仪的中子衍射测量需求。     

多气隙阻性板室探测器位置分辨性能的模拟研究

多气隙阻性板室（MRPC）具有效率高、时间分辨优异、性价比高以及便于大面积制造的优点,成为缪子成像技术径迹探测器的良好选择。提高MRPC的位置分辨能力,是近年来的研究重点。本文使用ANSYS Maxwell计算了MRPC的三维静电权场,在此基础上研究了在相同MRPC结构下,读出板背面接地、读出条间距以及宽度占比对MRPC位置分辨能力的影响,同时给出了改善MRPC位置分辨性能的设计建议是读出条间距1 mm、宽度占比50%~60%。     

多气隙阻性板室探测器位置分辨性能的模拟研究

多气隙阻性板室(MRPC)具有效率高、时间分辨优异、性价比高以及便于大面积制造的优点,成为缪子成像技术径迹探测器的良好选择。提高MRPC的位置分辨能力,是近年来的研究重点。本文使用ANSYS Maxwell计算了MRPC的三维静电权场,在此基础上研究了在相同MRPC结构下,读出板背面接地、读出条间距以及宽度占比对MRPC位置分辨能力的影响,同时给出了改善MRPC位置分辨性能的设计建议是读出条间距1 mm、宽度占比50%～60%。     

叶片泵线谱振动有源控制

叶片泵是典型的旋转类泵,其线谱振动控制是振动噪声控制领域的研究热点。以控制叶片泵低频特征线谱为目标,研究基于有源消振技术的低频特征线谱控制方法,建立叶片泵振动特性试验装置,通过试验检验有源振动控制措施对于叶片泵特征线谱的控制效果。     

缪子成像系统中二维位置分辨探测器研制

介绍了一种应用于缪子成像系统的新型二维高位置分辨探测器,MRPC探测器的有效面积为1 072 mm×1 072 mm,先后对探测器在宇宙线和X射线下测试其性能,结果表明探测效率高于98%,位置分辨好于272μm。     

多道脉冲幅度分析器——第二讲 多道脉冲幅度分析器的主要指标及测试

一、主要指标1.道数和道宽 道数N和道宽△U表示输入信号按幅度分类的精细程度。分类的电压间隔大小称为道宽。间隔的最大数目称为道数。道宽实际上是相邻两道的道位置电压差。道宽的倒数(即每伏多少道)称为变换斜率。实测道宽和标称道宽是有所差异的。如512道分析器其标称道宽为16mV,则最大分析幅度为8.192V。 道数多少是由能谱的分辨率要求决定的。能量分辨率定义为能谱峰的半高处宽度和峰道位置之比。为较精确地计算分辨率,通常半宽度应取5～10道。对于半导体探测器,如分辨率为0.1％,道数至少需要5000～     

二维读出多丝正比室

本文介绍了一个有效面积为20×20cm的二维位置灵敏多丝正比室。采用阴极丝分组编群的方法,从阴极丝上读出感应信号,用感应电荷分布的中心确定电子雪崩位置。对5.9keVX射线获得位置分辨率为1mm。     

氢在非晶和多晶Ti_2CuH_x中定域振动的研究

利用铍过滤探测器中子谱仪,在50-210 meV的能量范围内,测量了非晶Ti_2CuH_(1.26)和多晶Ti_2CuH_(1.03)室温下的局域振动谱。从实验曲线可以看出,两者的振动态密度分布虽有某些相似之处,但存在较大的差别:晶态样品的光学支呈现双峰、峰窄,峰位在92和147meV,半宽度为32和54meV;非晶样品却出现一个极宽的氢原子振动能带,峰位与晶态主峰几乎重合,半宽度约为104meV,比相应晶态加宽了近一倍。分析结果表明,在晶态和非晶态Ti_2CuH_?中,氢原子所占据的主要位置虽然都是四面体间隙位置,但由于在非晶材料中,存在着多面体单元结构的畸变和局部化学成分的涨落等现象,氢原子在其中的定域环境的分布更为宽广。     

双面硅条探测器的研制与测试

研制了双面硅条探测器。探测器灵敏面积为48mm×48mm,厚约300μm,结面和欧姆面的硅条互相垂直,均由相互平行、宽度相等的48条组成,每条宽0.9mm、间距0.1mm。对其电气特性(耗尽偏压、反向漏电流、条间电阻)和探测特性(上升时间、能量分辨、条间串扰)进行了测试。在偏压为-15V时,各条平均反向漏电流小于10nA。对于从结面入射的5.157 MeV的α粒子,前放信号上升时间约45ns,结面各条的能量分辨率约0.6%~0.7%,基本无条间串扰;欧姆面各条能量分辨率较差,存在条间串扰。     

研制Si(Li)探测器的新结果

本文介绍高分辨率Si(Li)X射线探测器的结构、工作原理、电流特性、电容特性和能量分辨率。探测器的有效灵敏体积为φ4mm×3mm,刻有保护沟槽,反向漏电流在10~(-14)A～10~(-15)A,电容小于1.5Pf,对~(55)Fe源5.9keV的X射线,获得的半高宽度(FWHM)=235eV。     

硅位置灵敏探测器

半导体位置灵敏探测器是探测带电粒子位置的一种探测器,它具有位置分辨率和能量分辨率高、线性好的优点。在核物理实验和研究工作中——鉴别粒子,角度校正,核极化测量,裂变碎片和重离子的测定以及衰变反冲物的角分布测量等方面得到了广泛的应用。国外研制这种器件的单位较多。目前已达到的水平为:在器件整个长度上满刻度的线性为1%;位置分辨率为0.1毫米;能量分辨率对5.486兆电子伏的α粒子半宽度为50千电子伏;几何尺寸为30×8,40×8,50×8毫米~2。我们所研制的硅位置灵敏探测器见图1。     

用于低能X射线分析的电荷分配式位置灵敏正比计数器

研制了一种电荷分配式单丝阳极位置灵敏正比计数器．它的效率由近似公式所估价．在感兴趣的4～6．5keV能区内相应效率从65％～25％间变化;它的位置分辨率用宽度50μm(x)的^55FeX射线束测定,可达到0．55mm。并介绍了由这PSPC构成的位置灵敏谱仪两个应用事例。     

300Cm~2平行板α屏栅电离室的研制

本文介绍了阴极面积为300cm~2的流气式平行板α屏栅电离室的结构和性能。电离室工作气体为 P-10(90%Ar+10%CH_4)气体,充气压约1.8×10~5Pa。在流气量小于25mL/min 时可连续工作48h。该装置的主要性能是:能量分辨率为36keV(对φ<10mm的~(239)Pu 电沉积源),4—6MeV 能区本底为12.6cph,最小可探测活度为2×10~(-4)Bq(按本底计数率标准差的3倍及27小时测量时间估计),探测效率为44%(对φ=190mm 大面积~(232)Th 源)。     

质子点扫描照射位置控制系统设计

上海质子治疗装置的束配系统采用点扫描的治疗模式。为了满足照射率与照射剂量分布精度的要求,需要设计一套精确的点扫描照射位置控制系统。点扫描照射位置控制系统通过二次多项式以及薄板样条曲线拟合得到了扫描磁场强度与位置电离室读出、扫描磁场强度与等中心束流位置之间的映射关系。在实际治疗时,通过治疗计划系统要求的等中心束流位置计算出目标扫描磁场强度,采用前馈算法控制扫描磁场到达目标磁场,同时通过比较位置电离室读出与目标位置之间的偏差来校正下一个点的照射位置。带束测试结果显示:在等中心处测得的质子束流在X方向和Y方向的照射位置偏差的最大值分别为0.8 mm和0.6 mm,均方值均为0.2 mm。该照射位置控制系统能够实现精确的点扫描照射。