固体激光器的最近进展

自1960年6月Maiman使用1立方厘米的红宝石在历史上第一次使激光振荡以来,到今年正好经历了20年。在这一段时间里，固体激光器有了惊人的发展,不仅在理化领域,而且在各种产业和医用部门，各种固体激光器广泛地得到实际使用。特别是以Nd:YAG激光器为核心的激光加工装置和激光测距装置的巨大进展，以激光核聚变为目标的玻璃激光系统功率的不断提高，更是引人注目。     

半导体激光器的进展

本文介绍了近年来国际上半导体激光器的发展概况,包括激光器的新型结构及各种新功能激光器,并述及了它们的有关应用。     

半导体激光器的进展

二极管激光器为极多样化应用提供了相干单色光，这些应用包括光纤通信、声频 和视频记录统以及建筑物和隧道的准直。     

半导体激光器的进展

文中概述了近年来国际上半导体激光器的发展趋势及各种不同的半导体激光器的具体技术指标。     

表面发射半导体激光器的进展

平行光电子技术急需二维半导体激光器列阵作为光源。采用表面发射半导体激光器,可制作单片集成的二维列阵。垂直腔表面发射激光器,因其可自由排列和密集封装而特别引人注目。本文评述表面发射半导体激光器及其单片集成的二维列阵的进展。     

光纤通信用半导体激光器及其进展

本文以所收集的１９９６年国外半导体激光器方面的研究成果为基础，介绍国外光通信用半导激光器器件研制的最新进展，具体介绍几种型半导体激光器，特别是量子材料激光器的结构和特点，希望能对国内半导体激光器的研制与应用提供有益的能者。     

半导体激光泵浦固体激光器进展

介绍了半导体二极管激光器泵浦固体激光器(DPL)的国际新进展和国内研究动态。指出它在单块集成微型激光器件、超短脉冲激光器注入种籽光源和高功率、大能量超级激光器研究中的潜在优势。用国产DH-LD和MQW-LD泵浦Nd:YAG、Nd:glass、Nd:YLF和NYAB固体激光器,得到激光输出。实现了DPL的增益开关效应、腔内倍频和自倍频。建立了DPL动力学计算机模拟,计算值与实验结果基本一致。     

105量子阱半导体激光器的进展

１０５量子阱半导体激光器的进展蔡伯荣（成都电子科技大学光电子技术系，６１００５４）本文简要介绍量子结构激光器的新进展。超晶格量子阱概念是７０年代初由美国ＩＢＭ公司的日本人Ｌ．Ｅｓａｋｉ和中国人朱兆强首先提出的。超晶格材料主要分为两大类型：１．晶格匹配...     

面发射半导体激光器的研制进展

随着高速大容量光信息处理技术发展需求的增长,二维(2D)阵列型光发射器件变得日益迫切。为了实现2D阵列激光器,发射光垂直于衬底的表面发射激光器(SEL)成为关键器件。本文综述了某些重要的面发射激光器及其阵列的结构和激射特性。三种基本结构——光栅耦合型、45°偏转镜面型和垂直腔型SEL竞相成为最佳的器件结构。文中还讨论了2D阵列激光器的应用前景。     

宽禁带GaN基半导体激光器进展

宽禁带Ⅲ族氮化物基半导体是20世纪末研究最活跃的半导体材料系,其高亮度发光二极管和激光器一出现即以惊人的速度实现了商品化。文章就GaN基半导体激光器的市场需求、蓝宝石基片上生长的氮化镓基激光器的研制和发展概况以及近期研究热点作了扼要介绍。     

高功率高亮度半导体激光器合束进展

半导体激光器体积小、效率高,但单元输出功率低、光束质量差限制了其应用。介绍了提升半导体激光器功率及光束质量的最新进展,对各种技术途径和实验结果进行了综述报道,并具体介绍了中国科学院长春光学精密机械与物理研究所近年来在高亮度半导体激光器芯片及合束方面取得的进展。     

半导体激光器散热技术研究及进展

在半导体大功率激光器的各种关键技术中,散热问题的解决是一个极其关键的技术。因为半导体激光器能产生很高的峰值功率,这些器件的电光转换效率为40%~50%,即所输入的电能50%~60%都转换为热能。在管芯焊接的地方产生的热流量大约为1KW.cm-2。这种热负载是限制激光器正常工作的关键因素。半导体激光器列阵与叠阵散热问题解决会直接关系到激光器的使用寿命,导致激光器有源区温度的迅速提高,从而引起激光器的光学灾变,甚至烧毁半导体激光器。大功率激光器列阵及叠阵在高功率的二极管泵浦固态激光器(DPSSL)系统中有很大的应用,市场发展潜力很大。因此,有必要发展大功率激光器列阵及叠阵。随着大功率激光器列阵及叠阵的迅速发展,与其有关的关键技术也应该加以研究。     

高效率高亮度半导体激光器技术进展

半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用,近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展.综述了提高功率转换效率的技术方法和途径,指出经过工艺优化后焦耳热和阈值热将是未来激光器的主要研究内容,介绍了波长稳定的激光器的两种制作方法,即外光栅法和内光栅法,激光器的波长稳定性达到0.1 nm/K以下.在外延材料结构中采用各种形式的大光腔结构设计,可以扩展近场光斑,从而使半导体激光器的光束发散角达到25°甚至更低.对较热门的近衍射极限激光器的制作方法进行了介绍,分析了不同方法的优缺点及应用情况.     

高功率中红外半导体碟形激光器的进展

短波长高性能激光器用途广泛,包括中红外光谱范围在1.9～2.5μm的远距离通信、大气遥感、大气污染检测。然而,满足该性能特点的简洁高效的激光光源尚未利用。在过去几年,主要的进展集中在发展光泵浦（AlGaIn）（AsSb）量子阱半导体碟形激光器上,发射波长为2.xμm的中红外谱区,连续输出功率超过6W,脉冲功率超过16W。此外,单频工作线宽〈4MHz,调谐宽度高达170nm,光束质量接近衍射极限。这些优异的性能只有通过高质量的外延生长、合理的器件设计、高效的热处理才能得以实现。     

最近的固体激光器

据“Laser Focus”杂志1980年第一期预测,1980年固体激光器的销售额达1.2亿美元,增长率约达26％。固体激光器占整个激光器的44％,超过CO_2激光器,He-Ne激光器、离子激光器,近几年来一直居为首位。由于固体激光器的急速发展,YAG激光棒的需求量上升,在全世界引起激光棒供不应求的问题。一般固体激光器是光激励的,但最近提出了采用高亮度激光的激光激励法,因此,发现了很多新的振荡线,振荡范围从短波长Ce:     

半导体激光器

QPC公司生产的Ultra-500型半导体激光器，能提供425W的输出功率。其基本波长包括792nm，808nm，976nm，1470nm和1532nm，光纤芯径从200-800μm，常规波长精度能超过要求。     

半导体激光器

QPC公司的Ultra-500型半导体激光器．能提供425W的输出功率。其基本波长包括792nm．808nm，976nm，1470nm和1532nm，光纤芯径从200-800μm，常规波长精度能超过要求。     

半导体激光器

本文评论半导体激光器的工作,讨论运转的原理。重点放在1964年以后。对GaAs结型激光器的工艺现况作了描述。